Vabariigi Valitsus — Strateegiliste kaupade nimekirja kinnitamine — RT I, 39, 486

Strateegilise kauba välja- ja transiitveo seaduse (RT I 1994, 30, 466) paragrahvi 2 lõike 2 alusel Vabariigi Valitsus määrab: 1. Kinnitada «Strateegiliste kaupade nimekiri» (juurde lisatud). 2. Tunnistada kehtetuks Vabariigi Valitsuse 18. veebruari 1997. a määruse nr 38 «Vabariigi Valitsuse 5. oktoobri 1994. a määruse nr 356 «Strateegilise kauba välja- ja transiitveo seaduse rakendamine» muutmine ja strateegiliste kaupade nimekirja kinnitamine» (RT I 1997, 17, 295) punkt 2. Peaminister Mart SIIMANN Majandusminister välisministri ülesannetes Jaak LEIMANN Riigisekretär Uno VEERING Kinnitatud Vabariigi Valitsuse 5. märtsi 1999. a määrusega nr 80 STRATEEGILISTE KAUPADE NIMEKIRI ML-kategooria -- Sõjalise otstarbega kaubad, poolsõjalise otstarbega kaubad, relvad ja laskemoon ning nendega seotud materjalid Kahesuguse kasutusega kaupade alla kuuluvad järgmised kategooriad: 0 kategooria -- Tuumamaterjalid, nendega seotud süsteemid, varustus ja komponendid 1. kategooria -- Materjalid, kemikaalid, mikroorganismid ja toksiinid 2. kategooria -- Materjalide töötlemine 3. kategooria -- Elektroonika 4. kategooria -- Arvutid 5. kategooria -- Telekommunikatsiooniseadmed ja infoturve 6. kategooria -- Sensorid ja laserid 7. kategooria -- Navigatsiooni- ja lennuelektroonika 8. kategooria -- Merendusliku otstarbega kaubad 9. kategooria -- Jõusüsteemid, õhusõidukid ja nendega seotud varustus ML-kategooria -- Sõjalise otstarbega kaubad, poolsõjalise otstarbega kaubad, relvad ja laskemoon ning nendega seotud materjalid Kategooria tähis ja number Nimetus ML1 Käsirelvad ja automaattulirelvad kaliibriga 12,7 mm või vähem ning spetsiaalselt nende jaoks määratud komponendid: a. Vintpüssid, karabiinid, revolvrid, püstolid, automaadid ja kuulipildujad Märkus: Punkt ML1.a ei hõlma järgnevat: 1. Musketid, vintpüssid ja karabiinid, mis on valmistatud enne 1938. aastat 2. Musketite, vintpüsside ja karabiinide reproduktsioonid, mille originaalid on valmistatud enne 1890. aastat 3. Revolvrid, püstolid ja kuulipildujad, mis on valmistatud enne 1890. aastat. b. Sileraudsed relvad, mis on spetsiaalselt määratud sõjaliseks kasutamiseks Tehniline märkus: Punktis ML1.b kirjeldatud sileraudsete relvade hulka kuuluvad relvad, millel on järgmised omadused: a. Töökindlust on testitud rõhkudel 1300 bar ja enam b. Toimivad ohutult rõhkudel 1000 bar ja enam ja c. Võimaldavad kasutada laskemoona pikkusega üle 76,2 mm (näit. sileraudse 12-kaliibrilise püssi kest). c. Relvad, mis kasutavad hülsivaba (kestavaba) laskemoona d. Heli- ja püssirohuvälgatuse summutid, mis on määratud punktides ML1.a, ML1.b või ML1.c kirjeldatud tulirelvadele Märkus: Punkt ML1 ei hõlma järgnevat: a. Õhkrelvad kaliibriga kuni 4,5 mm b. Tulirelvad, mis on spetsiaalselt määratud kasutama paukpadruneid ega võimalda tulistada käesolevas kategoorias kirjeldatud laskemoonaga c. Tulirelvad, mis on deaktiveeritud ja relvaregistrist välja arvatud ning ei võimalda tulistada käesolevas kategoorias kirjeldatud laskemoonaga d. Püsside täägid. EST1 Teleskoopsihikud punktides ML1 ja EST2 kirjeldatud kaupadele, muud kui punktis ML5 kirjeldatud. EST2 Sileraudsed relvad, muud kui punktides ML1.b või ML2 kirjeldatud ja spetsiaalselt neile määratud komponendid. Märkus: Punkt EST2 ei hõlma järgnevat: a. Õhkrelvad kaliibriga kuni 4,5 mm b. Pneumaatilised ja tulirelvad või püstolid, mis on määratud: 1. Kasutamiseks tööriistadena või 2. Spetsiaalselt jahipidamise või sportimise eesmärgil kasutatavad relvad. c. Raketipüstolid. EST3 Padrunid ja muu laskemoon, neile määratud komponendid, mis on spetsiaalselt määratud punktis EST2 kirjeldatud relvastusele. Märkus: Punkt EST3 ei hõlma järgnevat: a. Tinast või tinasulamist laskemoon, mis on spetsiaalselt määratud õhkrelvadele b. Paukpadrunid. ML2 Relvastus, mille kaliiber ületab 12,7 mm ning spetsiaalselt neile määratud komponendid: a. Suurtükid, haubitsad, mortiirid, tankitõrjevahendid, rakettide stardiseadmed, miinipildujad, leegiheitjad ja tagasilöögita relvasüsteemid b. Sõjalise otstarbega suitsukatete loomise vahendid. ML3 Laskemoon ja neile määratud komponendid, mis on spetsiaalselt määratud punktides ML1, ML2 või ML12 kirjeldatud relvastusele. ML4 Pommid, torpeedod, reaktiivmürsud, raketid ja nendega seotud varustus ning komponendid, mis on spetsiaalselt määratud militaarseks kasutamiseks: a. Pommid, torpeedod, granaadid, suitsukanistrid, reaktiivmürsud, maamiinid, raketid, meremiinid, süvaveepommid ja militaarne pürotehnika b. Varustus, mis on spetsiaalselt määratud punktis ML4.a kirjeldatud kaupade käitamiseks, kontrolliks, aktiveerimiseks, õhkulennutamiseks, kahjutukstegemiseks, lõhkamiseks ja avastamiseks. EST4 Terviklikud raketisüsteemid ja nende alamsüsteemid, muud kui punktis ML4 kirjeldatud: Tehniline märkus: Käesolevas nimekirjas nimetatakse terviklikeks raketisüsteemideks ballistilisi raketisüsteeme, kosmosesse lennutamise süsteeme, sondeerimisrakette ja mehitamata õhusõidukeid (k.a tiibraketid ja luureraketid), mis suudavad transportida vähemalt 500 kg kasulikku laadungit vähemalt 300 km kaugusele. a. Terviklikud raketisüsteemid. b. Komplektsed alamsüsteemid punktis ML5.a kirjeldatud süsteemidele: 1. Üksikud raketiastmed 2. Atmosfääri tungimiseks valmistatud kanderaketid 3. Vedel- ja tahkekütusel töötavad raketimootorid 4. «Thrust-vector» printsiibil põhinevad kontrollsüsteemid 5. Punktis EST4.a kirjeldatud süsteemidele lõhkepea installeerimiseks, lahinguvalmidusse viimiseks ja lõhkepea eemaldamiseks ettenähtud seadmed 6. Lennukontrollsüsteemid punktis EST4.a kirjeldatud süsteemidele ja selliste lennukontrollsüsteemide katsetamiseks, kalibreerimiseks ja tsentreerimiseks spetsiaalselt ettenähtud aparatuur. EST5 Seadmed ja aparaadid, mis on spetsiaalselt määratud militaarseks kasutamiseks ning mida kasutatakse improviseeritud lõhkeseadeldiste või muude lõhkeseadiste mida ei ole kirjeldatud punktis ML4.a käitamiseks, kontrolliks, kahjutukstegemiseks, lõhkamiseks ja avastamiseks. ML5 Tulejuhtimisvarustus, otsinguvarustus, juhtimisvarustus, mis on spetsiaalselt modifitseeritud või konstrueeritud militaarseks kasutamiseks: a. Relvade sihikud, relvakontrollsüsteemid b. Tulejuhtimis-, kontrolli- ja jälgimisvarustus c. Seadmed, mis on määratud vastumeetmete rakendamiseks punktides ML5.a või ML5.b kirjeldatud varustusele. ML6 Maismaatranspordivahendid ja neile määratud varustus, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks: a. Tankid ja muud iseliikuvad soomusmasinad, relvadega varustatud või mitte, nende osad b. Sõidukid, mis on määratud maastikul kasutamiseks, mille kõik rattad on veorattad ja mis on valmistatud või kaetud kaitseks ballistilise lennutrajektooriga füüsiliste kehade eest metalse või mittemetalse materjaliga c. Sõidukitele monteerimiseks ettenähtud konteinerid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. Märkus: Maismaatranspordivahendit liigitatakse militaarseks juhul, kui talle on lisatud üks või enam militaarotstarbelist komponenti, mis põhjustavad vastava transpordivahendi omaduste struktuurset, elektrilist või mehaanilist muutust. ML7 Toksilised ühendid, «pisargaasid», nendega seotud varustus, komponendid, materjalid ja tehnoloogia: Märkus: Käesoleva nimekirja lõikes nimetatakse «tehnoloogiaks» spetsiifilist informatsiooni, mis on vajalik kaupade arendamiseks, tootmiseks ja kasutamiseks ning mis võib hõlmata nii tehnilisi andmeid kui ka tehnilist abi. a. Bioloogilised ühendid ja radioaktiivsed materjalid, mis on kohaldatud sõjas kasutamiseks, inimkaotuste põhjustamise ja seadmete kahjustamise eesmärgil, ning keemiarelva (CW) ühendid. b. Keemiarelvade binaarsed- ja põhilised lähteained: 1. Alküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) fosfonüüldifluoriidid nagu DF: metüülfosfonüüldifluoriid [CAS 676-99-3] 2. O-alküül(H või alküülid kuni C10, sealhulgas tsükloalküül) O-2-dialküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül)aminoetüülalküül(metüül, etüül, n-propüül või isopropüül)fosfoniit ja vastavad alküleeritud ja protoneeritud soolad. Näit: QL: O-etüül-2-diisopropüülaminoetüülmetüülfosf oniit [CAS 57856-11-8]. 3. Klorosariin: O-isopropüülmetüülfosfonokloridaat (metüülklorofosfiinhappe O-isopropüülester) [CAS 1445-76-7] 4. Klorosomaan: O-pinakolüülmetüülfosfonokloridaat (metüülklorofosfiinhappe O-pinakolüülester) [CAS 7040-57-5]. c. «Pisargaasid» ja silmi ning limaskesti ärritavad ained: 1. Bromobensüültsüaniid (CA) [CAS 5798-79-8] 2. O-klorobensülideenmalononitriil (o-klorobensaalmalononitriil) (CS) [CAS 2698-41-1] 3. Fenüülatsüülkloriid (w-kloroatsetofenoon) (CN) [CAS 532-27-4] 4. Dibens-(h,f)-1,4-oksasefiin (CR) [CAS 257-07-8]. Märkus: Punkt ML7.c ei hõlma pisargaasi ja silmi või limaskesti ärritavaid aineid, mis on pakitud kui individuaalsed enesekaitsevahendid. d. Varustus ja seadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud punktis ML7.a kirjeldatud materjalide ja ühendite levitamiseks. Märkus: Punkt ML7.d hõlmab varustust ja seadmeid, mis on spetsiaalselt projekteeritud ja modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. e. Varustus ja seadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud kaitseks punktis ML7.a kirjeldatud materjalide ja ühendite eest. Näit: Õhukonditsioneerimise seadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud tuuma-, bioloogilise- või keemilise saaste filtreerimiseks. Märkus: Punkt ML7.e hõlmab ainult selliseid kaupu, mis on spetsiaalselt määratud militaarseks kasutamiseks. f. Varustus ja seadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud punktis ML7.a kirjeldatud materjalide ja ühendite avastamiseks ja identifitseerimiseks. Välja arvatud: Personaalsed radiatsioonidosimeetrid. Märkus: Punkt ML7.f hõlmab ainult selliseid kaupu, mis on spetsiaalselt määratud militaarseks kasutamiseks. g. «Biopolümeerid», mis on spetsiaalselt määratud või töödeldud punktis ML7.a kirjeldatud keemiarelvaühendite avastamiseks ja identifitseerimiseks. h. «Biokatalüsaatorid» keemiarelvade ühenditest ja bioloogilistest süsteemidest põhjustatud saaste kõrvaldamiseks. Tehniline märkus: «Biopolümeerid» hõlmavad järgmisi bioloogilisi makromolekule: a. «ensüümid» -- spetsiifiliste keemiliste või biokeemiliste reaktsioonide biokatalüsaatorid b. antikehad, monoklonaalid, polüklonaalid või anti-idiotüübid c. spetsiaalselt kavandatud või töödeldud retseptorid. «Biokatalüsaatoriteks» nimetatakse ensüüme ja muid bioloogilisi ühendeid, mis seovad ja kiirendavad keemiarelva toimeainete degradatsiooni. i. Tehnoloogiad: 1. Tehnoloogia punktides ML7.a kuni ML7.f kirjeldatud toksiliste ühendite ja sellega seotud varustuse arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. 2. Tehnoloogia punktis ML7.g kirjeldatud biopolümeeride või spetsiifiliste rakkude kultuuride arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. ML8 Militaarsed lõhkeained, kaasa arvatud paiskelõhkeained ja nendega seotud ained: a. Ained ja segud: 1. Sfäärilistest osakestest alumiiniumipulber [CAS 7429-90-5], mille osakeste suurus on 60 µm või vähem, mis on toodetud materjalist, mille alumiiniumisisaldus on 99% või enam. 2. Metallist põletusained, mille osakesed on sfäärilised või helbekujulised ning on valmistatud materjalidest, mis sisaldavad 99% või enam ükskõik millist järgnevat: a. Metallid ja metallisegud: 1. Berüllium [CAS 7440-41-7], osakeste suurusega vähem kui 60 µm 2. Rauapulber [CAS 7439-89-6], osakeste suurusega vähem kui 3 µm, mis on saadud raudoksiidi redutseerimisel vesinikuga. b. Segud, mis sisaldavad ükskõik millist järgnevat: 1. Tsirkoonium [CAS 7440-67-7], magneesium ja nende sulamid, mille osakeste suurus on vähem kui 60 µm 2. Boorist [CAS 7440-42-8] või boorkarbiidist [CAS 12069-32-8] põletusained, puhtusega 85% või enam, mille osakeste suurus on 60 µm või vähem 3. Perkloraadid, kloraadid ja kromaadid segus pulbriliste metallidega või teiste kõrge energiasisaldusega kütuse komponentidega 4. Nitroguanidiin [CAS 556-88-7] 5. Fluori ühendid teiste halogeenidega, hapnikuga, lämmastikuga 6. Karboraanid, dekaboraan [CAS 17702-41-9], pentaboraan ja selle derivaadid 7. Tsüklotetrametüleentetranitramiin [CAS 2691-41-0] (HMX), oktahüdro-1,3,5,7-tetranitro-1,3,5,7-tetrasiin, 1,3,5,7-tetranitro-1,3,5,7-tetraasa-tsüklooktaan (oktogeen) 8. Heksanitrostilbeen (HNS) [CAS 20062-22-0] 9. Diaminodinitrobenseen (DATB) [CAS 1630-08-6] 10. Triaminotrinitrobenseen (TATB) [CAS 3058-38-6] 11. Triaminoguanidiinnitraat (TAGN) [CAS 4000-16-2] 12. Titaani stöhhiomeetriline alahüdriid 13. Dinitroglükooluriil (DNGU, DINGU) [CAS 55510-04-8], tetranitroglükouriil (TNGU, SORGUYL) [CAS 55510-03-7] 14. Tetranitrobensotriasolobensotriasool (TACOT) [CAS 25243-36-1] 15. Diaminoheksanitrobifenüül (DIPAM) [CAS 17215-44-0] 16. Pikrüülaminodinitropüridiin (PYX) [CAS 38082-89-2] 17. 3-nitro-1,2,4-triasool-5-oon (NTO või ONTA) [CAS 932-64-9] 18. Hüdrasiin [CAS 302-01-2] hüdraat kontsentratsioonis 70% või enam, hüdrasiinnitraat [CAS 37836-27-4], hüdrasiinperkloraat [CAS 27978-54-7], ebasümmeetriline dimetüülhüdrasiin [CAS 57-14-7], monometüül [CAS 60-34-4] hüdrasiin, sümmeetriline dimetüülhüdrasiin [CAS 540-73-8] 19. Ammooniumperkloraat [CAS 7790-98-9] 20. Tsüklotrimetüleentrinitramiin (RDX) [CAS 121-82-4] tsükloniit; T4; heksahüdro-1,3,5-trinitro-1,3,5-triasiin; 1,3,5-trinitro-1,3,5-triasa-tsükloheksaan (heksogeen) 21. Hüdroksüülammooniumnitraat (HAN) [CAS 13465-08-2], hüdroksüülammooniumperkloraat (HAP) [CAS 15588-62-2] 22. 2-(5-tsüanotetrasolaat) pentaamiinkoobalt (III) perkloraat (CP) [CAS 70247--32-4] 23. Cis-bis(5-nitrotetrasolaat)-tetraamiinkoobalt (III) perkloraat 24. 7-Amino-4,6-dinitrobensofurasaan-1-oksiid (ADNBF) [CAS 97096-78-1], aminodinitrobensofuroksaan 25. 5,7-diamino-4,6-dinitrobensofurasaan-1-oksiid [CAS 117907-74-1], (CL-14 või diamino dinitrobensofuroksaan) 26. 2,4,6-trinitro-2,4,6-triasatsükloheksanoon (K-6 või keto-RDX) [CAS 115029-35-1] 27. 2,4,6,8-tetranitro-2,4,6,8-tetraasabitsüklo [3,3,0]-oktanoon-3 [CAS 130256-72-3] (tetranitrosemiglükouriil, K-55 või ketobitsüklo HMX) 28. 1,1,3-trinitroasetidiin (TNAZ) [CAS 97645-24-4] 29. 1,4,5,8-tetranitro-1,4,5,8-tetraasadekaliin (TNAD) [CAS 135877-16-6] 30. Heksanitroheksaasaisowurtsitaan [CAS 135285-90-4] (CL-20 või HNIW) ja CL-20 klatraadid 31. Polünitrokubaanid enam kui nelja nitrorühmaga 32. Ammooniumdinitramiid (ADN või SR 12) [CAS 140456-78-6] 33. Trinitrofenüülmetüülnitramiin (tetrüül) [CAS 479-45-8]. b. Lõhkeained ja paiskelõhkeained, mis vastavad järgmistele tehnilistele omadustele: 1. Lõhkeaine detonatsioonikiirusega enam kui 8700 m/s või detonatsioonisurvega enam kui 34 GPa (340 kbar) 2. Muud orgaanilised lõhkeained, muud kui punktis ML8 kirjeldatud, detonatsioonisurvega 25 GPa (250 kbar) või enam, mis säilitavad stabiilsuse, temperatuuril 523 K (+250 oC) või enam, vähemalt 5-minutilise perioodi jooksul 3. Tahked paiskelõhkeained, muud kui punktis ML8 kirjeldatud, teoreetilise eriimpulsiga (standardtingimuste korral) 250 s või enam mittemetallilise, või 270 s või enam alumiinse koostise korral 4. Tahked paiskelõhkeained teoreetilise eriimpulsiga 230 s või enam mittehalogeense, 250 s mittemetallilise, ja 266 s või enam metallilise koostise korral 5. Paiskelõhkeained, muud kui punktis ML8 kirjeldatud, mille jõukonstant ületab 1200 kJ/kg 6. Lõhkeained, paiskelõhkeained või pürotehnika, muud kui punktis ML8 kirjeldatud, mis omab püsivat põlemismäära 38 mm/s või enam, (standardolukorras) rõhul 6,89 MPa (68,9 bar) ja temperatuuril 249 K (+21 oC). c. Militaarne pürotehnika. d. Muud ained ja ühendid: 1. Lennukikütused, mis on spetsiaalselt formuleeritud militaarseks otstarbeks 2. Sõjalised materjalid, mis sisaldavad paksendit süsivesinikust põletusainele, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks leegiheitjates. e. Lisandid ja lähteained: 1. Asiidometüülmetüüloksetaan (AMMO) ja selle polümeerid 2. Aluseline vasksalitsülaat [CAS 62320-94-9], pliisalitsülaat [CAS 15748-73-9] 3. Bis(2,2-dinitropropüül)formaal [CAS 5917-61-3] või bis(2,2-dinitropropüül)atsetaal [CAS 5108-69-0] 4. Bis(2-fluoro-2,2-dinitroetüül) formaal (FEFO) [CAS 17003-79-1] 5. Bis(2-hüdroksüetüül)glükoolamiid (BHEGA) [CAS 17409-41-5] 6. Bis(2-metüülasiridinüül)metüüla minofosfiinoksiid (metüül BAPO) [CAS 85068-72-0] 7. Bis-asiidometüüloksüetaan ja tema polümeerid [CAS 17607-20-4] 8. Bis-klorometüüloksüetaan (BCMO) [CAS 142173-26-0] 9. Butadieennitriiloksiid (BNO) 10. Butaantriooltrinitraat (BTTN) [CAS 6659-60-5] 11. Katotseen [CAS 37206-42-1] (2,2-bis-etüülferrotsenüülpropaan); ferrotseenkarboksüülhapped; N-butüülferrotseen [CAS 319904-29-7]; butatseen [CAS 125856-62-4] ja teised polümeerse ferrotseeni derivaadid; 12. Dinitroasetidiin-t-butüülsool 13. Energeetilised monomeerid, plastifikaatorid ja polümeerid, mis sisaldavad nitro-, asiido-, nitraat- või difluoroamiinorühmi 14. Polü-2,2,3,3,4,4-heksafluoropentaan-1,5-dioolformaal (FPF-1) 15. Polü-2,4,4,5,5,6,6-heptafluoro-2-trifluorometüül-3-oksahe ptaan-1,7-dioolformaal (FPF-3) 16. Glütsidüülasiid-polümeer (GAP) [CAS 143178-24-9] ja tema derivaadid 17. Heksabensüülheksaasaisowurtsitaan (HBIW) [CAS 124782-15-6] 18. Hüdroksüüliga termineeritud (lõpetatud) polübutadieen (HTPB), milles hüdroksüülrühmade arv on võrdne või suurem kui 2,2 ja väiksem või võrdne kui 2,4, s.o. 2,2=-]>=2,4 või hüdroksüülrühmade arv on väiksem kui 0,77 mgekv/g ja viskoossus 30 oC juures väiksem kui 47 puaasi [CAS 69102-90-5] 19. Ülipeen raudoksiid (Fe2O3; hematiit), mille eripindala on suurem kui 250 m2/g ja keskmine osakeste suurus 0,003 µm või vähem [CAS 1309-37-1] 20. Plii-ß-resortsilaat [CAS 20936-32-7] 21. Pliistannaat [CAS 12036-31-6], pliimaleaat [CAS 19136-34-6], pliitsitraat [CAS 14450-60-3] 22. Plii-vask ß-resortsilaadi või salitsülaatide kelaadid [CAS 68411-07-4] 23. Nitratometüülmetüüloksüetaan või polü(3-nitratometüül-3-metüül-oksüetaan) (polü-NIMMO) (NMMO) [CAS 84051-81-0] 24. 3-nitrasa-1,5-pentaan-diisotsüanaat [CAS 7406-61-9] 25. N-metüül-p-nitroaniliin [CAS 100-15-2] 26. Metallorgaanilised siduvad agendid, eriti: a) Neopentüül [diallüül] oksü-tri [dioktüül] fosfatotitanaat [CAS 103850-22-2]; samuti tuntud kui titaan IV, 2,2[bis-2-propenolato-metüülbutanolato, tris(dioktüül)fosfaat] [CAS 110438-25-0] või LICA 12 [CAS 103850-22-2] b) Titaan IV, [(2-propenolato-1)metüül, n-propanolatometüül] butanolato-1, tris(dioktüül)pürofosfaat või KR 3538 c) Titaan IV, [(2-propenolato-1) metüül, n-propanolatometüül] butanolato-1, tris(dioktüül)fosfaat 27. Polütsüanodifluoroaminoetüleenoksiid (PCDE) 28. Polüfunktsionaalsed asiridiini amiidid isoftaal-, trimesüül-(BITA või butüleenimiin trimesamiid)isotsüanuur või trimetüüladipiin skelettstruktuuridega ja 2 metüül- või 2-etüülasendajatega asiridiinringil 29. Polüglütsidüülnitraat või polünitraatometüüloksüraan, (polü-GLYN) (PGN) [CAS 27814-48-8] 30. Polünitroortokarbonaadid 31. Polüpropüleenimiin, 2-metüülasiridiin [CAS 75-55-8] 32. Tetraatsetüüldibensüülheksaasaisowurtsitaan (TAIW) 33. Tetraetüleenpentaaminoakrüülonitriil (TEPAN) [CAS 68412-45-3]; tsüanoetüleeritud polüamiin ja tema soolad 34. Tetraetüleenpentaaminoakrüülo-nitriilglütsidool (TEPANOL) [CAS 68412-46-4]; tsüanoetüleeritud polüamiini adukt glütsidooliga ja tema soolad 35. Trifenüülvismut (TPB) [CAS 603-33-8] 36. Tris-1-(2-metüül)-asiridinüülfosfiinoksiid (MAPO) [CAS 57-39-6]; bis-(2-metüülasiridinüül)-2-(2-hüdroksüpropaanoks&uum l;) propüülaminofosfiinoksiid (BOBBA 8) ja teised MAPO derivaadid 37. 1,2,3-tris[1,2-bis(difluoroamino)etoksü]propaan [CAS 53159-39-0]; trisvinoksüpropaanadukt (TVOPA) 38. 1,3,5-triklorobenseen [CAS 108-70-3] 39. 1,2,4-trihüdroksübutaan(1,2,4-butaantriool) 40. 1,3,5,7-tetraatsetüül-1,3,5,7-tetra-asatsüklo-oktaan (TAT) [CAS 41378-98-7] 41. 1,4,5,8-tetraasadekaliin [CAS 5409-42-7] 42. Madala molekulkaaluga (vähem kui 10 000) alkohol-funktsionaalne polüepikloorhüdriin; polüepikloorhüdriindiool ja -triool. ML9 Sõjalaevad ja laevad, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud ründe- või kaitseaktsioonideks, sõltumata sellest, kas laevad kannavad relvi ja relvasüsteeme või mitte, ning nendega seotud komponendid, mis on spetsiaalselt määratud militaarseks kasutamiseks. ML10 Lennukid ja helikopterid, mehitamata õhusõidukid, õhusõidukite mootorid ja muu nende tarbeks määratud varustus ja komponendid, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks: a. Sõjalennukid ja -helikopterid, spetsiaalselt nende tarbeks määratud komponendid b. Muud õhusõidukid, mis on spetsiaalselt määratud militaarseks kasutamiseks, kaasa arvatud sõjalise otstarbega luurelennukid, sõjalise otstarbega treeningu ja transpordi varustus c. Lennukimootorid, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks ja komponendid nende jaoks d. Mehitamata õhusõidukid, kaasa arvatud kaugjuhtimisega õhusõidukid, nende maapealsed juhtimis- ja kontrollseadmed, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks ning spetsiaalselt neile määratud komponendid e. Sõjatranspordilennukid, kaasa arvatud õhus kütuse ümbertankimismehhanismid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks punktis ML10.a kirjeldatud lennukite juures f. Normaalset atmosfäärirõhku säilitavad hingamisaparaadid ja ülikonnad, mis on mõeldud kasutamiseks õhusõidukites, sõjalise otstarbega kaitsekiivrid ja -maskid, katapuldid. g. Langevarjud sõjalennukite isikkoosseisule ja erinevate lastide alla heitmiseks: 1. Langevarjud sõjalennukite isikkoosseisule 2. Langevarjud, mis on määratud erineva laadungi allaheitmiseks, koos automaatse piloteerimise süsteemidega, mis on spetsiaalselt määratud militaarseks kasutamiseks ja võimaldavad kontrollida langevarju avanemist olenemata kõrgusest 3. Muud sõjalise otstarbega langevarjud. ML11 Elektrooniline varustus, muud kui käesolevas kategoorias kirjeldatud, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. ML12 Kineetilise energia relvasüsteemid ja spetsiaalselt nende tarbeks määratud varustus, seadmed ja komponendid: a. Kineetlise energia relvasüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud sihtmärgi hävitamiseks või eesmärgist kõrvalejuhtimiseks b. Testimise seadmed ja katsemudelid, kaasa arvatud diagnostikaseadmed ja sihtmärgid, mis võimaldavad kineetilise energia relvasüsteemide dünaamilist katsetamist. ML13 Kaitse- ja päästevarustus jms: 1. Hermeetiline riietus, isolatsiooniriietus, kaitseriietus, mis on spetsiaalselt modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. 2. Kiivrid, mis on modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. ML14 Spetsialiseeritud varustus, mis võimaldab läbi viia sõjalise otstarbega treeninguid. ML15 Pildistamise ja jälgimise seadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks: a. Binoklid elektroonika baasil, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. b. Fotokaamerad, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. c. Fotokordistusseadmed. d. Foto- ja kinolaboratooriumide aparatuur ja sisseseade, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. ML16 Lõpetamata toodang, mille kasutamine kontrolli alla kuuluvates kaupades on identifitseeritav toodete materjali, geomeetria ja funktsioonide järgi, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud kasutamiseks punktides ML1 kuni ML4, ML6, ML9, ML10, ML12 või ML19 kirjeldatud kaupades. ML17 Mitmesugused kaubad ja materjalid ning spetsiaalselt nende jaoks määratud komponendid: a. Sukeldumis- ja veealuse ujumise aparaadid: 1. Suletud või poolsuletud ahelaga hingamisaparaadid, mis on spetsiaalselt määratud militaarseks kasutamiseks 2. Spetsiaalsed komponendid, mis on kasutatavad avatud ahelaga hingamisaparaatide muundamisel militaarselt kasutatavaks. 3. Kaubaartiklid, mis on eranditult kasutatavad militaarseks kasutamiseks koos sukeldumise- ja veealuse ujumise aparaatidega. b. Ehitusseadmed, mis on spetsiaalselt määratud militaarseks kasutamiseks. c. Robotid ja robotite kontrollerid, mis omavad ükskõik millist järgnevat omadust: 1. Spetsiaalselt määratud militaarseks kasutamiseks 2. Spetsiaalselt määratud tööoperatsioonide täitmiseks elektromagnetilise impulsi keskkonnas. d. Käesolevas punktis kirjeldatud sõjalise rakendusega materjalide ja varustuse kohta käiv dokumentatsioon ja andmebaasid. e. Tuumaenergiat genereeriv varustus või jõuseadmed, kaasa arvatud tuumareaktorid ja nende komponendid, mis on spetsiaalselt määratud sõjaliseks kasutamiseks. f. Simulaatorid, mis on spetsiaalselt määratud militaarse otstarbega tuumareaktoritele. g. Välitingimustes kasutatavad energiageneraatorid, mis on spetsiaalselt määratud militaarseks kasutamiseks. h. Konteinerid, mis on spetsiaalselt määratud militaarseks kasutamiseks. ML18 Seadmed ja tehnoloogia, mis on määratud käesolevas kategoorias kirjeldatud kaupade tootmiseks, katsetamiseks, modelleerimiseks ja kontrolliks: a. Seadmed ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud käesolevas kategoorias kirjeldatud kaupade tootmiseks b. Seadmed ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud käesolevas kategoorias kirjeldatud kaupade sertifitseerimiseks ja kvaliteedi hindamiseks c. Käesolevas kategoorias kirjeldatud kaupade tootmiseks vajalik tehnoloogia. EST6 Varustus, seadmed ja kontrollmudelid, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud käesolevas kategoorias kirjeldatud militaarse iseloomuga kaupade arendamiseks ja kasutamiseks. ML19 Suunatud energia relvasüsteemid, nendega seotud varustus ja seadmed: a. Lasersüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud sihtmärgi hävitamiseks või eesmärgist kõrvalejuhtimiseks b. Elementaarosakeste kiirtesüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud sihtmärgi hävitamiseks või eesmärgist kõrvalejuhtimiseks c. Suure võimsusega raadiosagedussüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud sihtmärgi hävitamiseks või eesmärgist kõrvalejuhtimiseks d. Varustus, mis on spetsiaalselt määratud punktides ML19.a kuni ML19.c kirjeldatud varustuse avastamiseks, identifitseerimiseks ja nimetatud varustuse vastaseks kaitseks. e. Pidevergastusega- või impulsslasersüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks inimese nägemisorganite kestva pimestamise eesmärgil. ML20 Krüogeenne ja ülijuhtiv varustus ning spetsiaalselt neile määratud komponendid: a. Varustus, mis on spetsiaalselt määratud või konfigureeritud rakendamiseks militaarse iseloomuga maa-, vee-, õhu- või kosmosesõidukites, mis on võimeline tootma ja säilitama temperatuuri alla 103 K (-170 oC) b. Ülijuhtiv elektriline varustus (pöördmehhanismid, transformaatorid), mis on spetsiaalselt määratud või konfigureeritud rakendamiseks militaarse iseloomuga maa-, vee-, õhu- või kosmosesõidukites. ML21 Tarkvara: a. Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud käesolevas kategoorias kirjeldatud varustuse ja materjalide arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks b. Spetsiifiline tarkvara: 1. Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud: a. Sõjaliste relvasüsteemide modelleerimiseks, simuleerimiseks või hindamiseks. b. Sõjalistes relvasüsteemides kasutatava tarkvara arendamiseks, järelevalveks ja uuendamiseks c. Sõjaliste operatsioonide modelleerimiseks ja simuleerimiseks. 2. Tarkvara, mis võimaldab määrata kindlaks konventsionaalse, tuuma-, keemia- või bioloogilise relva kasutamisest tulenevaid mõjusid. Märkus: Käesoleva nimekirja lõikes nimetatakse «tarkvaraks» infotöötlussüsteemide programme, protseduure, reegleid ja nendega seotud dokumentatsiooni. EST7 Julgeoleku ja poolsõjaväelise otstarbega varustus: a. Akustika seadmed, mis on kasutatavad massirahutuste kontrollimise eesmärgil b. Kaitsekilbid massirahutuste kontrollimise tarbeks c. Portatiivsed, massirahutuste kontrolliks määratud, elektriðokki põhjustavad vahendid d. Veekahurid ja nende komponendid e. Spetsiaalsed massirahutuste kontrolli eesmärgil kasutatavad sõidukid. 0. kategooria: Tuumamaterjalid, nendega seotud süsteemid, varustus ja komponendid Kategooria tähis ja number Nimetus 0A Süsteemid, varustus ja komponendid 0A001 [T] Tuumareaktorid, spetsiaalselt neile määratud varustus ja komponendid: [T] a. Tuumareaktorite rõhukonteinerid (reaktorite vannid) tervikuna või poolfabrikaatidest osadena [T] b. Seadmed ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud tuumakütuse tuumareaktorisse sisseviimiseks või sealt eemaldamiseks [T] c. Reaktori juhtimisvardad, mis on spetsiaalselt määratud tuumareaktoris toimuva reaktsiooni kiiruse kontrollimiseks [T] d. Elektroonilised kontrollsüsteemid kontrollimaks tuumareaktoris genereeritava energia taset, kaasa arvatud reaktori juhtimisvarraste kontrollmehhanismid ja radiatsiooni avastamise ning mõõtmise instrumendid [T] e. Reaktori survetorud, mis on spetsiaalselt määratud kütuseelementide ja esmajahutusaine mahutamiseks tuumareaktoris, töörõhule üle 5,1 MPa (740 psi) [T] f. Tsirkooniumist ja selle sulamitest valmistatud torud, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks tuumareaktorites, mille materjalis hafniumi ja tsirkooniumi suhe on väiksem kui 1:500 (kaalu järgi) [T] g. Pumbad, mis on spetsiaalselt valmistatud esmajahutusaine tsirkulatsiooni tekitamiseks tuumareaktoris [T] h. Komponendid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks tuumareaktorite juures: kuumakilbid, soojusvahetid jne 0A002 Jõugeneraatorid või energiasüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks koos kosmose-tuumareaktorite, laeva-tuumareaktorite või mobiilsete tuumareaktoritega Märkus: Punkt 0A002 ei hõlma konventsionaalseid energia genereerimise süsteeme, mida võidakse muuhulgas kasutada ka tuumajaamades. 0B Testimis- ja tootmisvahendid 0B001 [LC] Süsteemid, seadmed ja varustus (isotooperaldusjaamad) loodusliku uraani isotoopide, vaesustatud uraani isotoopide, «spetsiaalsete lõhustuvate materjalide» ja «muude spetsiaalsete lõhustuvate materjalide» isotoopide eraldamiseks: Märkus: a. Punktis 0B001 nimetatud «spetsiaalsete lõhustuvate materjalide» hulka kuuluvad plutoonium-239, uraan, mis on rikastatud isotoobi 235 või isotoobi 233 suhtes ning kõik sulamid ja segud, mis sisaldavad nimetatuid b. Punktis 0B001 nimetatud «muude spetsiaalsete lõhustuvate materjalide» hulka kuuluvad ameriitsium-242m, kuurium-245 ja -247, kalifornium-249 ja -251, plutooniumi isotoobid, muud kui plutoonium-238 ja -239 ning kõik sulamid ja segud, mis sisaldavad nimetatuid. [T] a. Süsteemid, seadmed ja varustus (isotooperaldusjaamad) loodusliku uraani isotoopide, vaesustatud uraani isotoopide, «spetsiaalsete lõhustuvate materjalide» ja «muude spetsiaalsete lõhustuvate materjalide» isotoopide eraldamiseks järgmistes protsessides: 1. Gaasiline difusiooneraldusprotsess 2. Gaasiline tsentrifugaaleraldusprotsess 3. Aerodünaamiline eraldusprotsess 4. Keemiline eraldusprotsess 5. Ioonvahetuse eraldusprotsess 6. Atomaarne auru «laser» isotoopiline eraldusprotsess 7. Molekulaarne «laser» isotoopiline eraldusprotsess 8. Plasmaeraldusprotsess 9. Elektromagnetiline eraldusprotsess. b. Seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt määratud või loodud gaasilise difusiooneraldusprotsessi jaoks nagu: [T] 1. UF6 vastupidavatest materjalidest (näit. alumiinium, alumiiniumisulamid, nikkel või niklisulamid, mis sisaldavad üle 60% (kaalu järgi) niklit) valmistatud või nendega kaetud lõõtsklapid, diameetriga 40 mm kuni 1500 mm [T] 2. a. UF6 vastupidavatest materjalidest (näit. alumiinium, alumiiniumisulamid, nikkel või niklisulamid, mis sisaldavad üle 60% (kaalu järgi) niklit) valmistatud või nendega kaetud kompressorid (positiivse nihkega, tsentrifugaalse ja aksiaalse voolutüübiga) või gaasipuhurid, mille UF6 imiruumvõimsus on 1 m3/min või rohkem ja tühjakslaadimisrõhk kuni 666,7 kPa b. Pöörlevad ðahttihendid kompressoritele ja puhuritele, mis on kirjeldatud punktis 0B001.b.2.a, mille kavandatud puhvergaasi sisselekke kiirus on väiksem kui 1000 cm3/min [T] 3. UF6 korrosioonile vastupidavast poorsest metallilisest, polümeersest või keraamilisest materjalist, pooride suurusega 10 kuni 100 nm, valmistatud gaasilise difusiooni tõkked paksusega 5 mm või vähem ja torukujulised diameetriga 25 mm või vähem [T] 4. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaetud gaasilise difuusori korpused [T] 5. Soojusvahetid, mis on valmistatud alumiiniumist, niklist, vasest või sulamitest, mis sisaldavad enam kui 60% (kaalu järgi) niklit või nende metallide kombinatsioonidest kui kattetorudest valmistatud soojusvahetid, mis on kavandatud tööks alaatmosfäärsel rõhul lekkekiirusega, mis piirab rõhutõusu rõhuerinevusel 100 kPa väiksemaks kui 10 kPa tunnis. c. Seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt määratud või loodud gaasiliseks tsentrifugaaleraldusprotsessiks, nagu: [T] 1. Gaasitsentrifuugid [T] 2. Ühest või enamast rootortorusilindrist koosnevad terviklikud rootorsõlmed [T] 3. Ühest järgnevast kõrge tugevuse-tiheduse suhtega materjalist valmistatud rootortorusilindrid paksusega 12 mm või vähem, diameetriga 75 mm kuni 400 mm: a. Martensiitteras, maksimaalse tõmbetugevusega 2050 MPa või enam b. Alumiiniumsulamid, maksimaalse tõmbetugevusega 460 MPa või enam või c. Fiiber- või filamentaarmaterjalid, «erimooduliga» enam kui 3,18×106 m ja «eritõmbetugevusega» enam kui 76,2×103 m Märkus: Käesolevas nimekirjas tõlgendatakse «erimoodulit» ja «eritõmbetugevust» järgnevalt: «Erimoodul» ­ Young'i moodul paskalites, mis on ekvivalentne N/m2-ga, jagatud erikaaluga N/m3, mõõdetuna temperatuuril (23±2) oC ning (50±5)%-lise relatiivse niiskuse juures «Eritõmbetugevus» ­ piirtõmbetugevus paskalites, mis on ekvivalentne N/m2-ga, jagatud erikaaluga N/m3, mõõdetuna temperatuuril (23±2) oC ning (50±5)%-lise relatiivse niiskuse juures. [T] 4. Magnetilised suspensioonlaagrid, milles rõngasmagnet hõljub UF6 vastupidavatest materjalidest (näit. alumiinium, alumiiniumisulamid, nikkel või niklisulamid, mis sisaldavad üle 60% (kaalu järgi) niklit) valmistatud ümbrises, sisaldades summutavat keskkonda ja omades magnetseost poolusosa või teise, rootori ülemisele kattele sobitatud magnetiga [T] 5. Spetsiaalselt valmistatud laagrid amortisaatorile paigaldatud pöörd-puks-agregaadiga [T] 6. Ühest järgnevast kõrge tugevuse-tiheduse suhtega materjalist valmistatud rõngad või torud seina paksusega 3 mm või vähem ja diameetriga 75 mm kuni 400 mm, mis on kavandatud rootortorusilindri kohalikuks toetamiseks või mitme sellise ühendamiseks: a. Martensiitteras, maksimaalse tõmbetugevusega 2050 MPa või enam b. Alumiiniumsulamid, maksimaalse tõmbetugevusega 460 MPa või enam või c. Fiiber- või filamentaarmaterjalid, «erimooduliga» enam kui 3,18×106 m ja «eritõmbetugevusega» enam kui 76,2×103 m [T] 7. Ühest järgnevast kõrge tugevuse-tiheduse suhtega materjalist valmistatud ja rootortoru sisse paigaldamiseks mõeldud tõkestid diameetriga 75 mm kuni 400 mm: a. Martensiitteras, maksimaalse tõmbetugevusega 2050 MPa või enam b. Alumiiniumsulamid, maksimaalse tõmbetugevusega 460 MPa või enam või c. Fiiber- või filamentaarmaterjalid, «erimooduliga» enam kui 3,18×106 m ja «eritõmbetugevusega» enam kui 76,2×103 m [T] 8. Ühest järgnevast kõrge tugevuse-tiheduse suhtega materjalist valmistatud ja rootortoru otstele mõeldud ülemised ja alumised katted diameetriga 75 mm kuni 400 mm: a. Martensiitteras, maksimaalse tõmbetugevusega 2050 MPa või enam b. Alumiiniumsulamid, maksimaalse tõmbetugevusega 460 MPa või enam või c. Fiiber- või filamentaarmaterjalid, «erimooduliga» enam kui 3,18×106 m ja «eritõmbetugevusega» enam kui 76,2×103 m [T] 9. Masinal sissetöödeldud või pressitud soontega ja sissetöödeldud aukudega silindritega molekulaarpumbad [T] 10. Rõngakujulised mootori staatorid mitmefaasiliste vahelduvvoolu hüstereesi (või reluktants) mootorite sünkroonseks tööks vaakumis sagedusvahemikus 600 Hz kuni 2000 Hz ja võimsuse vahemikus 50 kuni 1000 VA [T] 11. Gaastsentrifuugrikastamise mootorite staatorite toiteks spetsiaalselt määratud või loodud sagedusmuundurid (konverterid või inverterid), mis omavad kõiki järgnevaid tunnuseid: a. Mitmefaasiline 600 kuni 2000 Hz väljund b. Sageduse juhtimine, mis on parem kui 0,1% c. Harmoonilise moonutusega alla 2% ja d. Efektiivsusega üle 80%. [T] 12. UF6 vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaetud gaasitsentrifuugi rootortoru agregaadi korpus/vastuvõtja, mis koosneb jäigast silindrist seina paksusega kuni 30 mm ja on täpselt töödeldud otstega [T] 13. UF6 vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaetud kulbid, mis koosnevad kuni 12 mm sisemise diameetriga torudest ja on määratud UF6 gaasi eraldamiseks tsentrifuugrootortorust pöördtoru meetodil [T] d. Seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt määratud või loodud aerodünaamilise eraldusprotsessi jaoks, nagu: [T] 1. Eraldusdüüsid, mis koosnevad pilukujulistest kumeratest kanalitest kõverusraadiusega alla 1 mm ja millel on düüsi sees terav kant düüsist läbivoolava gaasi jaotamiseks kaheks vooks [T] 2. Tangentsiaalsed, sissevooluga juhitavad silindrilised või koonilised torud (keeristorud) diameetriga 0,5 cm kuni 1 cm ning pikkuse-diameetri suhtega 20:1 või vähem, mis on ühe või mitme tangentsiaalsisendiga [T] 3. UF6 vastupidavatest materjalidest (näit. alumiinium, alumiiniumisulamid, nikkel või niklisulamid, mis sisaldavad üle 60% (kaalu järgi) niklit) valmistatud või nendega kaetud kompressorid (positiivse nihkega, tsentrifugaalse ja aksiaalse voolutüübiga) või gaasipuhurid imiruumvõimsusega 2 m3/min ja pöörlevad ðahttihendid nende jaoks [T] 4. UF6 vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaetud aerodünaamilise eralduselemendi korpused keeristorude või eraldusdüüside jaoks [T] 5. Soojusvahetid, mis on valmistatud alumiiniumist, niklist, vasest või sulamitest, mis sisaldavad enam kui 60% (kaalu järgi) niklit või nende metallide kombinatsioonidest kui kattetorudest valmistatud soojusvahetid tööks rõhul 600 kPa või vähem [T] 6. UF6 vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaetud lõõtsklapid, diameetriga 40 mm kuni 1500 mm [T] 7. Protsessisüsteemid UF6 eraldamiseks kandevgaasist (vesinik või heelium) UF6 sisaldusega kuni 1 miljondikosa (ppm ­ parts per million) või vähem, kaasa arvatud: a. Krüogeensed soojusvahetid ja krüoseparaatorid, mis taluvad temperatuure -120 oC või madalamaid b. Krüogeensed jahutusseadmed, mis taluvad temperatuure -120 oC või madalamaid c. Eraldusdüüsi- või keeristoruseadmed UF6 eraldamiseks kandevgaasist d. Külmlõksud, mis taluvad temperatuure -120 oC või madalamaid. e. Seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt määratud või loodud keemilise eraldusprotsessi jaoks, nagu: [T] 1. Kontsentreeritud vesinikkloriidhappele vastupidavad kiirvahetuse vedelik-vedelik tsentrifugaalsed kontaktorid töölava resideerimisajaga 30 s või vähem (valmistatud sobivatest plastikmaterjalidest, näit. fluorosüsivesinikpolümeerid, või vooderdatud klaasiga) [T] 2. Kontsentreeritud vesinikkloriidhappele vastupidavad kiirvahetuse vedelik-vedelik impulsskolonnid töölava resideerimisajaga 30 s või vähem (valmistatud sobivatest plastikmaterjalidest, näit. fluorosüsivesinikpolümeerid, või vooderdatud klaasiga) [T] 3. Uraani siirdamiseks ühest valentsolekust teise kavandatud elektrokeemilised siirdeelemendid [T] 4. Sobivatest materjalidest (näit. klaas, fluoroorgaanilised polümeerid, polüfenüülsulfaat, polüeetersulfoon ja vaiguga impregneeritud grafiit) valmistatud või nendega kaetud elektrokeemiliste siirdeelementide etteandmise seadmed U+4 võtmiseks orgaanilisest voost ja nende protsessivooga kontaktis olevad osad [T] 5. Etteannet ettevalmistavad süsteemid kõrge puhtusega uraankloriidlahuse valmistamiseks, mis koosnevad lahustamise, lahusti eraldamise ja/või ioonvahetuse seadmetest purifikatsiooniks ja elektrolüütilised elemendid U+6 või U+4 taandamiseks U+3 [T] 6. Uraani oksüdeerimissüsteemid U+3 oksüdeerimiseks uraaniks U+4. f. Seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt määratud või loodud ioonvahetuse eraldusprotsessi jaoks, nagu: [T] 1. Kontsentreeritud vesinikkloriidhappele vastupidavad, vahetussuhte poolajaga alla 10 s ja temperatuurivahemikus 100 oC kuni 200 oC töövõimelised kiiresti reageerivad ioonvahetuse vaigud, kilekujulised või poorsed makrovaigud, milles aktiivsed keemilised vahetuse rühmad on piiratud mitteaktiivsest poorsest struktuurist pinnakattega, ja teised komposiitstruktuurid mis tahes sobival kujul, kaasa arvatud osakesed või kiud diameetriga 0,2 mm või vähem [T] 2. Kontsentreeritud vesinikkloriidhappele vastupidavatest materjalidest (näit. titaan või fluorosüsivesinikplastikud) valmistatud või nendega kaetud ja temperatuurivahemikus 100 oC kuni 200 oC ning rõhul üle 0,7 MPa töövõimelised ioonvahetuskolonnid (silindrilised) diameetriga üle 1000 mm [T] 3. Ioonvahetuse tagasivoolu süsteemid (keemilised või elektrokeemilised oksüdatsioon- või reduktsioonsüsteemid) ioonvahetuse rikastuskaskaadides kasutatavate keemilise redutseerimise või oksüdeerumise toimeainete regenereerimiseks. g. Seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt määratud või loodud atomaarse auru «laser» isotoopilise eraldusprotsessi jaoks, nagu: [T] 1. Uraani aurustamissüsteemides kasutamiseks mõeldud suure võimsusega elektronkimpude kahurid koguvõimsusega üle 50 kW ja riba või skaneerivate elektronkimpude kahurid väljastatava võimsusega üle 2,5 kW/cm [T] 2. Sula uraani või uraanisulamite kuumusele ja korrosioonile vastupidavatest materjalidest (näit. tantaal, ütriumiga kaetud grafiit, grafiit, mis on kaetud teiste haruldaste «muldadega», või nende segud) valmistatud või nendega kaetud rennikujulised tiiglid ja jahutusseadmed [T] 3. Uraani aurude kuumusele ja korrosioonile vastupidavatest materjalidest (näit. ütriumiga kaetud grafiit või tantaal) valmistatud või nendega vooderdatud produktide ja sabade kollektorsüsteemid [T] 4. Uraanimetalli auru allika, elektronkimbukahuri ja produkti ning sabade kollektori jaoks ettenähtud separaatmoodulite korpused (silindrilised või täisnurksed nõud) [T] 5. Pikemate ajaperioodide jooksul töötamiseks mõeldud spektri sagedusstabilisaatoriga «laserid» või «laser» süsteemid uraani isotoopide eraldamiseks. h. Seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt määratud või loodud molekulaarse «laser» isotoopilise eraldusprotsessi jaoks, nagu: [T] 1. UF6 kindlatest materjalidest valmistatud ülehelikiirusega paisumise düüsid UF6 segude ja kandevgaasi jahutamiseks temperatuurini 150 K või alla selle [T] 2. UF5/UF6 vastupidavatest materjalidest (näit. alumiinium, alumiiniumisulamid, nikkel või niklisulamid, mis sisaldavad üle 60% (kaalu järgi) niklit ja UF6 vastupidavad täielikult fluoritud vesinikorgaanilised polümeerid) valmistatud uraanfluoriidi (UF5) produkti kollektorid, mis sisaldavad filtrit, põrke- või tsüklon-tüüpi kollektoreid või nende kombinatsioone [T] 3. Seadmed UF5 fluorimiseks UF6-ks [T] 4. UF6 vastupidavatest materjalidest (näit. alumiinium, alumiiniumisulamid, nikkel või niklisulamid, mis sisaldavad üle 60% (kaalu järgi) niklit) valmistatud või nendega kaetud kompressorid ja neile määratud pöörlevad ðahttihendid [T] 5. Protsessisüsteemid UF6 eraldamiseks kandevgaasist (näit. lämmastik või argoon), kaasa arvatud: a. Krüogeensed soojusvahetid ja krüoseparaatorid, mis taluvad temperatuure -120 oC või madalamaid b. Krüogeensed jahutusseadmed, mis taluvad temperatuure -120 oC või madalamaid c. Külmlõksud, mis taluvad temperatuure -120 oC või madalamaid. [T] 6. Pikemate ajaperioodide jooksul töötamiseks määratud spektri sagedusstabilisaatoriga «laserid» või «laser» süsteemid uraani isotoopide eraldamiseks. i. Seadmed ja komponendid, mis on määratud või loodud plasmaeraldusprotsessi jaoks, nagu: [T] 1. Uraaniaurude kuumusele ja korrosioonile vastupidavatest materjalidest (näit. ütriumiga kaetud grafiit või tantaal) valmistatud või nendega kaetud produkti ja sabade kollektorid [T] 2. Üle 40 kW keskmist võimsust käsitsevad raadiosageduslikud ioonergastuse poolid sagedustele üle 100 kHz [T] 3. Väljundsagedusega üle 30 GHz ja keskmise väljundvõimsusega üle 50 kW mikrolaine võimsusallikad ja antennid ioonide tekitamiseks ja kiirendamiseks [T] 4. Uraaniplasma genereerimissüsteemid [T] 5. Sobilikest korrosioonile ja soojusele vastupidavatest materjalidest (näit. tantaal, ütriumiga kaetud grafiit, grafiit, mis on kaetud teiste haruldaste «muldadega» või nende segudega) valmistatud või nendega kaetud tiiglitest ja tiiglite jahutusseadmetest vedela uraanimetalli käsitlemise süsteemid [T] 6. Sobivast mittemagnetilisest ainest (näit. roostevaba teras) valmistatud separaatormoodulite korpused (silindrilised) uraaniplasma allika, raadiosagedusliku juhtpooli ja produkti ning sabade kollektori jaoks [T] j. Seadmed ja komponendid, mis on määratud või loodud elektromagnetilise eraldusprotsessi jaoks, nagu: 1. Sobilikest materjalidest (näit. grafiit, roostevaba teras või vask) valmistatud üksikud või kombineeritud ioonallikad, mis koosnevad auruallikatest, ionisaatorist ja voo kiirendist ning mis on võimelised andma ioonivoo koguvoolu 50 mA või enam 2. Sobilikust mittemagnetilisest materjalist (näit. grafiit või roostevaba teras) valmistatud, kahest või enamast pilust ja taskust koosnevad ioonkollektori plaadid rikastatud või purgitud uraani ioonvoogude kogumiseks 3. Mittemagnetilistest materjalidest (näit. grafiit või roostevaba teras) valmistatud ja rõhkudel 0,1 Pa või vähem kavandatud vaakumkorpused uraani elektromagnetilistele separaatoritele 4. Magnetpooluse detailid diameetriga üle 2 m 5. Kõrgepinge toiteallikad ioonallikatele, millel on kõik järgnevad omadused: a. Võimelised pidevaks tööks b. Väljundpinge 20 000 V või enam c. Väljundvool 1 A või enam d. Pingetundlikkus on 8 tunni vältel parem kui 0,01% 6. Magnetite toiteallikad (suure võimsusega, alalisvooluga), millel on kõik järgnevad omadused: a. Võimelised pidevaks tööks väljundvooluga 500 A või enam ja pingega 100 V või enam b. Voolu- ja pingetundlikkus on 8 tunni vältel parem kui ,01%. 0B002 [LC] Spetsiaalselt kavandatud või loodud abisüsteemid, seadmed ja komponendid punktis 0B001 kirjeldatud isotooperaldusjaamadele, mis on valmistatud või kaetud UF6 vastupidavatest materjalidest, nagu: [T] a. Etteande autoklaavid, ahjud või süsteemid UF6 läbilaskmiseks rikastusprotsessis [T] b. Desublimeeritud või külmlõksud, mida kasutatakse UF6 eraldamiseks peale kuumutamist rikastusprotsessis ja sellele järgnevaks edasitoimetamiseks [T] c. Produkti ja sabade jaamad UF6 toimetamiseks konteinerisse [T] d. Veeldamis- või tahkestamisjaamad, mida kasutatakse UF6 eraldamiseks rikastusprotsessis ning UF6 kokkusurumiseks ja viimiseks vedelasse või tahkesse olekusse [T] e. UF6 vastupidavatest materjalidest valmistatud või kaetud torusüsteemid ja heedersüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud UF6 käsitlemiseks gaasilise difusiooni, tsentrifuug- või aerodünaamilistes kaskaadides [T] f. 1. Vaakumkollektorid või vaakumheedrid imivõimsusega 5 m3/min või enam või 2. Vaakumpumbad, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks UF6 kandvas atmosfääris [T] g. Järgmiste omadustega UF6 mass-spektromeetrid/ioonallikad, mis on spetsiaalselt määratud või loodud otseproovide võtmiseks etteandest, produktist või sabadest UF6 gaasivoos: 1. Ühiklahutusega massidele üle 320 amü (aatommassiühik) 2. Ioonallikad, mis on valmistatud või vooderdatud nikroomi, moneli või plaaditud nikliga 3. Elektronpommitamise ioonallikad ja 4. Isotoopanalüüsiks sobivad kollektorsüsteemid. 0B003 Uraani heksafluoriidi (UF6) tootmise jaam ja selle jaoks määratud või valmistatud seadmed ja komponendid, nagu: a. UF6 tootmise jaam b. Seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt määratud või valmistatud UF6 tootmiseks: 1. Fluorimise ja vesinikfluorimise kruvi- ja vedelikkihiga reaktorid ja leektorud 2. Destillatsiooniseadmed UF6 purifikatsiooniks. 0B004 [LC] Süsteemid, seadmed, varustus ja komponendid (tööjaamad) raske vee, deuteeriumi ja deuteeriumi segude tootmiseks: [T] a. Süsteemid ja varustus raske vee, deuteeriumi ja deuteeriumi segude tootmiseks: 1. Vesiniksulfiid-vesi vahetusjaamad 2. Ammoniaak-vesinik vahetusjaamad 3. Vesiniku destillatsiooni jaamad b. Seadmed ja komponendid, mis on määratud kasutamiseks järgmistes protsessides: 1. Vesiniksulfiid-vesi vahetusprotsess: a. Isotoopvahetus taldrikkolonnid b. Vesiniksulfiidi gaasikompressorid 2. Ammoniaak-vesinik vahetusprotsess: a. Kõrgsurve ammoniaak-vesinik vahetuskolonnid b. Kõrge kasuteguriga kontaktorid c. Retsirkulatsiooni sukelpumbad d. Ammoniaagi krakkijad töörõhule enam kui 3 MPa 3. Vesiniku destillatsiooni protsess: a. Vesiniku krüogeendestillatsiooni kolonnid, mis on määratud tööülesannete täitmiseks temperatuuril alla 35 K (­238 oC) b. Turboekspandrid või turboekspander-kompressorid, mis on määratud tööülesannete täitmiseks temperatuuril alla 35 K (-238 oC) 4. Raske vee kontsentratsiooni protsess: a. Vee destillatsiooni kolonnid b. Ammoniaagi destillatsiooni kolonnid c. Katalüütilised põletid, mis on määratud kasutamiseks rikastatud deuteeriumi konversioonil raskeks veeks d. Absorptsiooni infrapunaanalüsaatorid, mis võimaldab sooritada vesiniku ja deuteeriumi suhte uuringuid reaalajas. 0B005 [T] Süsteemid, seadmed ja varustus (tööjaamad), mis on spetsiaalselt määratud tuumareaktorite kütuse elementide tootmiseks, s.t omavad tuumamaterjalidega otsest kontakti või kontrollivad nende liikumist tootmisprotsessis. 0B006 [LC] Süsteemid, seadmed, varustus ja komponendid (tööjaamad), mis on spetsiaalselt määratud tuumareaktori käitatud kütuse elementide ümbertöötamiseks: [T] a. Käitatud tuumakütuse elementide kaugjuhtimisega töötlemise seadmed [T] b. Spetsiaalsed mahutid, mis on määratud kasutamiseks käitatud tuumakütuse lahustamisel, mille tööpinnad on vastupidavad kuuma ja ülimalt korrosiivse vedeliku suhtes ning on kaugjuhitavalt täidetavad ja tühjendatavad [T] c. Vastuvoolu lahustusekstraktorid ja ioonivahetustöötlemise seadmed, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks käitatud uraani, «spetsiaalselt lõhustuvate materjalide» või «muude spetsiaalselt lõhustuvate materjalide» ümbertöötamise protsessis [T] d. Süsteemid või seadmed, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks käitatud uraani, «spetsiaalselt lõhustuvate materjalide» või «muude spetsiaalselt lõhustuvate materjalide» ümbertöötamise protsessis järelvalve või kontrolli eesmärgil e. Spetsiaalsed mahutid, millel on tugev vastupanuvõime ja püsivus lämmastikhappe korrosiivsele mõjule Märkus: Punktis 0B006.e nimetatud mahutite tunnused võivad olla järgmised: 1. Boorisisaldus mahutite sisemistes struktuurides või seinamaterjalis ületab 2% 2. Silindriliste mahutite maksimaalne diameeter ei ületa 175 mm 3. Rõngasmahutite maksimaalne laius ei ületa 75 mm. [T] f. Süsteemid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks plutooniumnitraadi konversioonil plutooniumoksiidiks [T] g. Süsteemid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks plutooniumi metalli tootmisel. 0B008 Varustus ja seadmed, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks tuumareaktorite juures: a. Simulaatorid b. Pöörisvooluteimid ja ultraheli-defektoskoopia seadmed. 0B009 [T] Süsteemid, seadmed ja varustus (tööjaamad), mis on spetsiaalselt määratud või ettevalmistatud uraani konversiooniks: a. Süsteemid, mis on määratud uraani maagikontsentraatide konversiooniks UO3-ks b. Süsteemid, mis on määratud UO3 konversiooniks UF6-ks c. Süsteemid, mis on määratud UO3 konversiooniks UO2-ks d. Süsteemid, mis on määratud UO2 konversiooniks UF4-ks e. Süsteemid, mis on määratud UF4 konversiooniks UF6-ks f. Süsteemid, mis on määratud UF4 konversiooniks uraani metalliks g. Süsteemid, mis on määratud UF6 konversiooniks UO2-ks h. Süsteemid, mis on määratud UF6 konversiooniks UF4-ks. 0C Materjalid 0C001 [T] Looduslik uraan, vaesustatud uraan või toorium, metallide, sulamite, keemiliste ühendite või kontsentraatide kujul ja materjalid, mis sisaldavad ükskõik millist eelnevalt nimetatut. Märkus: Punkt 0C001 ei hõlma järgnevat: a. Looduslik uraan või vaesustatud uraan, mis sisaldub nelja või vähema grammi ulatuses instrumentide komponentide osana b. Vaesustatud uraan, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks tsiviilotstarbel ja mittetuuma eesmärkidel (näit. kaitseekraanideks). 0C002 [T] [LC] «Spetsiaalsed lõhustuvad materjalid» ja «muud lõhustuvad materjalid»: a. Plutoonium, kõik tema isotoobid, sulamid ja segud b. Uraan, mis on rikastatud isotoobi 235 ja isotoobi 233 suhtes enam kui 20% ulatuses ning kõik sulamid ja segud, mis sisaldavad nimetatud ühendeid. Märkus: Punkt 0C002 ei hõlma plutooniumi ega uraani, mis sisaldub nelja või vähema grammi ulatuses instrumentide komponentide osana 0C004 [T] Deuteerium, raske vesi, deuteeritud parafiinid ja ühendid ning segud, milles deuteeriumi aatomite proportsioon vesiniku aatomite suhtes on suurem kui 1:5000. 0C005 [T] Tuumakvaliteediga grafiit, mille puhtusaste boori suhtes on parem kui 5:1 000 000 ja tihedus suurem kui 1,50 g/cm3. 0C006 [T] Niklipulber või poorne (käsn) niklimetall, mis on spetsiaalselt määratud gaasilise difusiooni tõkete valmistamiseks: a. Niklipulber puhtusastmega 99,9% või enam, mille osakeste suurus on 10 µm või vähem b. Poorne (käsn) niklimetall, mis on valmistatud punktis 0C006.a kirjeldatud materjalist. 0C201 [T] UF6-kindlad (korrosioonikindlad) ühendid või pulbrid, muud kui nikkel, puhtusastmega 99,9% või enam, mille osakeste suurus on 10 µm või vähem, mis on spetsiaalselt määratud gaasilise difusiooni tõkete valmistamiseks 0C990 [EST] Triitium ja triitiumi sisaldavad segud, milles triitiumiaatomite proportsioon vesinikuaatomite suhtes on suurem kui 1:1000. 0D Tarkvara 0D001 [T] [LC] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud käesolevas kategoorias kirjeldatud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. 0E Tehnoloogia 0E001 [T] [LC] Tehnoloogia, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud käesolevas kategoorias kirjeldatud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. 1. kategooria: Materjalid, kemikaalid, mikroorganismid ja toksiinid Kategooria tähis ja number Nimetus 1A Süsteemid, varustus ja komponendid 1A001 [W] Komponendid, mis on valmistatud fluoritud segudest: a. Tihendid, mansetid ja muud tihendmaterjalid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks õhusõidukitel või kosmosesüstikute juures ning on valmistatud enam kui 50% ulatuses (kaalu järgi) ükskõik millistest punktis 1C009.b või punktis 1C009.c kirjeldatud materjalidest b. Piesoelektrilised polümeerid ja kopolümeerid, mis on valmistatud punktis 1C009.a kirjeldatud vinülidiinfluoriidmaterjalidest: 1. Kile või lehe kujul ja 2. Paksusega enam kui 200 µm. c. Tihendid, mansetid, diafragmad ja klapid, mis on valmistatud fluoroelastomeeridest, mis sisaldavad vähemalt ühte vinüüleetri monomeeri ja mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks õhusõidukitel või kosmosesüstikute juures. 1A002 [W] [N] Komposiitstruktuurid või laminaadid, mis sisaldavad ükskõik millist järgnevat: a. Orgaaniline maatriks, mis on valmistatud punktides 1C010.c, 1C010.d või 1C010.e kirjeldatud materjalidest või b. Metallist või süsinikust maatriksid, mis on valmistatud: 1. Süsinikfiiber- või filamentaarmaterjalidest, mille: a. «Erimoodul» ületab 10,15×106 m ja b. «Eritõmbetugevus» ületab 17,7×104 m või 2. Punktis 1C010.c kirjeldatud materjalidest. Märkus: Punkt 1A002 ei hõlma valmistooteid ega poolfabrikaate, mis on määratud kasutamiseks tsiviilotstarbel: a. Spordikaupadena b. Autotööstuses c. Tööriistatööstuses d. Meditsiinis. 1A003 [W] Mittefluoritud polümeersetest ainetest (punktis 1C008.a.3 nimetatud materjalid) valmistatud tooted filmi, kilelindi või lehe kujul: a. Paksusega enam kui 0,254 mm või b. Kaetud või lamineeritud metallidega, magnetiliste ainetega, grafiidiga või süsinikuga. 1A004 [W] Kaitse- ja avastamisseadmed ning spetsiaalselt neile määratud komponendid: a. Gaasimaskid ja mürkainete saaste kõrvaldamise varustus, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud kaitseks bioloogiliste ainete ja radioaktiivsete materjalide eest ning kohaldatud kasutamiseks sõjalistel eesmärkidel b. Kaitseülikonnad, kindad ja saapad, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud kaitseks bioloogiliste ainete ja radioaktiivsete materjalide eest, mis on kohaldatud kasutamiseks sõjalistel eesmärkidel c. Tuuma-, keemilise- ja bioloogilise saaste avastamise süsteemid (NBC), mis on spetsiaalselt määratud sõjalisel otstarbel kasutatavate bioloogiliste ainete ja radioaktiivsete materjalide avastamiseks ja identifitseerimiseks. Märkus: Punkt 1A004 ei hõlma järgnevat: a. Personaalsed radiatsioonidosimeetrid b. Varustus, mis omab piiratud kaitsevõimet ohtlike ainete eest ja on kasutatav järgmistes tsiviilvaldkondades: 1. Mäetööstus 2. Põllumajandus 3. Ravimitööstus ja meditsiin 4. Keskkonnakaitse 5. Toiduainetööstus. 1A102 [M] Pürolüüsitud süsinik-süsinik materjalid, mis on määratud kasutamiseks punktides 9A004 või 9A104 kirjeldatud süsteemides. 1A202 [N] Komposiitstruktuurid, muud kui punktis 1A002 kirjeldatud, torude kujul, sisediameetriga 75 mm kuni 400 mm, mis on valmistatud ükskõik millisest punktides 1C010.a. ja 1C010.b. või punktis 1C210.a kirjeldatud fiiber- või filamentaarmaterjalist. 1A225 [N] Platineeritud katalüsaatorid, mis on spetsiaalselt määratud vesiniku isotoopide vahetusreaktsiooni edendamiseks vesiniku ja vee vahel, triitiumi taastamiseks raskest veest või raske vee tootmiseks. 1A226 [N] Spetsiaalsed tihendid, mis on valmistatud fosforpronksvõrgust (keemiliselt töödeldud parandamaks niiskuskindlust) ning on määratud kasutamiseks vaakumdestillatsiooni kolonnides raske vee eraldamisel tavalisest veest. 1A227 [N] Suure tihedusega materjalist (pliiklaasist vms) radiatsioonikaitseaknad küljepikkusega enam kui 0,3 m, paksusega üle 100 mm, tihedusega enam kui 3 g/cm3 ning raamid, mis on spetsiaalselt määratud sarnaste akende jaoks. 1B Testimis- ja tootmisvahendid 1B001 [W] Varustus, seadmed ja komponendid punktides 1A002 ja 1C010 kirjeldatud fiiberkiudude, fiiberkompositsioonide ja komposiitide tootmiseks: [M] [N] a. Elementaarkiu poolimispingid, mille liikumise positsioneerimine, kiudude poolimine ja mähkimine on koordineeritud ja programmeeritud kolme või enama telje suunas, mis on spetsiaalselt määratud komposiitstruktuuride või laminaatide tootmiseks fiiber- või filamentaarmaterjalidest [M] b. Köisikupaigalduspingid, mille liikumise positsioneerimine ja lindi, lehtede või köisiku paigaldamine on koordineeritud ja programmeeritud kahe või enama telje suunas, mis on spetsiaalselt määratud mehitamata õhusõidukite komposiitplaanerite või terviklike raketisüsteemide struktuuride tootmiseks [M] c. Mitmesuunalised ja mitmedimensionaalsed kudumisteljed või põimimispingid ning nende komponendid kiudude kudumiseks, põimimiseks või palmitsemiseks komposiitstruktuuride tootmise eesmärgil Märkus: Punkt 1B001.c ei hõlma tekstiilitööstuses kasutatavaid seadmeid, mida ei ole modifitseeritud punktis 1B001.c kirjeldatud lõppkasutuseks. d. Varustus ja seadmed, mis on määratud armeeritud kiudude tootmiseks: [M] 1. Varustus ja seadmed polümeerkiudude (näit. polüakrüülnitriil, raion või polükarbosilaan) muundamiseks süsinikkiududeks või ränikiududeks, kaasa arvatud spetsiaalne varustus kiudude pingutamiseks kuumutamise jooksul [M] 2. Varustus ja seadmed ränikarbiidkiudude tootmiseks kuumutatud kiudsubstraatidele elementide või ühendite aursadestamise teel 3. Varustus ja seadmed kuumuskindla keraamika (näit. alumiiniumoksiid) märgketruseks 4. Varustus ja seadmed kiu-eellasi sisaldava alumiiniumi muundamiseks alumiiniumoksiidkiuks termilise töötlemise protsessis [M] e. Varustus ja seadmed punktis 1C010.e kirjeldatud fiiberkompositsioonide tootmiseks kuumsulatusmeetodil [M] f. Mittepurustavad kontrollseadmed, mis võimaldavad ultraheli või röntgenikiirguse abil komposiitmaterjalide defektide kolmedimensionaalset otsingut. 1B002 [W] [M] Süsteemid ja komponendid, mis on spetsiaalselt määratud saaste ja reostuse ära hoidmiseks ning punktides 1C002.a.2, 1C002.b või 1C002.c kirjeldatud metallide sulamite, metallisulamipulbrite või sulatatud materjalide tootmiseks. 1B003 [W] Tööriistad, stantsid, matriitsid või muu seadmestik, mis on määratud titaani, alumiiniumi või nende sulamite difusioonsidestamiseks või plastiliseks vormimiseks järgmiste toodete valmistamise eesmärgil: a. Õhusõidukite plaanerid b. Õhusõidukite mootorid c. Spetsiaalsed komponendid õhusõidukite struktuurielementidele või mootoritele. 1B101 [M] Varustus, seadmed ja komponendid, muud kui punktis 1B001 kirjeldatud, mis on määratud struktuursete komposiitide tootmiseks: [M] a. Elementaarkiu poolimispingid, mille liikumise positsioneerimine ja poolimise ning mähkimise funktsioonid on koordineeritavad ja programmeeritavad kolme või enama telje suunas, mis on spetsiaalselt määratud komposiitstruktuuride või laminaatide tootmiseks fiiber- või filamentaarmaterjalidest [M] b. Lindipaigalduspingid, mille liikumise positsioneerimine ja lindi või lehtede paigaldamine on koordineeritavad ja programmeeritavad kahe või enama telje suunas, mis on spetsiaalselt määratud mehitamata õhusõidukite komposiitplaanerite või terviklike raketisüsteemide struktuuride tootmiseks [M] c. Varustus ja seadmed, mis on määratud või modifitseeritud fiiber- või filamentaarmaterjalide tootmiseks: [M] 1. Varustus ja seadmed polümeerkiudude (näit. polüakrüülnitriil, raion või polükarbosilaan) stabeleerimiseks, kaasa arvatud spetsiaalne varustus kiudude pingutamiseks kuumutamise jooksul [M] 2. Kuumutatud kiudsubstraatidele elementide või ühendite aursadestamise seadmed ja [M] 3. Varustus ja seadmed kuumuskindla keraamika (näit. alumiiniumoksiid) märgketruseks [M] d. Varustus ja seadmed, mis on määratud või modifitseeritud kiudude pinna töötlemiseks või punktis 9A110 kirjeldatud fiiberkompositsioonide tootmiseks Märkus: Punktis 1B101.d nimetatud varustuse hulka kuuluvad ka juhikrullid, pinge stabeleerijad, pindamis- ja lõikeseadmed. 1B115 [M] Varustus ja seadmed punktides 1C011.a, 1C001.b ja 1C111 kirjeldatud raketikütuste ja raketikütuste koostisosade tootmiseks, käitamiseks ja kvaliteedikontrolliks. 1B116 [M] Düüsid, mis on spetsiaalselt määratud pürolüütiliselt tuletatud materjalide tootmiseks lähtegaasidest, mis lagunevad temperatuurivahemikus 1573 K (+1300 oC) kuni 3173 K (+2900 oC), rõhkudel 130 Pa kuni 20 kPa. 1B201 [M] Elementaarkiu poolimispingid, muud kui punktides 1B001 või 1B101 kirjeldatud, mille liikumise positsioneerimine, kiudude poolimine ja mähkimine on koordineeritud ja programmeeritud kahe või enama telje suunas, mis on spetsiaalselt määratud komposiitstruktuuride või laminaatide tootmiseks fiiber- või filamentaarmaterjalidest ning võimaldavad 75 mm kuni 400 mm diameetriga ja 600 mm pikkusega silindriliste rootorite poolimist 1B225 [N] Elektrolüüsikambrid fluori tootmiseks, mille tootmisvõimsus on enam kui 250 g fluori tunnis. 1B226 [N] Elektromagnetilised isotoopseparaatorid, mis on varustatud ühe või mitme ioonide allikaga, võimaldades maksimaalset ioonkiirte voolu tugevusega 50 mA või enam. 1B227 [N] Ammoniaagi sünteesikonverterid või ammoniaagi sünteesiüksused, milles sünteesigaas (lämmastik ja vesinik) eemaldatakse ammoniaak/vesinik kõrgsurvevahetuskolonnist ja sünteesitud ammoniaak suunatakse tagasi kolonni. 1B228 [N] Vesiniku krüogeendestillatsiooni kolonnid, millel on kõik järgnevad tehnilised omadused: a. Määratud tööülesannete täitmiseks sisetemperatuuril 35 K (­238 oC) või madalamal b. Määratud tööülesannete täitmiseks siserõhul 0,5 MPa kuni 5 MPa (5 atm kuni 50 atm) c. Valmistatud väikese süsinikusisaldusega peeneteralisest roostevabaterasest või muust materjalist, mis talub krüogeenset protsessi ja manulust H2 keskkonnas ja d. Sisediameetriga 1 m või enam, efektiivpikkusega 5 m või enam. 1B229 [N] Vesi-vesiniksulfiidi vahetussüsteemi taldrikkolonnid diameetriga 1,8 m või enam, mis on valmistatud peensüsinikterasest ja määratud tööülesannete täitmiseks nominaalrõhul 2 MPa või enam ning nende tarbeks mõeldud sisekontaktorid. Märkused: 1. Punkt 1B229 hõlmab kolonne, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks raske vee tootmisel 2. Punktis 1B229 kirjeldatud kolonnide sisekontaktoriteks on segmenditud taldrikud efektiivdiameetriga 1,8 m või enam, mis on valmistatud korrosioonikindlatest materjalidest (roostevabateras, süsinikusisaldusega 0,03% või vähem). 1B230 [N] Pumbad, mis tsirkuleerivad lahjendatud või kontsentreeritud kaaliumamiidi katalüsaatorlahuseid vedelas ammoniaagis (KNH2/NH3) ja millel on kõik järgnevad tehnilised omadused: a. Õhutihedad (hermeetiliselt suletud) b. Määratud kontsentreeritud kaaliumamiidilahuste (üle 1%-lise kontsentratsiooniga) tsirkuleerimiseks töörõhul 1,5 MPa kuni 60 MPa (15 atm kuni 600 atm) ja lahjendatud kaaliumamiidilahuste (alla 1%-lise kontsentratsiooniga) tsirkuleerimiseks töörõhul 20 MPa kuni 60 MPa (200 atm kuni 600 atm) ja c. Tootlikkusega 8,5 m3/h või enam. 1B231 [N] Süsteemid, jaamad või seadmed triitiumi tootmiseks: a. Süsteemid või jaamad triitiumi tootmiseks, taastamiseks, ekstraheerimiseks, kontsentreerimiseks või käsitsemiseks b. Seadmed või jaamad triitiumi tootmiseks: 1. Vesiniku- või heeliumijahutusüksused, külmatootlusega 23 K (-250 oC) või madalam ning soojuse eraldamise võimsusega 150 W või enam või 2. Vesiniku isotoopide kogumis- ja puhastussüsteemid, mis kasutavad metallhüdriide vesiniku isotoopide kogumise ja puhastamise keskkonnana. 1B232 [N] Turboekspandrid või turboekspander-kompressorid, mis on määratud tööülesannete täitmiseks temperatuuril alla 35 K (-238 oC), mille vesinikgaasi tootlikkus on 1000 kg/h või enam. 1B233 [N] Süsteemid, jaamad või seadmed liitiumi isotoopide eraldamiseks: a. Süsteemid või jaamad liitiumi isotoopide eraldamiseks b. Seadmed liitiumi isotoopide eraldamiseks: 1. Vedelik-vedelik vahetuskolonnid, mis on spetsiaalselt määratud liitiumamalgaamidele 2. Elavhõbe- ja/või liitiumamalgaami pumbad 3. Liitiumamalgaami elektrolüüsikambrid 4. Aurustid kontsentreeritud liitiumhüdroksiidi lahustamiseks. 1B915 [M] Varustus ja seadmed punktides ML10.a.1, ML10.a.2, ML10.a.3, ML10.a.5, ML10.a.6, ML10.a.7, ML10.a.18, ML10.a.19, ML10.a.20, ML10.d, ML10.e.10, ML10.e.11, ML10.e.18, ML10.e.22, ML10.e.29, ML10.e.32, ML10.e.39 või ML10.e.41 kirjeldatud kaupade tootmiseks, käitlemiseks ja kontrolliks. 1C Materjalid Tehniline märkus: Sõnade «metall» ja «sulam» alla kuuluvad järgnevad töötlemata ja pooltöödeldud metallide ja sulamite vormid: Töötlemata vormid: kangid, latid, pallid, blokid, brikett, anoodid, katoodid, kristallid, graanulid, kamakad, kuubikud, kuulikesed, haavlid, plaadid. Pooltöödeldud vormid: a. Sepistatud või töödeldud (rullitud, venitatud, pressitud jne.) materjalid: plaadid, lehed, pulbrid, helbed, vardad, kettad, torud jne b. Valumaterjalid, mis on vormitud valuvormidega või matriitsidega ning pulbermetallurgia produktid. 1C001 [M] [LC] Materjalid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks kui elektromagnetiliste lainete absorbeerijad, või omajuhtivad polümeerid: a. Materjalid, mis absorbeerivad sagedusi vahemikus 2×108 Hz kuni 3×1012 Hz b. Materjalid, mis absorbeerivad sagedusi vahemikus 1,5×1014 Hz kuni 3,7×1014 Hz ega ole läbipaistvad nähtavale valgusele c. Omajuhtivusega polümeersed materjalid, mille elektriline juhtivus ületab 10 000 S/m (siemensit meetri kohta) või pinnatakistus on väiksem kui 100 oomi/ruudus, mis baseeruvad ükskõik millisele järgnevale polümeerile: 1. Polüaniliin 2. Polüpürrool 3. Polütiofeen 4. Polüfenüleen-vinüleen või 5. Polütienüleen-vinüleen. 1C002 [W] Metallisulamid, pulbrid metallisulamitest ja legeeritud materjalid: a. Metallisulamid: 1. Sulamid nikli või titaani baasil, aluminiidide vormis, töötlemata või pooltöödeldud kujul: a. Nikkelaluminiidid, mis sisaldavad vähemalt 15% (kaalu järgi), kuid mitte enam kui 38% (kaalu järgi) alumiiniumi ja vähemalt ühte muud legeerelementi b. Titaanaluminiidid, mis sisaldavad 10% (kaalu järgi) või enam alumiiniumi ja vähemalt ühte muud legeerelementi. 2. Metallisulamid, mis on valmistatud punktis 1C002.b kirjeldatud metallidest või metallisulamite pulbritest: a. Niklisulamid: 1. Purunemistsükliga 10 000 tundi või enam, paindepingel 676 MPa ja temperatuuril 923 K (+650 oC) või 2. Madaltsüklilise väsimusega 10 000 tsüklit või enam, maksimaalsel paindepingel 1095 MPa ja temperatuuril 823 K (+550 oC). b. Nioobiumisulamid: 1. Purunemistsükliga 10 000 tundi või enam, paindepingel 400 MPa ja temperatuuril 1073 K (+800 oC) või 2. Madaltsüklilise väsimusega 10 000 tsüklit või enam, maksimaalsel paindepingel 700 MPa ja temperatuuril 973 K (+700 oC). c. Titaanisulamid: 1. Purunemistsükliga 10 000 tundi või enam, paindepingel 200 MPa ja temperatuuril 723 K (+450 oC) või 2. Madaltsüklilise väsimusega 10 000 tsüklit või enam, maksimaalsel paindepingel 200 MPa ja temperatuuril 723 K (+450 oC). d. Alumiiniumisulamid: 1. Tõmbetugevusele 240 MPa või enam, temperatuuril 473 K (+200 oC) 2. Tõmbetugevusele 415 MPa või enam, temperatuuril 298 K (+25 oC). e. Magneesiumisulamid tõmbetugevusele 345 MPa või enam, korrosioonimääraga vähem kui 1 mm/aastas 3%-lises naatriumkloriidi vesilahuses mõõdetuna ASTM (American Society for Testing and Materials) standardi G-31 järgi. Märkus: Punktis 1C002.a kirjeldatud metallide sulamid kuuluvad kontrollitavate materjalide alla ainult sel juhul, kui määratud metalli protsentuaalne osa (kaalu järgi) sulamis on suurem kui ükskõik millise teise sulamis leiduva elemendi osa. b. Metallid või metallisulamite pulbrid punktis 1C002.a kirjeldatud metallide valmistamiseks: 1. Pulbrid metallisulamitest, mis on valmistatud järgnevatest ühendikombinatsioonidest: Tehniline märkus: X väljendab järgnevates ühendikombinatsioonides ühte või enamat sulami elementi. a. Niklisulamid (Ni-Al-X, Ni-X-Al), mis on määratud turbiinmootorite osade või komponentide valmistamiseks b. Nioobiumisulamid (Nb-Al-X või Nb-X-Al, Ni-Si-X või Nb-X-Si, Nb-Ti-X või Nb-X-Ti) c. Titaanisulamid (Ti-Al-X või Ti-X-Al) d. Alumiiniumisulamid (Al-Mg-X või Al-X-Mg, Al-Zn-X või Al-X-Zn, Al-Fe-X või Al-X-Fe) või e. Magneesiumisulamid (Mg-Al-X või Mg-X-Al). 2. Valmistatud kontrollitavas keskkonnas, ükskõik millises järgnevas protsessis: a. Vaakumpulverisatsioon b. Gaaspulverisatsioon c. Rotatsioonpulverisatsioon d. Sulandi koolutamine ja peenestamine e. Sulandi ekstraheerimine ja peenestamine f. Mehaaniline legeerimine. c. Legeeritud materjalid mittepeenestatud vormis helveste, ribade või kangide kujul, mis on valmistatud kontrollitud keskkonnas sulandite koolutamise ja ekstraheerimise teel ning on mõeldud kasutamiseks punktis 1C002.b kirjeldatud metallipulbrite või materjalide tootmiseks. 1C003 [W] Magnetilised metallid, igat tüüpi ja ükskõik mis kujul, millel on järgmised tunnused: a. Suhtelise algläbitavusega 120 000 või enam ja paksusega 0,05 mm või vähem. Tehniline märkus: Suhtelise algläbitavuse mõõtmine peab olema teostatud täielikult lõõmutatud materjalidel. b. Magnetostriktsioonsulamid, millel on järgmised tunnused: 1. Küllastusmagnetostriktsiooniga enam kui 5×10-4 või 2. Magnetomehaanilise sidestusteguriga enam kui 0,8 või c. Amorfsed või nanokristallilised sulamiliistakud, millel on järgmised tunnused: 1. Kompositsioon, mis sisaldab vähemalt 75% (kaalu järgi) rauda, koobaltit või niklit 2. Küllastusmagnetilise induktsiooniga (Bs) 1,6 T või enam ja 3. Ükskõik milline järgnev omadus: a. Liistaku paksus 0,02 mm või vähem või b. Eritakistus 2×10-4 oomi × cm või enam. 1C004 [W] Raua, nikli või vase baasil uraantitaan- või volframisulamid, mils omavad kõike järgnevat: a. Tihedusega enam kui 17,5 g/cm3 b. Elastsuspiiriga enam kui 880 MPa c. Tõmbetugevusega 1270 MPa või enam ja d. Venivusega 8% või enam. 1C005 [W] Ülijuhtivad komposiitjuhtmed, pikkusega üle 100 m või massiga üle 100 g: a. Mitme elementaarkiuga ülijuhtivad komposiitjuhtmed, mis sisaldavad üht või enamat nioobium-titaani elementaarkiudu: 1. Maatriksi sisseehitatud, muud kui vask- või vase baasil segamaatriksid või 2. Ristlõige vähem kui 0,28×10-4 mm2 b. Ülijuhtivad komposiitjuhtmed, mis koosnevad ühest või enamast ülijuhtivast elementaarkiust, muud kui nioobium-titaani elementaarkiud ning millel on kõik järgnevad omadused: 1. «Kriitiline temperatuur» magnetilise induktsiooni puudumise korral ületab 9,85 K (-263,31 oC), kuid on madalam kui 24 K (-249,16 oC) 2. Ristlõige vähem kui 0,28×10-4 mm2 ja 3. Temperatuuril 4,2 K (-268,96 oC) säilitab magnetvälja asetatuna ülijuhtiva oleku juhul, kui magnetvälja magnetilise induktsiooni tugevus vastab 12 T-le. Märkus: Punktis 1C005 käsitletakse «kriitilist temperatuuri» temperatuurina, mille juures mingi spetsiifiline ülijuhtiv materjal kaotab täielikult oma elektrilise takistuse. 1C006 [W] Määrdevedelikud ja -materjalid: a. Hüdraulilised vedelikud, mis sisaldavad oluliste koostisosadena ükskõik millist järgnevat segu või materjali: 1. Sünteetilised silasüsivesinikõlid, millel on kõik järgnevad omadused: a. Leekpunkt ületab 477 K (+204 oC) b. Hangumistemperatuur 239 K (-34 oC) või madalam c. Viskoossuse näitaja 75 või suurem ja d. Termilise stabiilsusega temperatuuril 616 K (+343 oC) või 2. Kloorfluorsüsinik, millel on kõik järgnevad omadused: a. Ei oma leekpunkti b. Autogeenne süttimistemperatuur ületab 977 K (+704 oC) c. Hangumistemperatuur 219 K (-54 oC) või madalam d. Viskoossuse näitaja 80 või suurem ja e. Keemispunkt temperatuuril 473 K (+200 oC) või kõrgem b. Määrdematerjalid, mis sisaldavad oluliste koostisosadena ükskõik millist järgnevat segu või materjali: 1. Fenüleen- ja alküülfenüleeneetrid või tioeetrid, nende segud, mis sisaldavad enam kui kahte eetri või tioeetri funktsiooni või nende segusid või 2. Fluoritud silikoonvedelikud, mille kinemaatiline viskoossus on temperatuuril 298 K (+25 oC) väiksem kui 5000 mm2/s c. Lagundamis- ja flotatsioonivedelikud, mille puhtus ületab 99,8% ning mis sisaldavad vähemalt 85% ulatuses ükskõik millist järgnevat ühendit või materjali: 1. Dibromotetrafluoroetaan 2. Polüklorotrifluoroetüleen või 3. Polübromotrifluoroetüleen. d. Fluoroorgaanilistest ühenditest elektronjahutusvedelikud, millel on kõik järgnevad omadused: 1. Sisaldavad 85% (kaalu järgi) või enam ükskõik millist järgnevat: a. Perfluoropolüalküüleeter-triasiinide või perfluoroalifaatsete eetrite monomeersed vormid b. Perfluoroalküülamiinid c. Perfluorotsükloalkaanid või d. Perfluoroalkaanid. 2. Tihedusega 1,5 g/ml või enam, mõõdetuna temperatuuril 298 K (+25 oC) 3. Sisaldab 60% (kaalu järgi) või enam fluori. 1C007 [W] [M] Materjalid keraamika baasil, mittekomposiitsed keraamilised materjalid, keraamilised maatrikskomposiitmaterjalid ja nende lähtematerjalid: a. Titaani liht- või kompleksboriidide baasmaterjalid, mille metalliliste lisandite hulk (välja arvatud kavatsetult lisatud lisandid) on väiksem kui 5 miljondikosa (ppm ­ parts per million) ning osakeste keskmine suurus ei ületa 5 µm ja mitte enama kui 10% osakeste suurus ei ületa 10 µm b. Mittekomposiitsed keraamilised materjalid töötlemata või pooltöödeldud kujul, mis koosnevad titaanboriididest tihedusega 98% või enam teoreetilisest tihedusest c. Keraamika-keraamika komposiitmaterjalid klaas- või oksiidmaatriksiga, mis on armeeritud ükskõik millistest järgnevatest süsteemidest valmistatud kiududega, mille «eritõmbetugevus» ületab 12,7×103 m: 1. Si-N 2. Si-C 3. Si-Al-O-N või 4. Si-O-N. d. Keraamika-keraamika komposiitmaterjalid, pideva metallfaasiga või mitte, mis liidavad osakesi, karvu või kiude, milles räni, tsirkooniumi või boori karbiidid või nitriidid moodustavad maatriksi e. Lähtematerjalid (näit. spetsiifilised polümeersed või metallorgaanilised materjalid) punktis 1C007.c kirjeldatud materjalide mõne faasi või faaside tootmiseks: 1. Polüdiorganosilaanid (ränikarbiidi tootmiseks) 2. Polüsilatsaanid (räninitriidi tootmiseks) 3. Polükarbosilatsaanid (ränikeraamika, süsiniku ja lämmastiku komponentide tootmiseks) f. Keraamika-keraamika komposiitmaterjalid oksiid- või klaasmaatriksiga, mis on armeeritud ükskõik milliste järgnevatest süsteemidest saadud pidevkiududega: 1. Al2O3 või 2. Si-C-N. 1C008 [W] Mittefluoritud polümeersed ained: a. 1. Bismaleimiidid 2. Aromaatsed polüamiid-imiidid 3. Aromaatsed polüimiidid 4. Aromaatsed polüeeterimiidid, mille klaasistumistemperatuur ületab 513 K (+240 oC) b. Termoplastsed vedelkristallkopolümeerid, mille distortsioonitemperatuur ületab 523 K (+250 oC) ja mis koosnevad: 1. Ükskõik millest järgnevast: a. Fenüleen, bifenüleen või naftaleen või b. Metüül, tertsiaarbutüül, bifenüleen või naftaleen ja 2. Ükskõik millisest järgnevaist hapetest: a. Tereftaalhape b. 6-hüdroksüül-2 naftohape või c. 4-hüdroksüülbenseenkarboksüülhape c. Polüarüleeneeterketoonid: 1. Polüeetereeterketoon (PEEK) 2. Polüeeterketoonketoon (PEKK) 3. Polüeeterketoon (PEK) 4. Polüeeterketooneeterketoonketoon (PEKEKK) d. Polüarüleenketoonid e. Polüarüleensulfiidid, mille arüleeni grupp on bifenüleen, trifenüleen või nende kombinatsioon f. Polübifenüleentersulfoon. 1C009 [W] Töötlemata fluoritud ühendid: a. Vinülideenfluoriidi kopolümeerid, mis omavad enam kui 75% ulatuses beetakristallilist struktuuri b. Fluoritud polüimiidid, mis sisaldavad 10% (kaalu järgi) või enam seotud fluori c. Fluoritud fosfatseenelastomeerid, mis sisaldavad 30% (kaalu järgi) või enam seotud fluori. 1C010 [W] Fiiber- või filamentaarmaterjalid, mida võidakse kasutada orgaaniliste, metalliliste või süsinikmaatriksite komposiitstruktuurides või laminaatides: [N] a. Orgaanilised fiiber- või filamentaarmaterjalid, millel on kõik järgnevad omadused: 1. «Erimoodul» ületab 12,7×106 m ja 2. «Eritõmbetugevus» ületab 23,5×104 m. Märkus: Punkt 1C010.a ei hõlma polüetüleeni. [N] b. Süsinikfiiber- või -filamentaarmaterjalid, millel on kõik järgnevad omadused: 1. «Erimoodul» ületab 12,7×106 m ja 2. «Eritõmbetugevus» ületab 23,5×104 m. c. Anorgaanilised fiiber- või filamentaarmaterjalid, millel on kõik järgnevad omadused: 1. «Erimoodul» ületab 12,7×106 m ja 2. Sulamis-, pehmenemis-, lagunemis- või sublimatsioonipunkt ületab inertses keskkonnas 1922 K (+1649 oC). d. Fiiber- või filamentaarmaterjalid: 1. Koosnevad ükskõik millisest järgnevast: a. Punktis 1C008.a kirjeldatud polüeeterimiididest või b. Punktides 1C008.b kuni 1C008.f kirjeldatud materjalidest või 2. Koosnevad punktides 1C010.d.1.a või 1C010.d.1.b kirjeldatud materjalidest, mis on segatud muude, punktides 1C010.a, 1C010.b või 1C010.c kirjeldatud kiududega. [N] e. Vaigu või pigiga impregneeritud kiud (fiiberkompositsioonid) ja metalli või süsinikuga kaetud kiud: 1. Valmistatud punktides 1C010.a, 1C010.b või 1C010.c kirjeldatud fiiber- või filamentaarmaterjalidest [M] 2. Valmistatud orgaanilistest või süsinikust fiiber- või filamentaarmaterjalidest: a. «Eritõmbetugevusega» üle 17,7×104 m b. «Erimooduliga» üle 10,15×106 m c. Punktides 1C008 või 1C009.b kirjeldatud materjalidega immutatuse korral ületab klaasistumistemperatuur (Tg) 383 K (+110 oC). 1C011 [W] [M] Metallid ja ühendid: a. Metallid, mille osakeste suurus ei ületa 60 µm, mis on valmistatud materjalidest, mis koosnevad 99% või suuremas ulatuses magneesiumist, tsirkooniumist või nende sulamitest b. Boor või boorkarbiid puhtusega 85% või enam, mille osakeste suurus ei ületa 60 µm c. Guanidiinnitraat. 1C012 [W] Tuumasoojusallikate materjalid: a. Plutoonium igas vormis, kõik tema isotoobid, sulamid ja segud b. Neptuunium-237 igas vormis. Märkus: Punkt 1C012 ei hõlma saadetisi, milles plutooniumi või tema vormide ja neptuunium-237 või tema vormide sisaldus on väiksem kui 1 gramm. 1C101 [M] Terviklikes raketisüsteemides ja nende alamsüsteemides kasutatavad materjalid ja seadmed, muud kui punktis 1C001 kirjeldatud, radarikiirguse peegeldamise vähendamiseks, samuti rakettidest ja nende osadest kiirguva heli, ultraviolett- ja infrapunase kiirguse vähendamiseks. 1C107 Grafiit ja keraamilised materjalid, muud kui punktis 1C007 kirjeldatud: [M] a. Peeneteraline rekristalliseeritud grafiit, puistetihedusega 1,72 g/cm3 või enam, mõõdetud temperatuuril 288 K (+15 oC), mille osakeste suurus on 100 µm või vähem, pürolüütiline või kiudarmeeritud grafiit, mis on kasutatav raketidüüside ja atmosfääri taassisenevate lennuaparaatide teravike (raketiotste) valmistamisel [M] b. Keraamilised komposiitmaterjalid (sagedusvahemikus 100 Hz kuni 10 000 MHz on suhtelise dielektrilise läbitavuse konstant väiksem kui 6), mis on kasutatavad radoomides ja raketiotste valmistamisel. 1C111 [M] Raketikütused ja raketikütuste olulised koostisosad, muud kui punktis 1C011 kirjeldatud: a. Tõukeained: 1. Sfääriline alumiiniumipulber, mille osakeste diameeter on väiksem kui 500 µm ja alumiiniumisisaldus (kaalu järgi) 97% või enam 2. Metallist põletusained, sfäärilised, pihustatud, helveste kujulised või kerajad, mille osakeste suurus on väiksem kui 500 µm ja mis sisaldavad 97% (kaalu järgi) või enam ükskõik millist järgnevat elementi: a. Tsirkoonium b. Berüllium c. Boor d. Magneesium või e. Punktides 1C111.a.2.a kuni 1C111.a.2.d kirjeldatud metallide sulamid. 3. Vedeloksüdandid: a. Dilämmastiktrioksiid b. Lämmastikdioksiid/dilämmastiktetroksiid c. Dilämmastikpentoksiid. b. Polümeersed ained: 1. Karboksü-termineeritud polübutadieen (CTPB) 2. Hüdroksüül-termineeritud polübutadieen (HTPB) 3. Polübutadieen-akrüülhape (PBAA) 4. Polübutadieen-akrüülhape-akrüülnitriil (PBAN) c. Muud raketikütuse lisandid ja tegurid: 1. Butatseen 2. Trietüleenglükooldinitraat (TEGDN) 3. 2-nitrodifenüülamiin 4. Trimetüüloletaantrinitraat (TMETN) 5. Dietüleenglükooldinitraat (DEGDN). 1C116 [N] [M] Martensiitterased (terased, mida reeglina iseloomustab kõrge nikli ja väga madal süsiniku osakaal ning asenduselementide ja pretsipitaatide kasutamine vanandamise eesmärgil) lehtede, plaatide ja torude kujul, mille paksus ei ületa 5 mm ning maksimaalne tõmbetugevus vastab 1500 MPa-le temperatuuril 293 K (+20 oC). 1C117 [M] Volfram, molübdeen ja nende sulamid sfääriliste või pihustatud osakeste kujul, mille osakeste diameeter ei ületa 500 µm, puhtusastmega 97% või enam, mis on määratud raketimootorite komponentide valmistamiseks. 1C202 [N] Sulamid, muud kui punktides 1C002.a.2.c või 1C002.a.2.d kirjeldatud: a. Alumiiniumisulamist torud või silindrid välisdiameetriga enam kui 75 mm, mille maksimaalne tõmbetugevus vastab 460 MPa-le või enam, temperatuuril 293 K (20 oC) b. Titaanisulamist torud või silindrid välisdiameetriga enam kui 75 mm, mille maksimaalne tõmbetugevus vastab 900 MPa-le (9×10 N/m2) või enam, temperatuuril 293 K (20 oC). 1C210 [N] Fiiber- või filamentaarmaterjalid, muud kui punktides 1C010.a, 1C010.b või 1C010.e kirjeldatud: a. Süsinikust või aramiidist fiiber- või filamentaarmaterjalid «erimooduliga» 12,7×106 m ja enam, või «eritõmbetugevusega» 235×103 m ja enam Märkus: Punkt 1C210.a ei hõlma aramiidist fiiber- ja filamentaarmaterjale, mis sisaldavad 0,25% või enam (kaalu järgi) estrile baseeruvat kiu pinna modifikaatorit. [N] b. Klaasfiiber või -filamentaarmaterjalid, «erimooduliga» 3,18×106 m või enam, ja «eritõmbetugevusega» 76,2×103 m või enam või c. Temperatuurikindla vaiguga impregneeritud katkematud/pikad/pidevad «lõngad», «paelad», «koelõngad» ja «takk», mille laius ei ületa 15 mm ja mis on valmistatud punktides 1C210.a või 1C210.b kirjeldatud süsinik- või klaasfiiber- ja -filamentaarmaterjalidest. 1C216 [N] Martensiitteras, muud kui punktis 1C116 kirjeldatud, mille maksimaalne tõmbetugevus vastab 2050 MPa-le temperatuuril 293 K (20 oC). Märkus: Punkt 1C216 ei hõlma vorme (detailid), mille ükski lineaarmõõde ei ületa 75 mm. 1C225 [N] Boor, boorisegud ja -ühendid, milles boor-10 isotoopide sisaldus on suurem kui 20% (kaalu järgi). 1C226 [N] Volfram, volframisulamitest või volframkarbiidist valmistatud silindrid või silindrite segmendid, puhtusastmega 90% (kaalu järgi) või enam, kogumassiga enam kui 20 kg, sisediameetriga enam kui 100 mm, kuid vähem kui 300 mm. 1C227 [N] Kaltsium (kõrge puhtusega), mis sisaldab vähem kui 1000 osa miljonist (kaalu järgi) metallilisi lisandeid, muud kui magneesium, ja vähem kui 10 osa miljonist boori. 1C228 [N] Magneesium (kõrge puhtusega), mis sisaldab vähem kui 200 osa miljonist (kaalu järgi) metallilisi lisandeid ja vähem kui 10 osa miljonist boori. 1C229 [N] Vismut, puhtusastmega 99,99% või enam, mille hõbedasisaldus on väiksem kui 10 osa miljonist. 1C230 [N] Berülliumi metall, sulamid, segud ja tooted nendest ning jäätmed, mis sisaldavad 50% või enam berülliumi (kaalu järgi), Märkus: Punkt 1C230 ei hõlma järgnevat: a. Berülliumi metallist aknad röntgenikiirguse masinatele b. Berüll smaragdide või akvamariini kujul c. Berüllium oksiidide või poolfabrikaatide kujul, mis on spetsiaalselt määratud elektrooniliste komponentide tootmiseks. 1C231 [N] Hafniumi metall, sulamid, segud ja tooted nendest, mis sisaldavad 60% või enam (kaalu järgi) hafniumi. 1C232 [N] Heelium-3 või heelium, mis on rikastatud heelium-3 suhtes, segud ja ühendid, mis sisaldavad heeliumi ning on rikastatud heelium-3 suhtes, seadmed ning komponendid, mis sisaldavad eelnevalt kirjeldatud segusid ja ühendeid. Märkus: Punkt 1C232 ei hõlma kaupasid ja seadmeid, mis sisaldavad vähem kui 1 g heelium-3'e. 1C233 [N] Liitium, mis on rikastatud Li-6 suhtes (s.t sisaldab rohkem kui 7,5% Li-6 aatomite arvu järgi), sulamid, segud ja ühendid, mis sisaldavad liitiumi ning on rikastatud Li-6 suhtes, seadmed ning komponendid, mis sisaldavad eelnevalt kirjeldatud sulameid, segusid ja ühendeid. Märkus: Punkt 1C233 ei hõlma termoluminesentsdosimeetreid. 1C234 [N] Tsirkoonium, milles hafniumi osa on väiksem kui 1 osa hafniumi 500 osa tsirkooniumi kohta (kaalu järgi), kaasa arvatud tsirkooniumi metall, sulamid, nendest valmistatud tooted ja ühendid, mis sisaldavad enam kui 50% (kaalu järgi) tsirkooniumi. Märkus: Punkt 1C234 ei hõlma tsirkooniumi fooliumi kujul, mille paksus ei ületa 0,1 mm. 1C235 [N] Triitium, triitiumiühendid, triitiumi sisaldavad segud, kaubad ja seadmed, milles triitiumi aatomite proportsioon vesiniku aatomite suhtes on suurem kui 1:1000. Märkus: Punkt 1C235 ei hõlma kaupu ega seadmeid, milles sisalduv triitium ei ületa 1,48×103 GBq (40 Ci). 1C236 [N] Alfaosakesi eritavad radionukliidid, mille alfaosakeste poolestusaeg on 10 päeva või enam, aga vähem kui 200 aastat, mille maksimaalne alfaaktiivsus on 37 GBq/kg (1 Ci/kg) või enam, samuti segud, ühendid, kaubad ja seadmed, mis sisaldavad eelkirjeldatut. Märkus: Punkt 1C236 ei hõlma kaupu ja seadmeid, mille alfaaktiivsus ei ületa 3,7 GBq (100 milliküriid). 1C237 [N] Raadium-226, kaasa arvatud segud, ühendid, kaubad ja seadmed, mis sisaldavad raadium-226. Märkus: Punkt 1C237 ei hõlma järgnevat: a. Meditsiinilised aplikatsioonid b. Kaubad või seadmed, milles sisalduva raadium-226 radioaktiivne foon ei ületa 0,37 Gbq (10 milliküriid). 1C238 [N] Kloortrifluoriid (ClF3). 1C239 [N] [LC] Lõhkeained, muud kui sõjaliste kaupade (ML kategooria) all kirjeldatud, mille kristalne tihedus on enam kui 1,8 gm/cm3 ja detonatsioonikiirus enam kui 8000 m/s. 1C240 [N] Niklipulber või poorne (käsn-) nikkel, muud kui punktis 0C006 kirjeldatud: a. Niklipulber puhtusastmega 99,0% (kaalu järgi) või enam ja osakeste suurusega 10 µm või vähem b. Poorne (käsn-) niklipulber toodetuna punktis 1C240.a kirjeldatud materjalist. 1C350 [A] Kemikaalid mida võidakse lähteainetena kasutada mürkkemikaalide valmistamisel: 1. Tiodiglükool [CAS 111-48-8] 2. Fosforoksükloriid [CAS 10025-87-3] 3. Dimetüül-metüülfosfaat [CAS 756-79-6] 4. Metüülfosfonüüldifluoriid [CAS 676-99-3] 5. Metüülfosfonüüldikloriid [CAS 676-97-1] 6. Dimetüülfosfit [CAS 868-85-9] 7. Fosfortrikloriid [CAS 7719-12-2] 8. Trimetüülfosfit [CAS 121-45-9] 9. Tionüülkloriid [CAS 719-09-7] 10. 3-hüdroksü-1-metüülpiperidiin [CAS 3554-74-3] 11. N,N-diisopropüül-ß-aminoetüülkloriid [CAS 96-79-7] 12. N,N-diisopropüül-ß-aminoetaantiool [CAS 5842-07-9] 13. 3-kinoklidinool [CAS 1619-34-7] 14. Kaaliumfluoriid [CAS 7789-23-3] 15. 2-kloroetanool [CAS 107-07-3] 16. Dimetüülamiin [CAS 124-40-3] 17. Dietüül-etüülfosfonaat [CAS 78-38-6] 18. Dietüül-N,N-dimetüülfosforamidaat [CAS 2404-03-7] 19. Dietüülfosfit [CAS 762-04-9] 20. Dimetüülamiin hüdrokloriid [CAS 506-59-2] 21. Etüülfosfinüüldikloriid [CAS 1498-40-4] 22. Etüülfosfonüüldikloriid [CAS 1066-50-8] 23. Etüülfosfonüüldifluoriid [CAS 753-98-0] 24. Vesinikfluoriid [CAS 7664-39-3] 25. Metüülbensilaat [CAS 76-89-1] 26. Metüülfosfinüüldikloriid [CAS 676-83-5] 27. N,N-diisopropüül-ß-aminoetanool [CAS 96-80-0] 28. Pinakolüül alkohol [CAS 464-07-3] 29. O-etüül-2-diisopropüülaminoetüülmet& uuml;ülfosfoniit [CAS 57856-11-8] 30. Trietüülfosfit [CAS 122-52-1] 31. Arseentrikloriid [CAS 7784-34-1] 32. Bensüülhape (2,2-difenüül-2-hüdroksüetaanhape) [CAS 76-93-7] 33. Dietüülmetüülfosfoniit [CAS 15715-41-0] 34. Dimetüületüülfosfonaat [CAS 6163-75-3] 35. Etüülfosfonüüldifluoriid (etüülfosfordifluoriid) [CAS 430-78-4] 36. Metüülfosfinüüldifluoriid (metüülfosfordifluoriid) [CAS 753-59-3] 37. 3-kinoklidoon [CAS 3731-38-2] 38. Fosforpentakloriid [CAS 10026-13-8] 39. Pinakoloon [CAS 75-97-8] 40. Kaaliumtsüaniid [CAS 151-50-8] 41. Kaaliumbifluoriid [CAS 7789-29-9] 42. Ammooniumvesinikfluoriid [CAS 1341-49-7] 43. Naatriumfluoriid [CAS 7681-49-4] 44. Naatriumbifluoriid [CAS 1333-83-1] 45. Naatriumtsüaniid [CAS 143-33-9] 46. Trietanoolamiin [CAS 102-71-6] 47. Fosforpentasulfiid [CAS 1314-80-3] 48. Di-isopropüülamiin [CAS 108-18-9] 49. Dietüülaminoetanool [CAS 100-37-8] 50. Naatriumsulfiid [CAS 1313-82-2] 51. Väävelmonokloriid [CAS 10025-67-9] 52. Vääveldikloriid [CAS 10545-99-0] 53. Trietanoolamiini hüdrokloriid [CAS 637-39-8] 54. N,N-diisopropüül-2-aminoetüülkloriidi hüdrokloriid [CAS 4261-68-1]. 1C351 [A] Inimpatogeenid, toksiinid ja zoonoosid: a. Viirused, kas loomulikud, laiendatud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgnevate kultuuridega: 1. Chikungunya viirus 2. Kongo-Krimmi hemorraagilise palaviku viirus 3. Dengue'i palaviku viirus 4. Hobuste ida entsefalomüeliidi viirus 5. Ebola viirus 6. Hantaan-viirus 7. Junin-viirus 8. Lassa palaviku viirus 9. Lümfotsütaarse koriomeningiidi viirus 10. Machupo viirus 11. Marburgi viirus 12. Ahvide rõugeviirus 13. Rift Valley palaviku viirus 14. Puukentsefaliidi viirus / vene kevadsuvine entsefaliidi viirus 15. Rõugeviirus 16. Hobuste venetsueela entsefalomüeliidi viirus 17. Hobuste lääne entsefalomüeliidi viirus 18. White-pox'i viirus 19. Kollapalaviku viirus 20. Jaapani entsefaliidi viirus b. Riketsiad, kas loomulikud, laiendatud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgnevate kultuuridega: 1. Coxiella burnetii 2. Rickettsia quintana (tuntud kui Rochalimea quintana) 3. Rickettsia provazekii 4. Rickettsia rickettsii c. Bakterid, kas loomulikud, laiendatud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgnevate kultuuridega: 1. Bacillus anthracis 2. Brucella abortus 3. Brucella melitensis 4. Brucella suis 5. Chlamydia psittaci 6. Clostridium botulinum 7. Francisella tularensis 8. Pseudomonas mallei 9. Pseudomonas pseudomallei 10. Salmonella typhi 11. Shigella dysenteriae 12. Vibrio cholerae 13. Yersina pestis d. Toksiinid ja alarühmad: 1. Botulismitoksiin 2. Clostridium perfingens'i toksiin 3. Konotoksiin 4. Ritsiin 5. Saksitoksiin 6. Shigatoksiin 7. Staphylococcus aureus'e toksiin 8. Tetrodotoksiin 9. Verotoksiin 10. Microcystin 11. Aflatoksiinid. 1C352 [A] Loompatogeenid: a. Viirused, kas loomulikud, laiendatud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgnevate kultuuridega: 1. Sigade aafrika palaviku viirus 2. Lindude gripiviirus* 3. Bluetongue'i viirus 4. Suu- ja sõrataudi viirus 5. Kitsede rõugeviirus 6. Herpesviirus/Aujeszky haiguse viirus 7. Sigade punataudi viirus 8. Marutaudiviirus 9. Newcastle`i haiguse viirus 10. Väikeste mäletsejate katku viirus 11. Sigade enteroviirus tüüp 9 12. Veisekatku viirus 13. Lammaste rõugeviirus 14. Tescheni haiguse viirus 15. Vesikulaarstomatiidi viirus b. Mükoplasma mükoidid, kas loomulikud, laiendatud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult idustatud või saastatud nimetatud mükoplasma mükoididega. Märkus:* Hõlmab vaid neid kõrgpatogeenseid lindude gripiviirusi, mis on defineeritud Euroopa Ühenduse direktiiviga 92/40/EC: 1. Tüüp A viirused, mille IVPI (intravenous pathogenicity index) kuue nädala vanustel tibudel on suurem kui 1,2 või 2. Tüüp A viiruste alatüübid H5 või H7, mille sekveneerimine on näidanud mitmete põhiaminohapete olemasolu haemegglutinini lõikekohas. 1C353 [A] Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid: a. Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad patogeensusega seotud nukleiinhappejärjestusi ja pärinevad punktides 1C351, 1C352 või 1C354 loetletud patogeenidest b. Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad patogeensusega seotud nukleiinhappejärjestusi, mis kodeerivad ükskõik milliseid punktis 1C351.d kirjeldatud toksiine või toksiinide alarühmasid. 1C354 [A] Taimpatogeenid: a. Bakterid, kas loomulikud, laiendatud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgnevate kultuuridega: 1. Xanthomonas albilineans 2. Xanthomonas campestris pv. citri b. Seened, kas loomulikud, laiendatud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgnevate kultuuridega: 1. Colletotrichum coffeanum var. virulans 2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae) 3. Microcycolus ulei (sünonüüm: Dothidella ulei) 4. Puccinia graminis (sünonüüm: Puccinia glumarum) 5. Puccinia striiformis (sünonüüm: Puccinia glumarum) 6. Pyricularia grisea / Pyricularia oryzae. 1C450 Keemiarelvade väljatöötamise, tootmise, varumise ja kasutamise keelustamise ning hävitamise konventsiooni (CWC) nimekirjades sätestatud mürkkemikaalid: a. CWC nimekirja 1A kuuluvad mürkkemikaalid: 1. O-alküül(kuni C10 alküülid, sealhulgas ka tsükloalküülid)alküül(metüül, etüül, n-propüül või isopropüül)-fosfonofluoridaat[alküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül)-fluorofosfiinhappe O-alküül(kuni C10 alküülid)estrid] Näit: a. Sariin (GB): O-isopropüül, metüülfosfonofluoridaat (metüülfluorofosfiinhappe O-isopropüülester) [CAS 107-44-8] b. Somaan (GD): O-pinakolüülmetüülfosfonofluoridaat (metüülfluorofosfiinhappe-O-pinakolüülester) [CAS 96-64-0] 2. O-alküül(kuni C10 alküülid, sealhulgas ka tsükloalküülid)-N,N-dialküül(metüül, etüül, n-propüül või isopropüül)fosforamidotsüanidaadid [tsüano-N,N-dialküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül)aminofosfiinhappe-O-alküül(kuni C10 alküül)estrid] Näit. Tabuun (GA): O-etüül-N,N-dimetüülfosforamidotsüanidaat (tsüano-N,N-dimetüülaminofosfiinhappe-O-etüülester) [CAS 77-81-6] 3. O-alküül(H ja alküülid kuni C10, sealhulgas tsükloalküül)-S-2-dialküül(metüül, etüül, n-propüül või isopropüül)aminoetüülalküül(metüül, etüül, n-propüül või isopropüül), fosfonotiolaadid või vastavad alküleeritud või protoneeritud soolad Näit. VX: O-etüül-S-2-diisopropüülaminoetüülmetüülf osfonotiolaat [CAS 50782-69-9] 4. Väävlit sisaldavad «sinepid»: a. 2-kloroetüülklorometüülsulfiid [CAS 2625-76-5] b. Sinepigaas (ipriit): bis(2-kloroetüül)sulfiid [CAS 505-60-2] c. Bis(2-klorometüültio)metaan [CAS 63869-13-6] d. Poolteist-sinepigaas: 1,2-bis(2-kloroetüültio)etaan [CAS 3563-36-8] e. 1,3-bis(2-kloroetüültio)-n-propaan [CAS 63905-10-2] f. 1,4-bis(2-kloroetüültio)-n-butaan [CAS 142868-93-7] g. 1,5-bis(2-kloroetüültio)-n-pentaan [CAS 142868-94-8] h. Bis(2-kloroetüültiometüül)eeter [CAS 63918-90-1] i. O-sinepigaas: bis(2-kloroetüültioetüül)eeter [CAS 63918-89-8] 5. Ljuisiidid: a. 2-klorovinüüldikloroarsiin [CAS 541-25-3] b. Bis(2-klorovinüül)kloroarsiin [CAS 40334-69-8] c. Tris(2-klorovinüül)arsiin [CAS 40334-70-1] 6. Lämmastikku sisaldavad «sinepid»: a. HN1: bis(2-kloroetüül)etüülamiin [CAS 538-07-8] b. HN2: bis(2-kloroetüül)metüülamiin [CAS 51-75-2] c. HN3: tris(2-kloroetüül)amiin [CAS 555-77-1] 7. Saksitoksiin [CAS 35523-89-8] 8. Ritsiin [CAS 9009-86-3] b. CWC nimekirja 1B kuuluvad lähteained: 1. Alküül(metüül, etüül, n-propüül või isopropüül)fosfonüüldifluoriidid Näit. DF: Metüülfosfonüüldifluoriid [CAS 676-99-3] 2. O-alküül(H või alküülid kuni C10, sealhulgas ka tsükloalküülid) O-2-dialküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) aminoetüülalküül(metüül, etüül, n-propüül või isopropüül)fosfoniidid ja vastavad alküleeritud või protoneeritud soolad Näit. QL: O-etüül-2-diisopropüülaminoetüülmetüülfosf oniit [CAS 57856-11-8] 3. Klorosariin: O-isopropüülmetüülfosfonokloridaat (metüülklorofosfiinhappe O-isopropüülester) [CAS 145-76-7] 4. Klorosomaan: O-pinakolüülmetüülfosfonokloridaat (metüülklorofosfiinhappe O-pinakolüülester) [CAS 7040-57-5] c. CWC nimekirja 2A kuuluvad mürkkemikaalid: 1. Amiton: O,O-dietüül-S-[2-(dietüülamino)etüül]fosforotiolaat ja vastavad alküleeritud või protoneeritud soolad [CAS 78-53-5] 2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometüül)-1-propeen [CAS 382-21-8] 3. BZ: 3-kinoklidinüülbensülaat [CAS 6581-06-2] Märkus: Punkt 1C450.c.3 ei hõlma järgnevat: Fenofos: O-etüül-S-fenüül-etüülfosfonotionaat d. CWC nimekirja 2B kuuluvad lähteained: Kemikaalid, välja arvatud punktides 1C450.a või 1C450.b loetletud, mis sisaldavad metüül-, etüül- või propüülrühmaga (normaalne või iso-) seotud ühe fosforiaatomi, kuid mitte enamaid süsinikuaatomeid: 1. Dimetüülmetüülfosfonaat [CAS 676-97-1] 2. Metüülfosfonüüldikloriid [CAS 756-79-6] Märkus: Punktid 1C450.d.1 ja 1C450.d.2 ei hõlma järgnevat: Fonofos: O-etüül-S-fenüül-etüülfosfonotionaat [CAS 944-22-9]. 3. N,N-dialküül(metüül, etüül, n-propüül või isopropüül)fosforamiidi dihalogeniidid 4. Dialküül(metüül, etüül, n-propüül või isopropüül)-N,N-dialküül(metüül, etüül, n-propüül või isopropüül)fosforamidaadid 5. Arseentrikloriid [CAS 7784-34-1] 6. Bensiilhape: (2,2-difenüül-2-hüdroksüäädikhape)(2,2-difenü&uu ml;lglükoolhape) [CAS 76-93-7] 7. 3-kinoklidinool [CAS 1619-34-7] 8. N,N-dialküül(metüül, etüül, n-propüül või isopropüül)aminoetüül-2-kloriidid ja vastavad protoneeritud soolad 9. N,N-dialküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) aminoetaan-2-oolid ja vastavad protoneeritud soolad Märkus: Punkt 1C450.d.9 ei hõlma järgnevat: a. N,N-dimetüülaminoetanol ja vastavad protoneeritud soolad [CAS 108-01-0] b. N,N-dietüülaminoetanool ja vastavad protoneeritud soolad [CAS 100-37-8] 10. N,N-dialküül (metüül, etüül, n-propüül või isopropüül) aminoetaan-2-tioolid ja vastavad protoneeritud soolad 11. Tiodiglükool: bis(2-hüdroksüetüül)sulfiid [CAS 111-48-8] 12. Pinakolüülalkohol: 3,3-dimetüülbutaan-2-ool [CAS 464-07-3] e. CWC nimekirja 3A kuuluvad mürkkemikaalid: 1. Fosgeen: karbonüüldikloriid [CAS 75-44-5] 2. Tsüaankloriid [CAS 506-77-4] 3. Tsüaanvesinik [CAS 74-90-8] 4. Kloropikriin: trikloornitrometaan [CAS 76-06-2] f. CWC nimekirja 3B kuuluvad lähteained: 1. Fosforoksükloriid [CAS 10025-87-3] 2. Fosfortrikloriid [CAS 7719-12-2] 3. Fosforpentakloriid [CAS 10026-36-8] 4. Trimetüülfosfit [CAS 121-45-9] 5. Trietüülfosfit [CAS 122-52-1] 6. Dimetüülfosfit [CAS 868-85-9] 7. Dietüülfosfit [CAS 762-04-9] 8. Väävelmonokloriid [CAS 10025-67-9] 9. Vääveldikloriid [CAS 10545-99-0] 10. Tionüülkloriid [CAS 7719-09-7] 11. Etüüldietanoolamiin [CAS 139-87-7] 12. Metüüldietanoolamiin [CAS 105-59-9] 13. Trietanoolamiin [CAS 102-71-6]. 1C950 [A] Segud ja ühendid, mis sisaldavad punktis 1C350 kirjeldatud kemikaale. Märkus: Punkt 1C950 ei hõlma kontrolli alla kuuluvate kemikaalide segusid ja ühendeid, mis on: 1. Kättesaadavad jaemüügikauplustest ning mõeldud individuaalseks kasutamiseks või tarbimiseks 2. Sisaldavad kemikaale kujul, mis ei võimalda kontrolli alla kuuluvate kemikaalide ennistamist standardprotsesside kaudu. 1C990 [EST] [LC] Radioaktiivsed keemilised elemendid ja radioaktiivsed isotoobid (k.a lõhustuvad ja rikastatavad keemilised elemendid ja isotoobid), nende ühendid, neid sisaldavad segud ja jäägid, mille eriaktiivsuse piirmäärad või summaarsed kogused ületavad väärtusi, millest alates on nende veoks vajalik Eesti Kiirguskeskuse poolt väljastatud kiirgustegevusluba. 1C991 [EST] [LC] Muud lõhkeained ja nendega seotud ained: a. Amatool b. Nitrotselluloos c. Nitroglükool d. Pentaerütritool tetranitraat (PETN) e. Pikrüülkloriid f. Trinitrofenüülmetüülnitramiin (tetrüül) g. 2,4,6-trinitrotolueen. 1D Tarkvara 1D001 [W] [M] [N] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud punktides 1B001 kuni 1B003 kirjeldatud varustuse arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. 1D002 Tarkvara, mis on määratud orgaaniliste- ja metalliliste maatriksite, süsinikmaatrikslaminaatide või komposiitide arendamiseks. 1D101 [M] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks punktis 1B101 kirjeldatud kaupade kasutamisel. 1D103 [M] [LC] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud radarite peegelduvuse, ultraviolett/infrapunase või akustiliste signatuuride analüüsiks. 1D201 [N] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks punktis 1B201 kirjeldatud kaupade kasutamisel. 1E Tehnoloogia 1E001 [M] [N] [A] Tehnoloogia (spetsiifiline informatsioon, mis on vajalik kaupade arendamiseks, tootmiseks ja kasutamiseks, mis võib hõlmata nii tehnilisi andmeid kui ka tehnilist abi) punktides 1A001.b, 1A001.c, 1A002 kuni 1A005, 1B või 1C kirjeldatud varustuse või materjalide arendamiseks ja tootmiseks. 1E002 [W] Muud tehnoloogiad: a. Tehnoloogia polübensotiasoolide või polübensoksasoolide arendamiseks ja tootmiseks b. Tehnoloogia fluoroelastomeeride ühendite, mis sisaldavad vähemalt ühte vinüüleeter monomeeri, arendamiseks ja tootmiseks c. Tehnoloogia järgnevate baasmaterjalide või mittekomposiitsete keraamiliste materjalide tootmiseks: 1. Baasmaterjalid, millel on kõik järgnevad omadused: a. Ükskõik milline järgnevatest kompositsioonidest: 1. Tsirkooniumi liht- või kompleksoksiidid ja räni- või alumiiniumi kompleksoksiidid 2. Boori lihtnitriidid (kristallide kujul) 3. Räni liht- või komplekskarbiidid või 4. Räni liht- või kompleksnitriidid. b. Maksimaalne metalliliste lisandite hulk, välja arvatud spetsiaalselt lisatud manused, on väiksem kui: 1. 1000 miljondikosa (ppm ­ parts per million) lihtoksiidide või karbiidide kohta või 2. 5000 miljondikosa kompleksühendite või lihtnitriidide kohta ja c. Ükskõik milline järgnev: 1. Keskmise osakeste suurusega 5 µm või vähem, kusjuures mitte enam kui 10% osakestest ei ole suuremad kui 10 µm või 2. Omavad kõike järgnevat: a. Liistakud, mille pikkuse ja paksuse suhe ületab 5 b. Kiud, mille pikkuse ja diameetri suhe ületab 10, diameetritele, mis on väiksemad kui 2 µm ja c. Pidev või tükeldatud kiud, mille diameeter on väiksem kui 10 µm. 2. Mittekomposiitsed keraamilised materjalid, mis on valmistatud punktis 1E002.c.1 kirjeldatud materjalidest d. Tehnoloogia aromaatsete polüamiidkiudude tootmiseks. e. Tehnoloogia punktis 1C001 kirjeldatud materjalide installeerimiseks, hooldamiseks või parandamiseks. f. Tehnoloogia punktides 1A002, 1C007.c või 1C007.d kirjeldatud komposiitstruktuuride, laminaatide või materjalide parandamiseks. Märkus: Punkt 1E002.f ei hõlma tehnoloogiat, mis on vajalik tsiviillennukite plaanerite remondiks, kasutades ränifiiber- või filamentaarmaterjale. 1E101 [M] Tehnoloogia punktides 1A102, 1B001, 1B101, 1B115, 1B116, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 kuni 1C117, 1D101 või 1D103 kirjeldatud kaupade kasutamiseks. 1E102 [M] [N] Tehnoloogia punktides 1D001, 1D101 või 1D103 kirjeldatud tarkvara arendamiseks. 1E103 [M] Tehnoloogia temperatuuri, rõhu või atmosfääri reguleerimiseks autoklaavides või hüdroklaavides komposiitide või osaliselt töödeldud komposiitide tootmisel. 1E104 [M] Tehnoloogia pürolüütiliselt tuletatud materjalide tootmiseks lähtegaasidest, mis lagunevad temperatuurivahemikus 1573 K (+1300 oC) kuni 3173 K (+2900 oC), rõhkudel 130 Pa kuni 20 kPa. 1E201 [N] Tehnoloogia punktides 1A002, 1A202, 1A225 kuni 1A227, 1B201, 1B225 kuni 1B233, 1C002.a.2.c või 1C002.a.2.d, 1C010.b, 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 kuni 1C240 või 1D210 kirjeldatud kaupade kasutamiseks. 1E202 [N] Tehnoloogia punktides 1A202 või 1A225 kuni 1A227 kirjeldatud kaupade arendamiseks või tootmiseks. 1E203 [N] Tehnoloogia punktis 1D201 kirjeldatud tarkvara arendamiseks. 1E915 [M] Tehnoloogia punktis 1B915 kirjeldatud varustuse arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. 1E915 [M] Tehnoloogia punktis 1C950 kirjeldatud varustuse arendamiseks ja tootmiseks. 2. kategooria: Materjalide töötlemine Kategooria tähis ja number Nimetus 2A Süsteemid, varustus ja komponendid 2A001 [W] Antifriktsioonliugelaagrid ja -laagerdussüsteemid ning komponendid nende tarbeks: Märkus: Punkt 2A001 ei hõlma kuule, mille tootja poolt määratud tolerantsid vastavalt ISO 3290 standardile vastavad täpsusklassile 5 või halvemad. a. Kuullaagrid või tervikrull-laagrid (v.a koonusrull-laagrid), mille tolerantsid kooskõlas Annular Bearing Engineers Commitee poolt kehtestatud standarditega vastavad täpsusklassidele ABEC 7, ABEC 7P, ABEC 7T või vastavad ISO poolt kehtestatud standardite järgi täpsusklassile 4 või paremad, mille kuulid või rullid on valmistatud berülliumist või monelmetallist b. Muud kuullaagrid või tervikrull-laagrid (v.a koonusrull-laagrid), mille tolerantsid kooskõlas Annular Bearing Engineers Commitee poolt kehtestatud standarditega vastavad täpsusklassidele ABEC 9, ABEC 9P või ISO poolt kehtestatud standardite järgi täpsusklassile 2 või paremad. c. Magnetlaagerdussüsteemid, mis on valmistatud materjalidest, mille fluktuatsioonitihedus on suurem/võrdne 2,0 T ja lõpptugevus (mehaaniline vastupidavus) ületab 414 Pa. 2A225 [N] Tiiglid (metallisulatusnõud), mis on valmistatud vedelate aktiniidide kindlatest materjalidest: a. Tiiglid, mahutavusega 150 ml kuni 8 liitrit, mis on valmistatud või kaetud ükskõik milliste järgnevate materjalidega, mille puhtuseaste on 98% või enam: 1. Kaltsiumfluoriid (CaF2) 2. Kaltsiumtsirkonaat (Ca2ZrO3) 3. Tseeriumsulfiid (Ce2S3) 4. Erbiumoksiid (Er2O3) 5. Hafniumoksiid (HfO2) 6. Magneesiumoksiid (MgO) 7. Nitriiditud nioobiumi-titaani-volframi sulam, milles on ligikaudu 50% Nb, 30% Ti ja 20% W 8. Tsirkooniumoksiid (ZrO2) 9. Ütriumoksiid (Y2O3). b. Tiiglid, mahutavusega 50 ml kuni 2 liitrit, mis on valmistatud või kaetud tantaaliga, mille puhtuseaste on 99,9% või enam. c. Tiiglid, mahutavusega 50 ml kuni 2 liitrit, mis on valmistatud tantaalist, mille puhtuseaste on 99,9% või enam, või kaetud tantaalkarbiidi, -nitriidi või -boriidiga või mõne nende kombinatsiooniga. 2A226 [N] Lõõtsklapid, automaatselt või manuaalselt käitatavad, sisse- või väljalaskeava diameetriga 5 mm või enam, mis on valmistatud või kaetud alumiiniumiga, alumiiniumsulamiga, nikliga või niklisulamiga, mis sisaldab 60% või enam niklit. 2B Testimis- ja tootmisvahendid Tehniline märkus: Arvprogrammjuhtimisega tööpinkide positsioneerimise täpsus peab olema kindlaks määratud ja esitatud vastavalt ISO 230/2 nõuetele. 2B001 [W] Metallilõikepingid metallide, keraamika ja komposiitide töötlemiseks, mis vastavalt tootja tehnilisele spetsifikatsioonile võivad olla varustatud arvjuhtimisüksusega: a. Treipingid, millel on kõik järgnevad tehnilised omadused: [N] 1. Positsioneerimise täpsus on väiksem (parem) kui 4,5 µm (mõõdetuna piki ükskõik millist lineaartelge) ja 2. Võimaldab arvjuhtimise abil üheaegselt koordineerida (kopeerida) kahe- või enama telje liikumist Märkus: Punkti 2B001.a alla ei kuulu treipingid, mis on spetsiaalselt määratud kontaktläätsede valmistamiseks. b. Freespingid, millel on ükskõik milline järgnev tehniline omadus: [N] 1. a. Positsioneerimise täpsus on väiksem (parem) kui 4,5 µm (mõõdetuna piki ükskõik millist lineaartelge) ja b. Võimaldab arvjuhtimise abil üheaegselt koordineerida (kopeerida) kolme lineaarse ja ühe pööratava telje liikumist 2. Võimaldab arvjuhtimise abil üheaegselt koordineerida (kopeerida) viie- või enama telje suunalist liikumist või 3. Koordinaatpuurpingid positsioneerimise täpsusega vähem (parem) kui 3 µm (mõõdetuna piki ükskõik millist lineaartelge). c. Lihvimispingid, millel on ükskõik milline järgnev tehniline omadus: [N] 1. a. Positsioneerimise täpsus on väiksem (parem) kui 3 µm (mõõdetuna piki ükskõik millist lineaartelge) ja b. Võimaldab arvjuhtimise abil üheaegselt koordineerida (kopeerida) kolme- või enama telje suunalist liikumist või 2. Võimaldab arvjuhtimise abil üheaegselt koordineerida (kopeerida) viie- või enama telje suunalist liikumist. [N] d. Elektroerosioonpingid (EDM), mille kahe või enama pööratava telje liikumine on üheaegselt koordineeritav arvjuhtimise abil. e. Metallilõikepingid metallide, keraamika ja komposiitide eemaldamiseks: 1. Eemaldamisviiside liigendus: a. Vee- või vedeliku pihustite abil b. Elektronkiirte abil või c. Laserkiirte abil ja 2. Võimaldab arvjuhtimise abil üheaegselt koordineerida (kopeerida) kahe või enama pööratava telje liikumist, positsioneerimise täpsusega vähem (parem) kui 0,003o. f. Sügavate aukude puurimiseks modifitseeritud puurimis- ja treimispingid, mille kasutamisel saadava puuraugu maksimaalne sügavus ületab 5000 mm. 2B002 [W] Mittearvjuhtimisega metallilõikepingid optilise kvaliteediga pindade valmistamiseks ja spetsiaalselt nende jaoks valmistatud komponendid: a. Ühe lõiketeraga treipingid, millel on kõik järgnevad omadused: 1. Positsioneerimise täpsus on väiksem (parem) kui 0,0005 mm (300 mm sammu kohta) 2. Kahesuunalisel liikumisel on positsioneerimise kordamisvõime täpsus väiksem (parem) kui 0,00025 mm (300 mm sammu kohta) 3. Võlli «väljajooks» ja nihutustäpsus on väiksem (parem) kui 0,0004 mm TIR 4. Nihkumise (õõtsumise, rullumise ja pöörlemisteljest kõrvalekaldumise) nurkhälve on väiksem (parem) kui 2 kaaresekundit, TIR-i kogu nihkumise jooksul ja 5. Liugtee perpendikulaarsus on väiksem (parem) kui 0,001 mm (300 mm sammu kohta). b. Lendfreespingid, millel on kõik järgnevad omadused: 1. Võlli «väljajooks» ja nihutustäpsus on väiksem (parem) kui 0,0004 mm TIR 2. Nihkumise (õõtsumise, rullumise ja pöörlemisteljest kõrvalekaldumise) nurkhälve on väiksem (parem) kui 2 kaaresekundit TIR-i kogu nihkumise jooksul. 2B003 [W] Arvjuhtimisega tööpingid ning spetsiaalselt neile määratud komponendid, mis on spetsiaalselt määratud karastatud silinder- ja spiraalhammasrataste ning ülekandeseadmete, mille pitði diameeter ületab 1250 mm, ðeeverdamiseks, lihvimiseks või viimistlemiseks, tagamaks kvaliteedi, mis on vastavuses ISO 1328 klass 3-ga. 2B004 [W] [M] [N] Kuumisostaatpressimisepingid ning spetsiaalselt neile määratud komponendid: a. Termiliselt kontrollitava töökambriga, mille siseläbimõõt on 406 mm või enam ja b. Ükskõik milline järgnevatest: 1. Maksimaalne töörõhk ületab 207 MPa 2. Kontrollitava termilise keskkonna temperatuur ületab 1773 K (1500 oC) 3. Varustatud süsivesiniku impregnatsiooni- ja gaasilise degradatsiooni produktide eemaldamise seadmetega. 2B005 [W] Varustus, mis on spetsiaalselt määratud anorgaaniliste pinnakatete sadestamiseks ja töötlemiseks mitteelektronpõhimikele ning komponendid, mis on spetsiaalselt määratud nimetatud protsesside positsioneerimiseks, automatiseerimiseks ja kontrolliks: a. Installeeritud ohjeprogrammiga keemilise aursadestamise (CVD) seadmed, millel on kõik järgnev: 1. Modifitseeritud ükskõik milliseks järgnevaks protsessiks: a. Impulss-CVD b. Reguleeritav termiline nukleatsioonlagundamine (CNTD) või c. Plasmatõhustusega või plasmaosalusega CVD ja 2. Ükskõik millise järgneva omadusega: a. Sisaldavad pöörlemisläbiviigiga kõrgvaakumtihendeid (vaakumile jääkrõhuga alla 0,01 Pa) b. Varustatud pinnakattepaksuse kontrollseadmega. b. Installeeritud ohjeprogrammiga ioonlegeerimisseadmed kiirgusvooluga 5 mA või enam. c. Installeeritud ohjeprogrammiga elektronkiire füüsikalise aursadestamise (EB-PVD) seadmed, mis sisaldavad jõusüsteeme võimsusega üle 80 kW. d. Installeeritud ohjeprogrammiga plasmapihustusseadmed, millel on ükskõik milline järgnev omadus: 1. Käitatakse vaakumkambris, mis võimaldab vähendada rõhku kuni 0,01 Pa enne pihustamisprotsessi algust või 2. Varustatud pinnakattepaksuse kontrollseadmega. e. Installeeritud ohjeprogrammiga aatomsadestusseadmed, mis võimaldavad voolutihedust 0,1 mA/mm2 või enam, sadestusmääraga 15 µm/h või enam. f. Installeeritud ohjeprogrammiga katoodkaare sadestamise seadmed, mis sisaldavad juhtimiskontrolli eesmärgil elektromagnetite põhivõrku määramaks kindlaks kaare laotuspunkti katoodil. g. Installeeritud ohjeprogrammiga ioonplateerimisseadmed, mis võimaldavad mõõta ükskõik millist järgnevat: 1. Pinnakattepaksust põhimikul või 2. Pinnakatte optilisi omadusi. 2B006 [W] [N] Dimensioonijärelevalve- ja mõõtmissüsteemid: a. Arvutiga või installeeritud ohjeprogrammiga dimensioonijärelevalve pingid, mille kolmedimensionaalse pikkuse (volumeetriline) mõõtehälve on võrdne või väiksem (parem) kui (1,7+L/1000) µm (L on mõõdetud pikkus millimeetrites) vastavalt ISO 10360 standardile. Märkus: Punktis 2B006.a käsitletakse mõõtehälbena parameetrit, mis iseloomustab, kui suures väljundi väärtuse ulatuses mõõdetava muutuja tegelik väärtus 95%-lise usaldusväärsusega asub. [N] b. Lineaar- ja nurksiirde mõõtevahendid: 1. Lineaarsiirde mõõtevahendid, millel on ükskõik milline järgnev: a. Mittekontakt-tüüpi mõõtesüsteemid, mille eraldusvõime mõõtepiirkonnas 0,2 või enam millimeetrit on võrdne või väiksem (parem) kui 0,2 µm b. Lineaarpinge diferentsiaalmuundursüsteemid, millel on kõik järgnevad omadused: 1. Lineaarsuse mõõteviga on väiksem (parem) või võrdne 0,1%-ga mõõtepiirkonnas enam kui 5 mm ja 2. Triiv on väiksem (parem) või võrdne 0,1%-ga päeva kohta kontrollruumi standardtemperatuuri kõikumisel ±1 K või c. Mõõtesüsteemid, millel on kõik järgnev: 1. Sisaldavad laserit ja 2. Säilitavad vähemalt 12 tunni jooksul, standardtemperatuuri kõikumisel ±1 K ja konstantsel standardrõhul kõik järgnevad omadused: a. Eraldusvõime mõõteskaala täisulatuses 0,1 µm või vähem (parem) ja b. Mõõtehälve väiksem (parem) või võrdne (0,2+L/2000) µm-ga (L on mõõdetud pikkus millimeetrites). 2. Nurksiirde mõõteseadmed, mille mõõtehälve on väiksem (parem) või võrdne 0,00025o-ga. Märkus: Punkt 2B006.b.2 ei hõlma optikaseadmeid (näit. autokollimaatorid), mis kasutavad kollimatsioonivalgust avastamaks peegli nurksiiret. c. Seadmed pinnakihtide ebakorrapärasuste mõõtmiseks, mis nurga funktsiooni leidmisel rakendab optilise hajuvuse mõõtmist, tundlikkusega 0,5 nm või vähem (parem). 2B007 [W] [N] Robotid, s.t manipuleeritavad mehhanismid, mis on elektrooniliselt programmeeritavad ja multifunktsionaalsed ning omavad järgmisi tehnilisi omadusi: a. Kõrgendatud vastupanuvõimega radiatsioonile, säilitades töökindluse radiatsioonitasemel 5×103 Gy (Si) või enam b. Spetsiaalselt määratud tööoperatsioonide täitmiseks kõrgustel 30 000 m ja enam. 2B008 [W] Koostud, üksused ja sisendid, mis on spetsiaalselt määratud punktides 2B006 või 2B007 kirjeldatud varustusele: a. Lineaarasendi tagasiside üksused, mille täpsus on väiksem (parem) kui (800+(600×L×10-3)) nm (L on võrdne efektiivpikkusega mm) b. Pöördasendi tagasiside üksused, mille täpsus on väiksem (parem) kui 0,00025o c. Kombineeritud pöördlauad ja kallutatavad spindlid, mis võimaldavad metallilõikepinke vastavalt tootja spetsifikatsioonidele täiendada, saavutamaks käesolevas kategoorias kirjeldatud kvaliteedi tase. 2B009 [W] [M] [N] Tõmbekoolutus- ja sügavtõmbamispingid, mis vastavalt tootja tehnilisele spetsifikatsioonile võivad olla varustatud arvjuhtimisüksuse või raaljuhtimisega ja omavad kõike järgnevat: a. Võimaldab arvjuhtimise abil üheaegselt koordineerida (kopeerida) kahe- või enama telje liikumist ja b. Rulliku jõuga enam kui 60 kN. 2B104 [M] [N] Varustus ja juhtimisseadmed raketidüüside ja atmosfääri taassisenevate lennuaparaatide teravike (raketiotste) komposiitmaterjalide tihendamiseks ja pürolüüsiks. 2B109 [M] [N] Sügavtõmbamispingid, muud kui punktis 2B009 kirjeldatud ja neile spetsiaalselt määratud komponendid: a. Vastavalt tootja tehnilisele spetsifikatsioonile võivad olla varustatud arvjuhtimisüksuse või raaljuhtimisega ja b. Võimaldavad kahe või enama telje liikumise üheaegset koordineerimist (kopeerimist) arvjuhtimise abil. Märkus: Punkt 2B109 ei hõlma masinaid, mis ei ole kasutatavad punktides 9A005, 9A007.a või 9A105.a kirjeldatud süsteemide ja süsteemikomponentide tootmisel. 2B116 [M] [N] Vibratsiooni testimise süsteemid, varustus ja komponendid: a. Vibratsiooni testimise seadmed, mis rakendavad tagasiside või suletud ahela tehnikat, sisaldavad digitaalset kontrollerit ja võimaldavad tekitada süsteemis vibratsiooni ruutkeskmise kiirendusega 10 g või enam sagedusvahemikus 20 Hz kuni 2 kHz ja edastada jõudu 50 kN või enam b. Digitaalsed kontrollerid, mis on varustatud spetsiaalse vibratsioonikontrolli tarkvaraga, mille reaalajariba laius ületab 5kHz, mis on määratud punktis 2B116.a kirjeldatud vibratsiooni testimise süsteemidele c. Vibratsiooni tekitavad tõukurid (võnkesüsteemid), võimenditega või ilma, mis võimaldavad edastada jõudu 50 kN või enam ning on kasutatavad punktis 2B116.a kirjeldatud vibratsiooni testimise süsteemides d. Katsekehade toetussüsteemid ja elektroonikasüsteemid, mis on määratud kombineeritud võnkesüsteemide moodustamiseks ja võimaldavad edastada efektiivjõudu 50 kN või enam ning on kasutatavad punktis 2B116.a kirjeldatud vibratsiooni testimise süsteemides. 2B201 [N] Metallilõikepingid, muud kui punktis 2B001 kirjeldatud, metallide, keraamika ja komposiitide töötlemiseks, mis vastavalt tootja tehnilisele spetsifikatsioonile võivad olla varustatud arvjuhtimisüksuse või raaljuhtimisega: a. Freespingid, millel on ükskõik milline järgnev tehniline omadus: 1. Positsioneerimise täpsus on väiksem (parem) kui 0,006 mm (mõõdetuna piki ükskõik millist lineaartelge) või 2. Võimaldab arvjuhtimise abil üheaegselt koordineerida (kopeerida) kahe või enama pööratava telje liikumist b. Lihvimispingid, millel on ükskõik milline järgnev tehniline omadus: 1. Positsioneerimise täpsus on väiksem (parem) kui 0,004 mm (mõõdetuna piki ükskõik millist lineaartelge) või 2. Võimaldab arvjuhtimise abil üheaegselt koordineerida (kopeerida) kahe või enama pööratava telje liikumist. 2B204 [N] Isostaatpressimispingid, muud kui punktides 2B004 või 2B104 kirjeldatud, mille maksimaalne töörõhk ületab 69 MPa ja töökambri siseläbimõõt 152 mm, ning nende juurde kuuluvad matriitsid ja valuvormid. 2B206 [N] Dimensionaalsed järelevalvesüsteemid ja seadmed, muud kui punktis 2B006 kirjeldatud: a. Kompuutriga või installeeritud ohjeprogrammiga dimensionaalsed järelevalveseadmed, millel on mõlemad järgnevad omadused: 1. Võimaldab arvjuhtimise abil üheaegselt koordineerida (kopeerida) kahe või enama telje liikumist ja 2. Ühedimensionaalse pikkuse mõõtehälve on võrdne või väiksem (parem) kui (1,25+L/1000) µm (L on mõõdetud pikkus millimeetrites) b. Süsteemid hemielektronkatete lineaar- ja nurksiirde üheaegseks kontrolliks, millel on mõlemad järgnevad omadused: 1. Mõõtehälve (mõõdetuna piki ükskõik millist lineaartelge) on võrdne või väiksem (parem) kui 3,5 µm 5 mm kohta ja 2. Nurkpositsiooni mõõtehälve on väiksem (parem) või võrdne 0,02o-ga. 2B209 [N] Sügavtõmbamis- või tõmbekoolutuspingid, mis võimaldavad sügavtõmbamise funktsioonide täitmist, muud kui punktides 2B009 või 2B109 kirjeldatud pingid või matriitsid: a. 1. Varustatud kolme või enama rullikuga (aktiiv- või juhikrullikud) ja 2. Vastavalt tootja tehnilisele spetsifikatsioonile võivad olla varustatud arvjuhtimisüksuse või raaljuhtimisega b. Rootorkoolutustornid, mis on määratud silindriliste rootorite, sisediameetriga 75 kuni 400 mm, valmistamiseks. 2B225 [N] Kaugjuhtimisega manipulaatorid, mida on võimalik kasutada radiokeemiliste eraldusprotsesside kaugjuhtimise eesmärgil. 2B226 [N] Vaakum- või kontrollitava keskkonnaga (väärisgaas) induktsioonahjud, mis võimaldavad tööoperatsioonide teostamist temperatuuril üle 1123 K (+850 oC), mille induktorite läbimõõt on 600 mm või väiksem ja kavandatud sisendvõimsus 5 kW või enam, ning nimetatud ahjude juurde kuuluvad toiteallikad väljundvõimsusega 5 kW või enam. 2B227 [N] Vaakum- ja kontrollitava keskkonnaga metallurgilise sulatamise ja valuahjud ning spetsiaalselt neile konfigureeritud raaljuhtimise ja järelevalve süsteemid: a. Valuahjud tarbitava elektroodmahtuvusega 1000 cm3 kuni 20 000 cm3, mis võimaldavad tööoperatsioonide teostamist temperatuuril üle 1973 K (+1700 oC) b. Elektronkiirsulatus- ja plasmapihustus- ning sulatusahjud, töövõimsusega 50 kW või enam, mis võimaldavad tööoperatsioonide teostamist temperatuuril üle 1473 K (+1200 oC). 2B228 [N] Gaasitsentrifuugide rootorite tootmis- ja monteerimisseadmed ning sülfoonide valmistamiseks mõeldud matriitsid ja tornid: a. Gaasitsentrifuugi rootortorusilindrite sektsioonide, tõkestite ja otste katete monteerimisseadmed, kaasa arvatud täppismatriitsid ja klambrid b. Gaasitsentrifuugi rootortorusilindrite sektsioonide üheteljelisuse tagamise seadmed (koosneb tavaliselt pneumaatilise pressi liugurist, mis on ühendatud arvutiga) c. Matriitsid ja tornid, mis on määratud ühe kääruga sülfoonide (sülfoonid, mis on valmistatud kõrgtugevatest alumiiniumisulamitest, martensiitterasest või kõrgtugevatest filamentaarmaterjalidest) tootmiseks. Nimetatud sülfoonide võimalikud mõõtmed on järgmised: 1. Sisediameetriga 75 mm kuni 400 mm 2. Pikkusega 12,7 mm või enam ja 3. Kääru sügavusega enam kui 2 mm. 2B229 [N] Tsentrifugaalsed mitmetasandilised balansseerimispingid, portatiivsed või statsionaarsed, horisontaalsed või vertikaalsed: a. Tsentrifugaalbalansseerimispingid, mis on määratud painduvate rootorite, mille pikkus ületab 600 mm, balansseerimiseks ja millel on kõik järgnevad omadused: 1. Võllitapi diameetriga 75 mm või enam 2. Massile 0,9 kuni 23 kg ja 3. Balansseerimispöörete kiirusega üle 5000 pöörde minutis b. Tsentrifugaalbalansseerimispingid, mis on määratud silindriliste rootorite õõneskomponentide balansseerimiseks ning millel on kõik järgnevad omadused: 1. Võllitapi diameetriga 75 mm või enam 2. Massile 0,9 kuni 23 kg 3. Võimaldab balansseerida tasakaalustamatuse jäägiga 0,01 kg mm/kg tasandi kohta või parem ja 4. Rihmülekandega. 2B230 [N] Rõhusensorid, mis võimaldavad mõõta absoluutrõhku vahemikus 0 kuni 13 kPa, mille rõhutundlikud elemendid on valmistatud või kaetud nikli või nikli sulamitega, milles on 60% (kaalu järgi) või enam niklit, või alumiiniumi või alumiiniumi sulamitega, millel on ükskõik milline järgnev: a. Mõõteskaala laiusega 13 kPa või vähem ning täpsusega ±1% (täisskaala ulatuses) või b. Mõõteskaala laiusega 13 kPa või enam ning täpsusega ±130 Pa. Märkus: Punktis 2B230 kirjeldatud rõhusensorite funktsiooniks on rõhkude mõõtmine kirjeldatud rõhuvahemikus ning mõõtmistulemuste muundamine elektrilisteks signaalideks. 2B231 [N] Vaakumpumbad, mille sisendiava läbimõõt on 380 mm või enam, pumpamise kiirusega 15 000 liitrit/s või enam ning piirvaakumi tootlusega parem kui 130 mPa. 2B232 [N] Mitmeastmelised kineetilise energia relvasüsteemid (elektromagnetilised, elektrotermilised või muud), mis tagavad akselereeritud heitekehadele lõppkiiruseks 2 km/s või enam. 2B350 [A] Keemiatööstuse tootmisseadmed ja -varustus: Tehniline märkus: Punktis 2B350 kirjeldatud varustus, seadmed ja komponendid kuuluvad ainult sel juhul strateegilistele kaupadele kehtestatud väljaveo ja transiidi kontrolli alla, kui nimetatud varustuse, seadmete ja komponentide tööpinnad, mis puutuvad otseselt kokku kemikaalidega, on valmistatud ükskõik millistest järgnevatest materjalidest: 1. Sulamid, milles on üle 25% (kaalu järgi) niklit ja üle 20% (kaalu järgi) kroomi 2. Fluoropolümeerid 3. Klaas või klaasfiiber (kaasa arvatud klaasiga kaetud fiiber ja emaileeritud kangas) 4. Nikkel või sulamid, milles on üle 40% (kaalu järgi) niklit 5. Tantaal või tantaalisulamid 6. Titaan või titaanisulamid 7. Tsirkoonium või tsirkooniumisulamid 8. Grafiit (kehtib ainult soojusvahetite, kondensaatorite, rektifikatsiooni- või absorptsioonikolonnide, mitmeseinaliste torude ja pumpade suhtes) 9. Keraamika (kehtib ainult pumpade ja tuhastusseadmete suhtes); 10. Ferrosilikoon (kehtib ainult pumpade suhtes). a. Reaktsioonianumad ja reaktorid, segistitega või ilma, mille geomeetriline maht on suurem kui 0,1 m3 (100 l), kuid ei ületa 20 m3 (20 000 l) b. Punktis 2B350.a kirjeldatud reaktsioonianumates või reaktorites kasutatavad segistid c. Säilituspaagid, konteinerid või survepaagid, mille sisemine geomeetriline maht on suurem kui 0,1 m3 (100 l) d. Soojusvahetid või kondensaatorid, mille soojustülekandva pinna ulatus ei ületa 20 m2 e. Destillatsiooni- või absorptsioonikolonnid, mille sisediameeter on suurem kui 0,1 m f. Kaugjuhitav tankimisaparatuur g. Mitmekordse tihendusega klapid ja ventiilid, mille üheks konstruktsioonielemendiks on lekkedetekteerimissõlm, lõõtsklapid, tagasilöögiklapid ja membraanventiilid h. Mitmeseinalised torud, mille üheks konstruktsioonielemendiks on lekkedetekteerimissõlm i. Mitmetihendilised, isoleeritud pumpava osaga, magnetajamiga lõõts- või membraanpumbad tootja poolt garanteeritud maksimaalse tootlikkusega üle 0,6 m3/h või vaakumpumbad tootja poolt garanteeritud maksimaalse tootlikkusega üle 5 m3/h (temperatuuril 273 K (0 oC) ja rõhul 101,30 kPa) j. Punktis 1C350 kirjeldatud kemikaalide põletusseadmed, keskmise põletustemperatuuriga üle 1273 K (+1000 oC), mis on varustatud spetsiaalsete, kemikaalide etteande ja käsitsemise seadmetega 2B351 [A] Mürgiste gaaside jälgimise süsteemid ja nimetatud süsteemides kasutatavad detektorid, mis on mõeldud: a. Keemiliste ründerelvade lähtematerjalide, punktis 1C350 kirjeldatud kemikaalide või fosforit, väävlit, fluori või kloori sisaldavate orgaaniliste ühendite (kontsentratsiooniga alla 0,3 mg/m3) pidevaks jälgimiseks ja avastamiseks b. Ainete avastamiseks, mille füsioloogiline mõju baseerub koliinesteraasi inhibeerival funktsioonil. 2B352 [A] Varustus ja seadmed bioloogiliste materjalide käsitsemiseks: a. Komplektsed isolaatorid, mis vastavad «WHO's Laboratory Biosafety Manual» (Genf 1983) sisalduvatele turvalisusnõuetele P3 või P4 (BL3, BL4, L3, L4) b. Fermentaatorid, mida on ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita võimalik kasutada mikroobide ja viiruste kultiveerimiseks või toksiinide valmistamiseks, mahuga 100 liitrit või enam Märkus: Punktis 2B352.b kirjeldatud fermentaatorid sisaldavad ka bioreaktoreid, kemostaate ja pidevvoolusüsteeme. c. Tsentrifugaalseparaatorid, mis ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita võimaldavad patogeensete mikroobide kontsentratsiooni pidevat tõstmist ning omavad kõiki järgnevaid omadusi: 1. Läbivoolukiirus ületab 100 liitrit tunnis 2. Seade on tervikuna või osaliselt valmistatud poleeritud roostevabast terasest või titaanist 3. Topelt- või mitmekordse tihendusega ühendused auru sisaldavas keskkonnas 4. Auruga steriliseerimise võimalus ilma seadme eelneva demontaaþita Märkus: Punktis 2B352.c kirjeldatud tsentrifugaalseparaatorid sisaldavad ka dekanteerimisseadmeid. d. Ristvoolu filtratsiooniaparatuur, mis on konstrueeritud pidevaks patogeensete mikroobide, viiruste, toksiinide ja rakukultuuride kontsentratsiooni tõstmiseks ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita ning omavad mõlemat järgnevat omadust: 1. Filtripindalaga 5 m2 või enam 2. Auruga steriliseerimise võimalus ilma seadme eelneva demontaaþita e. Auruga steriliseeritav lüofiliseerimisaparatuur kondensaatori tootlikkusega 50 kuni 1000 kg jääd 24 tunni jooksul f. Varustus, mida on võimalik kasutada P3- ja P4- (BL3, BL4, L3, L4) isolaatorite koostises või mis kuulub nende koostisesse: 1. Tervikuna või osaliselt katvad hermeetilised kaitseülikonnad 2. Klassi 3 bioloogialaboratooriumide varustus või isolaatorid, mis vastavad samale standardile. g. Aerosoolide inhalatsioonikambrid, mis on konstrueeritud loomkatseteks patogeensete mikroobide, viiruste või toksiinide aerosoolidega, mahuga 1 m3 või enam. 2C Materjalid ­ 2D Tarkvara 2D001 [N] [M] Tarkvara, muud kui punktis 2D002 kirjeldatud, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud kategooriates 2A või 2B kirjeldatud varustuse arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. 2D002 [W] Tarkvara elektroonilistele seadmetele, mis võimaldab nimetatud tarkvaraga varustatud seadmeid või süsteeme funktsioneerida kui arvjuhtimisega varustatud üksuseid, millel on ükskõik milline järgnev omadus: [N] a. Võimaldab üheaegselt koordineerida (kopeerida) enam kui nelja telje liikumist või b. Võimaldab andmetöötlust reaalajas modifitseerimaks masinate töösammu, etteandekiirust ja spindli andmeid. 2D101 [M] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud punktides 2B104, 2B109 või 2B116 kirjeldatud varustuse kasutamiseks. 2D201 [N] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud punktides 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B227 või 2B229 kirjeldatud varustuse kasutamiseks. 2D202 [N] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud punktis 2B201 kirjeldatud varustuse arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. 2E Tehnoloogia 2E001 [M] [N] [A] Tehnoloogia, mis on määratud kategooriates 2A, 2B või 2D kirjeldatud varustuse või tarkvara arendamiseks. 2E002 [M] [N] [A] Tehnoloogia, mis on määratud kategooriates 2A või 2B kirjeldatud varustuse tootmiseks. 2E003 [W] Muud tehnoloogiad: a. Tehnoloogia interaktiivgraafika kui arvjuhtimisüksuste integreeritud osa arendamiseks b. Tehnoloogia metallitöötlemise protsesside kohta: 1. Tehnoloogia järgnevates protsessides kasutatavate tööriistade, matriitside või kinnitusrakiste kavandamise kohta: a. Difusioonkeevitus (molekulaarne tahkisühendamine) või b. Otsetoimehüdropressimine 2. Tehnilised andmed protsesside metodoloogia või parameetrite kohta teostamaks järgnevat: a. Alumiiniumi-, titaani- või supersulamite difusioonkeevitus: 1. Pinnaettevalmistus 2. Deformatsiooni määr 3. Temperatuur 4. Rõhk b. Titaani- või supersulamite otsetoimehüdropressimine: 1. Rõhk 2. Tsükliaeg c. Kuum-isostaattihendamine: 1. Temperatuur 2. Rõhk 3. Tsükliaeg c. Tehnoloogia hüdrotõmbamisega painutamise masinate ja nende juurde kuuluvate matriitside arendamiseks ning tootmiseks õhusõidukite plaanerite struktuuride valmistamisel. d. Tehnoloogia metallilõikepinkide käsugeneraatorite arendamise kohta. 2E101 [M] [N] Tehnoloogia, mis on määratud punktides 2B004, 2B104, 2B109, 2B116 või 2D101 kirjeldatud varustuse või tarkvara kasutamiseks. 2E201 [N] Tehnoloogia, mis on määratud punktides 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 kuni 2B232, 2D201 või 2D202 kirjeldatud varustuse või tarkvara kasutamiseks. 2E301 [A] Tehnoloogia, mis on vajalik punktides 2B350 kuni 2B352 kirjeldatud kaupade kasutamiseks. 3. kategooria: Elektroonika Kategooria tähis ja number Nimetus 3A Süsteemid, varustus ja komponendid Märkused: 1. Punktis 3A001 või punktis 3A002 kirjeldatud varustus, seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks muude seadmete komponentidena või millel on muudele seadmetele sarnased tunnused, kuuluvad muudele seadmetele kehtestatud kontrollparameetrite alla (välja arvatud seadmed, mida on kirjeldatud punktides 3A001.a.3 kuni 3A001.a.10 või punktis 3A001.a.12). 2. Integraallülitused, mida on kirjeldatud punktides 3A001.a.3 kuni 3A001.a.9 või punktis 3A001.a.12, mis on püsivalt (mittemuudetavalt) programmeeritud või määratud mingite spetsiifiliste funktsioonide täitmiseks ja mille teisaldamine või ümberprogrammeerimine on võimatu, kuuluvad nendele seadmetele kehtestatud kontrollparameetrite alla, kus neid kasutatakse. NB! Kui tootja või väljaveolitsentsi- või transiidiloa taotleja ei suuda kindlaks määrata nn. muude seadmetele kehtestatud väljaveo ja transiidi kontrollparameetreid, kehtivad nende integraallülituste suhtes punktides 3A001.a.3 kuni 3A001.a.9 või punktis 3A001.a.12 kehtestatud parameetrid. 3A001 Elektroonilised seadmed ja komponendid 3A001.a Üldise kasutusega integraalskeemid: Märkused: 1. Pooljuhtmaterjalist, töödeldud või töötlemata plaatide kohta, mille funktsioon on kindlaks määratud, kehtivad punktis 3A001.a kehtestatud parameetrid. 2. Integraallülituste tüübid: a. Monoliitintegraallülitused b. Hübriidintegraallülitused c. Ühitatud mitmikkristallintegraallülitused d. Kile tüüpi integraallülitused, kaasa arvatud safiiralusel ränist integraallülitused (SOS) e. Optilised integraallülitused. [M] 1. Integraallülitused, mille vastupanuvõime radiatsioonile ületab ükskõik millist järgnevat: a. Kogudoos 5×103 Gy (Si) või enam või b. Doosikiiruse piirväärtus 5x106 Gy (Si)/s või enam. [M] 2. Integraallülitused, mida on kirjeldatud punktides 3A001.a.3 kuni 3A001.a.10 või punktis 3A001.a.12, mis omavad ükskõik millist järgnevat omadust: a. Määratud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur ületab 398 K (+125 oC) b. Määratud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 218 K (-55 oC) c. Määratud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur võib kõikuda vahemikus 218 K (-55 oC) kuni 398 K (+125 oC). Märkus: Punkt 3A001.a.2 ei hõlma integraallülitusi, mida kasutatakse tsiviiltranspordivahendites või rongides. 3. Mikroprotsessorite mikroskeemid, mikroarvutite mikroskeemid ja mikrokontrollerite mikroskeemid, millel on ükskõik milline järgnev omadus: Märkused: Punkt 3A001.a.3 ei hõlma kuni 8-bitiseid, räni baasil valmistatud mikroarvutite mikroskeeme või mikrokontrollerite mikroskeeme. Punkt 3A001.a.3 hõlmab ka digitaalsignaalimuundureid (signaaliprotsessorid), digitaalandmesisestus- ja andmeväljastusprotsessoreid. a. Otsese juurdepääsuga aritmeetika-loogikalülitused juurdepääsulaiusega 32 bitti või enam, mille kiirus (composite theoretical performance ­ CTP) on 260 miljonit või enam teoreetilist operatsiooni sekundis b. Valmistatud liitpooljuhist, taktsagedusele üle 40 MHz või c. Rohkem kui ühe andme- või käsusiiniga (data or instruction bus) või järjestikuse kommunikatsioonipesaga, väliseks ühenduseks paralleelprotsessoris, ülekandekiirusega üle 2,5 Mbyte/s. 4. Liitpooljuhist valmistatud salvestavad integraallülitused. [M] 5. Integraalsed analoogdigitaal- ja digitaalanaloogmuundurid: a. Integraalsed analoogdigitaalmuundurid, millel on ükskõik milline järgnev: 1. 8­12-bitise eraldusvõime puhul on täieliku muundamise kestus maksimaalse eraldusvõimeni lühem kui 10 ns 2. 12-bitise eraldusvõime puhul on täieliku muundamise kestus maksimaalse eraldusvõimeni lühem kui 200 ns või 3. Enam kui 12-bitise eraldusvõime puhul on täieliku muundamise kestus maksimaalse eraldusvõimeni lühem kui 2 µs b. Integraalsed digitaalanaloogmuundurid, mille eraldusvõime on 12-bitti või enam ja näidu stabiliseerumisaeg lühem kui 10 ns. 6. Elektro-optilised ja optilised integraallülitused signaalide töötlemiseks, millel on kõik järgnev: a. Ühe või mitme sisemise laserdioodiga b. Ühe või mitme sisemist valgust detekteeriva elemendiga ja c. Optilised lainejuhid. 7. Elektrisignaalide võimendamiseks või genereerimiseks kasutatavad programmeeritavad maatriksid (FPGA-d), mis omavad ükskõik millist järgnevat: a. Maatriksi moodustamisel kasutatavate elementide arv on enam kui 30 000 (kahe sisendiga) või b. Sisend- või väljundviivitus on alla 0,4 ns. 8. Programmeeritavad loogikalülitustest maatriksid, mis omavad ükskõik millist järgnevat: a. Maatriksi moodustamisel kasutatavate elementide arv on enam kui 30 000 (kahe sisendiga) või b. Taktsagedus ületab 133 MHz. 9. Mikrolülituste võrgud. 10. Üldkasutatavad integraallülitused, mille funktsioon või seadmestiku funktsioon, milles neid kasutatakse, on tootjale teadmata, mis omavad ükskõik millist järgnevat: a. Enam kui 208 sisestus- ja väljastusklemmiga b. Sisend- või väljundviivitusajaga alla 0,35 ns või c. Töösagedus ületab 3 GHz. 11. Digitaalintegraallülitused, mis ei kuulu punktides 3A001.a.3 kuni 3A001.a.10 või punktis 3A001.a.12 kirjeldatute hulka ning on valmistatud liitpooljuhtide baasil, mis omavad ükskõik millist järgnevat: a. Maatriksi moodustamisel kasutatavate elementide arv on enam kui 3000 (kahe sisendiga) või b. Taktsagedus ületab 1,2 GHz. 12. Kiireks Fourier' teisendamiseks (FFT) määratud protsessorid, mis omavad ükskõik millist järgnevat: a. 1024-punktilise FFT teostamise aeg on lühem kui 1 ms b. N-punktilise (muud kui 1024-punktiline) FFT teostamise aeg on lühem kui N log2 N/10240 ms, kus N on punktide arv või c. Jooksev läbilaskevõime enam kui 5,12 MHz. 3A001.b Mikro- ja millilaineseadmed: 1. Elektroonilised vaakumtorud ja katoodid: Märkus: Punkt 3A001.b.1 ei hõlma elektronseadmeid, mis on konstrueeritud või määratud kasutamiseks standardsetes tsiviiltelekommunikatsiooni sagedusvahemikes (töösagedus kuni 31 GHz). a. Pulsseeriva või pidevlainega mittestatsionaarsed kiirtetorud: 1. Töösagedustele enam kui 31 GHz 2. Varustatud katoodi kuumutuselemendiga ja käivitusaeg raadiosagedusliku (RF) võimsuse saavutamiseks on lühem kui 3 sekundit 3. Sidestatud ruumilised resonaatorid või nende modifikatsioonid hetkelise raadiosagedusliku ribalaiusega üle 7% või piirvõimsusega üle 2,5 kW 4. Kiirekujulised (Solar, Helix) torud või nende modifikatsioonid, millel on ükskõik milline järgnev omadus: a. Hetkeline ribalaius on enam kui üks oktaav, keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-ides) on enam kui 0,5 b. Hetkelise ribalaiusega üks oktaav või vähem ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-ides) on suurem kui 1 või c. «Kosmosekindel». Tehniline märkus: Käesoleva nimekirja lõikes viitab toote tehnilise omadusena käsitletav «kosmosekindel» toodetele, mis leiavad kasutust eriti rasketes elektrilistes, mehhaanilistes või keskkonnatingimustes ja on määratud kasutamiseks satelliitidel või suurtes kõrgustes (100 km ja kõrgemal) lendavatel lennuaparaatidel. b. Ristuvate väljadega võimenduslambid võimendusega üle 17 dB c. Impregneeritud katoodid elektrontorudele, mis omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Käivitusaeg vajaliku emissiooni saamiseks on lühem kui 3 sekundit või 2. Tagavad pideva emissioonivoolutiheduse, mis ületab 5 A/cm2. 2. Mikrolaine-integraallülitused või -moodulid, mis omavad kõike järgnevat: a. Sisaldavad monoliitintegraallülitusi ja b. Töösagedus ületab 3 GHz. Märkus: Punkt 3A001.b.2 ei hõlma lülitusi või mooduleid, mis on määratud kasutamiseks standardsetes tsiviiltelekommunikatsioonile ettenähtud sagedusvahemikes, mille töösagedus ei ületa 31 GHz. 3. Mikrolainetransistorid sagedustele, mis ületavad 31 GHz. 4. Mikrolainepooljuhtvõimendid, mis omavad ükskõik millist järgnevat: a. Töösagedus ületab 10,5 GHz ja hetkeline ribalaius enam kui pool oktaavi või b. Töösagedus ületab 31 GHz. 5. Elektrooniliselt või magnetiliselt adjusteeritavad ribafiltrid (band-pass) või reþektorid (band-stop) [lasevad läbi (band-pass) või tõkestavad (band-stop) kõik signaalid kindlaksmääratud sagedusriba ulatuses], millel on enam kui 5 adjusteeritavat resonaatorit, mis on võimelised vähem kui 10 mikrosekundi jooksul ristihäälestama 1,5:1 sagedusega laineala (fmax/fmin), mis omavad ükskõik millist järgnevat: a. Ribafiltrid (band-pass), mille sagedusriba laius on suurem kui 0,5% kesksagedusest või b. Reþektorid (band-stop), mille sagedusriba laius on väiksem kui 0,5% kesksagedusest. 6. Mikrolainesõlmed, mis opereerivad töösagedustel, mis ületavad 31 GHz. 7. Segustid ja muundurid, mis on konstrueeritud punktides 3A002.c, 3A002.e või 3A002.f kirjeldatud seadmetele nimetatud punktides kirjeldatud sagedusriba laiendamise eesmärgil. 8. Mikrolainejõuvõimendid, mis sisaldavad punktis 3A001.b kirjeldatud torusid ja omavad kõike järgnevat: a. Töösagedus enam kui 3 GHz b. Keskmine väljundvõimsuse tihedus ületab 80 W/kg ja c. Maht on väiksem kui 400 cm3. Märkus: Punkt 3A001.b.8 ei hõlma lülitusi või mooduleid, mis on määratud kasutamiseks standardsetes tsiviiltelekommunikatsioonile ettenähtud sagedusvahemikes, mille töösagedus ei ületa 31 GHz. 3A001.c Akustilistel lainetel põhinevad seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks määratud komponendid: 1. Akustilistel pinnalainetel põhinevad ja libiseva akustilise laine seadmed (s.t signaalitöötlusseadmed, mille tööpõhimõte baseerub elastsete lainete levitamisel materjalis), mis omavad ükskõik millist järgnevat: a. Kandesagedus ületab 2,5 GHz b. Kandesagedus ületab 1 GHz, kuid on väiksem kui 2,5 GHz, omades ükskõik millist järgnevat: 1. Külghõlma mahasurumine ületab 55 dB 2. Maksimaalse viivitusaja ja sagedusriba korrutis (aeg mikrosekundites ja sagedus MHz-des) ületab 100 3. Hajutamise hilistumine ületab 10 µs või 4. Sagedusriba laius ületab 250 MHz või c. Kandesagedus on väiksem kui 1 GHz, omades ükskõik millist järgnevat: 1. Maksimaalse viivitusaja ja sagedusriba korrutis (aeg mikrosekundites ja sagedus MHz-des) ületab 100 2. Hajutamise hilistumine ületab 10 µs või 3. Külghõlma mahasurumine ületab 55 dB ja sagedusriba laius on suurem kui 50 MHz. 2. Mahtuvuslikud, akustilistel lainetel põhinevad seadmed (s.t signaali töötlemise seadmed, mis rakendavad elastseid laineid), mis võimaldavad vahetult töödelda signaale sagedustel, mis ületavad 1 GHz. 3. Akustilis-optilised signaali töötlemise seadmed, mis rakendavad akustiliste lainete [ruumilaine (bulk wave) või pinnalaine (surface wave)] ja valguslainete vahelist vastasmõju, mis võimaldab vahetult töödelda signaale või kujutisi, kaasa arvatud spektraalanalüüs, korrelatsioon või konvolutsioon. 3A001.d Elektroonilised seadmed või skeemid, mis sisaldavad ülijuhtivatest materjalidest valmistatud komponente ja on spetsiaalselt määratud kasutamiseks temperatuuril, mis on madalam kui vähemalt ühe ülijuhtivast materjalist komponendi kriitiline temperatuur, omades ükskõik millist järgnevat: 1. Elektromagnetiline võimendus: a. Töösagedus kuni 31 GHz, mürategur väiksem kui 0,5 dB või b. Töösagedused ületavad 31 GHz. 2. Voolulülitid digitaalskeemidele, milles kasutatakse ülijuhtivaid elemente, mille viivitusaja (sekundites) ja hajuvõimsuse korrutis pordi kohta (vattides) on väiksem kui 10-14 J, või 3. Sageduse selekteerimine kõikidel sagedustel, kasutades resoneerivaid vooluahelaid, mille hüveteguri Q väärtus ületab 10 000. 3A001.e Energiaallikad: 1. Patareid ja fotogalvaanilised massiivid: Märkus: Punkt 3A001.e.1 ei hõlma patareisid ruumalaga alla 27 cm3 (näiteks standardsed C-kuivelemendid või R14 patareid). a. Primaarelemendid või patareid, mille energia tihedus on suurem kui 480 Wh/kg, mis on määratud kasutamiseks temperatuurivahemikus 243 K (-30 oC) kuni 343 K (+70 oC) b. Korduvlaetavad kuivelemendid ja patareid, mille energiatihedus ületab 150 Wh/kg pärast 75 laadimis/tühjendamistsüklit, kusjuures tühjendamisvool on võrdne suurusega C/5 tundi (C ­ nominaalse mahtuvuse väärtus ampertundides), mis on määratud kasutamiseks temperatuurivahemikus 253 K (-20 oC) kuni 333 K (+60 oC) Tehniline märkus: Energiatihedus saadakse, kui korrutatakse omavahel kaks suurust, millest üks võrdub keskmise võimsusega vattides (W) (keskmine pinge voltides korrutatud keskmise voolutugevusega amprites) jagatuna tühjenemise kestusega tundides ning teine võrdub 75%-ga avatud vooluringi pingest jagatuna aku kogumassiga kg-des c. «Kosmosekindlad» ja kõrgendatud radiatsioonivastupanuvõimega fotogalvaanilised massiivid, mille erivõimsus töötemperatuuril 301 K (+28 oC) ületab 160 W/m2, volframi valgustuse 1 kW/m2 all, temperatuuril 2800 K (2527 oC). [N] 2. Suure mahtuvusega kondensaatorid: a. Ühekordselt koormatavad kondensaatorid, mille kordumissagedus on väiksem kui 10 Hz, millel on kõik järgnev: 1. Pinge nimiväärtus 5 kV või enam 2. Energiatihedus 250 J/kg või enam ja 3. Koguenergia 25 kJ või enam. b. Korduvalt koormatavad kondensaatorid kordumissagedusega 10 Hz või enam, millel on kõik järgnev: 1. Pinge nimiväärtus 5 kV või enam 2. Energiatihedus 50 J/kg või enam 3. Koguenergia 100 J või enam ja 4. Laadimis/tühjenemistsüklite arv 10 000 korda või enam. [N] 3. Ülijuhtivad elektromagnetid või solenoidid, mille laadimis- või tühjenemiskestus on alla ühe sekundi, millel on kõik järgnev: a. Energia, mis vabaneb tühjenemisel 1 sekundi jooksul, ületab 10 kJ b. Voolu ülekandva mähise sisemine diameeter on enam kui 250 mm c. Magnetilise induktsiooni nimiväärtus ületab 8 T või üldine voolutihedus mähises ületab 300 A/mm2. Märkus: Punkt 3A001.e.3 ei hõlma spetsiifilisi ülijuhtivaid elektromagneteid või solenoide, mis on määratud magnetresonantskuvamisele (MRI) baseeruvatele meditsiiniseadmetele. 3A001.f Rotatsioonilise sisenditüübiga kiirte täieliku asendi kodeerijad, mis omavad ükskõik millist järgnevat: a. Eraldusvõime parem kui 1 osa 265 000-st ( eraldusvõime 18 bitti) täisskaala ulatuses või b. Täpsusega parem kui ±2,5 kaaresekundit. 3A002 [W] Üldotstarbelised elektroonilised seadmed: 3A002.a Salvestusseadmed: 1. Magnetlindiga analoogsalvestusaparatuur, kaasa arvatud seadmed, mis võimaldavad salvestada digitaalsignaale [s.t kasutatakse kõrgsagedusliku digitaalsalvestuse moodulit (HDDR)], millel on ükskõik milline järgnev omadus: a. Sagedusriba ületab 4 MHz elektroonilise kanali või ühendusraja kohta b. Sagedusriba ületab 2 MHz elektroonilise kanali või ühendusraja kohta, omades enam kui 42 ühendusrada või c. Ajaline nihkeviga (base error), mis on mõõdetud vastavalt Inter Range Instrumentation'i (IRIG) või Electronic Industries Association'i (EIA) nõuetele, ei ületa 0,1 µs. Märkus: Punkt 3A002.a.1 ei hõlma magnetlindiga analoogsalvestusaparatuuri, mis on määratud üldotstarbeliseks kasutamiseks. 2. Digitaalne magnetlindiga videosalvestusaparatuur, mille digitaalliidese maksimaalne ülekandekiirus ületab 360 Mbit/s. Märkus: Punkt 3A002.a.2 ei hõlma digitaalset magnetlindiga videosalvestusaparatuuri, mis on spetsiaalselt määratud televisiooni tarbeks ja mille salvestussignaalide formaadid on standardiseeritud või soovitatud International Radio Consultative Committee (CCIR) või International Technical Commission'i poolt tsiviiltelevisiooni tarbeks. 3. Digitaalne magnetlindiga salvestusaparatuur, milles rakendatakse kruvilaotus või paigalseisva salvestuspeaga töötlusviisi, mis omavad ükskõik millist järgnevat: a. Digitaalliidese maksimaalne ülekandekiirus ületab 175 Mbit/s või b. «Kosmosekindel». Märkus: Punkt 3A002.a.3 ei hõlma magnetlindiga analoogsalvestusaparatuuri, mis on varustatud HDDR-i muundamise vahenditega ja määratud ainult digitaalse informatsiooni salvestamiseks. 4. Seadmed, mille digitaalliidese maksimaalne ülekandekiirus ületab 175 Mbit/s ja mis võimaldavad magnetlindiga digitaalset videosalvestusaparatuuri kasutada digitaalinstrumentaalse andmesalvestajana. 5. Lainekuju digitaatorid ja salvestid, millel on kõik järgnev: a. Digiteerimise määraga 200 miljonit või enam tulemit sekundis, eraldusvõimega 10 bitti või enam ja b. Pideva läbilaskevõimega 2 Gbit/s või enam. Tehniline märkus: Nende seadmete puhul, mis põhinevad paralleelsiini (parallel bus) arhitektuuril, on pidev läbilaskekiirus suurus, mis saadakse, korrutades sõna ülekandekiiruse bittide hulgaga selles sõnas. Punktis 3A002.a.5 nimetatakse pidevaks läbilaskevõimeks andmete suurimat väljastuskiirust, mida seade võib arendada ilma mingi informatsiooni kaota andmekandjal, säilitades edastamise kiiruse ja analoogdigitaalmuundamise. 3A002.b Sageduse süntesaatorid ja nende elektroonilised komponendid, mille sageduse ümberlülitusaeg ühelt väljaselekteeritud sageduselt teisele on alla 1 ms. 3A002.c Signaalianalüsaatorid: 1. Võimelised analüüsima signaale sagedustel, mis ületavad 31 GHz 2. Dünaamilised signaalianalüsaatorid, mille reaalajasagedusriba ületab 25,6 kHz. Märkus: Punkt 3A002.c.2 ei hõlma seadmeid, milles kasutatakse konstantse sagedusribaga filtreid (samuti filtreid, mida tuntakse oktaav- või fraktsiooniliste oktaavfiltritena). 3A002.d Sagedussünteesiga signaaligeneraatorid, mille väljundsageduse täpsus ning lühi- ja pikaajaline püsivus tagatakse sisemise etalonsageduse poolt, mis omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Maksimaalne sünteesitav sagedus ületab 31 GHz 2. Sageduse ümberlülitusaeg ühelt väljaselekteeritud sageduselt teisele on lühem kui 1 ms või 3. Ühe külgriba (SSB) faasimüra on parem kui ­(126 + 20 log10F ­ 20 log10f) dBc/Hz, kus F on kõrvalehäälestuse sagedus töösagedusest hertsides ja f on töösagedus MHz-des. Märkus: Punkt 3A002.d ei hõlma seadmeid, mille väljundsagedus saadakse kahe või enama kristallostsillaatori sageduste lisamisel või mahaarvamisel või tulemuse korrutise lisamisel või mahaarvamisel. 3A002.e Võrguanalüsaatorid, mille maksimaalne töösagedus ületab 40 GHz. Märkus: Punkt 3A002.e ei hõlma ulatusliku sagedusega võrguanalüsaatoreid, mille maksimaalne töösagedus ei ületa 40 GHz ja mis ei sisalda andmesiini distantsjuhtimise sidestamiseks. 3A002.f Mikrolaine kontrollvastuvõtjad, millel on kõik järgnev: 1. Maksimaalne töösagedus ületab 40 GHz ja 2. Võimaldavad amplituudi ja faasi üheaegset mõõtmist. 3A002.g [LC] Aatomi võnkesageduse standardid, mis omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Pikaajalise püsikindlusega (vananemine) vähem (parem) kui 1×10-11/ kuu või 2. «Kosmosekindel». Märkus: Punkt 3A002.g.1 ei hõlma «mittekosmosekindlaid» rubiidiumi standardeid. 3A101 Elektrooniline varustus ja seadmed, muud kui punktis 3A001 kirjeldatud: [M] a. Analoogdigitaalmuundurid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks terviklikes raketisüsteemides. [M] b. Elektronkiirendid, mis on võimelised väljastama elektromagnetilist radiatsiooni tippenergiaga 2 MeV või enam ning süsteemid, mis sisaldavad nimetatud kiirendeid. Märkus: Punkt 3A101.b ei hõlma varustust ja seadmeid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks meditsiinis. 3A201 Elektroonilised komponendid, muud kui punktis 3A001 kirjeldatud: [N] a. Kondensaatorid, millel on järgmised tehnilised omadused: 1. Tööpinge enam kui 1,4 kV, energiasalvestusega enam kui 10 J, elektrimahtuvusega enam kui 0,5 µF ja jadainduktiivsusega vähem kui 50 nH või 2. Tööpinge enam kui 750 V, elektrimahtuvusega enam kui 0,25 µF ja jadainduktiivsusega 10 nH või vähem. [N] b. Ülijuhtivad solenoidelektromagnetid, millel on kõik järgnevad tehnilised omadused: 1. Võimaldavad tekitada magnetvälja tugevusega 2 teslat või enam 2. L/D suhtega (pikkus jagatud sisediameeter) 2 või enam 3. Sisediameetriga enam kui 300 mm. [N] c. Röntgenikiirte generaatorid või elektronkiirendid, mille tippenergia on 500 keV või enam. Märkus: Punkt 3A201.c ei hõlma elektronkiirendeid, mida kasutatakse muude seadmete komponentidena, mille eesmärgiks ei ole elektronkiire või röntgenikiirte radiatsiooni tekitamine (elektronmikroskoopia) või on spetsiaalselt määratud kasutamiseks meditsiinis. 3A225 [N] Sagedusmuundurid või generaatorid, muud kui punktis 0B001.c.11 kirjeldatud, millel on kõik järgnevad omadused: a. Väljundvõimsusega 40 W või enam b. Töösagedusvahemik 600 Hz kuni 2000 Hz c. Täielik mittelineaarne harmoonikute separatsioon alla 10% ja d. Sageduskontrolliga parem kui 0,1%. 3A226 [N] Alalisvoolutoiteallikad, muud kui punktis 0B001.j.6 kirjeldatud, mis võimaldavad enam kui 8 tunni jooksul pidevalt toota pinget 100 V või enam, väljundvoolutugevusega 500 A või enam, voolu ja pinge kõikumisega vähem (parem) kui 0,1%. 3A227 [N] Kõrgepingealalisvoolutoiteallikad, mis võimaldavad enam kui 8 tunni jooksul pidevalt toota pinget 20 kV või enam, väljundvoolutugevusega 1 A või enam, voolu ja pinge kõikumisega vähem (parem) kui 0,1%. 3A228 [N] Lülitusseadmed: a. Külmkatoodtorud, gaasiga täidetult või mitte, mis funktsioneerivad analoogiliselt kaitsesädemikuga, mis sisaldavad kolme või enamat elektroodi ja millel on kõik järgnevad tehnilised omadused: 1. Anoodi tipp-pinge 2500 V või enam 2. Anoodi tippvoolutugevus 100 A või enam ja 3. Anoodi viiteaeg 10 µs või vähem. b. Kaitsesädemikud, mille anoodi viiteaeg on 15 µs või vähem ja tippvoolutugevus 500 A või enam c. Kiirlülitusfunktsiooniga moodulid või koostud, millel on kõik järgnevad tehnilised omadused: 1. Anoodi tipp-pinge enam kui 2000 V 2. Anoodi tippvoolutugevus 500 A või enam ja 3. Sisselülitusaeg 1 µs või vähem. 3A229 [N] [LC] Süütesüsteemid ja kõrgvooluimpulsigeneraatorid (detonaatorite kaugjuhtimiseks): a. Lõhkeaine detonaatorite süütamise süsteemid, mis on määratud punktis 3A232 kirjeldatud detonaatorite kaugjuhtimiseks. b. Modulaarsed elektrilise impulsi generaatorid, mis on määratud portatiivseks või mobiilseks kasutamiseks ning vastavad kõikidele järgmistele tehnilistele omadustele: 1. Energia väljastamise kiirusega vähem kui 15 µs 2. Väljundvoolutugevusega enam kui 100 A 3. Tõusuaeg vähem kui 10 µs, aktiivkoormusega vähem kui 40 oomi 4. Suletud niiskuskindlasse pakendisse 5. Ükski füüsilise suuruse mõõde ei ületa 254 mm 6. Massiga vähem kui 25 kg ja 7. Määratud kasutamiseks temperatuurivahemikus 223 K (­50 oC) kuni 373 K (+100 oC). 3A230 [N] Impulsigeneraatorid, mille väljundpinge on enam kui 6 V, aktiivkoormus vähem kui 55 oomi ja impulsi siirdeaeg 500 ps või vähem. 3A231 [N] Neutronite genereerimise süsteemid, kaasa arvatud torud, mis on määratud tööoperatsioonide täitmiseks ilma välise vaakumsüsteemita, utiliseerides elektrostaatilist kiirendust indutseerimaks triitium-deuteerium tuumareaktsiooni. 3A232 [N] [LC] Detonaatorid ja mitmepositsioonilised detonatsioonisüsteemid: a. Elektriliselt juhitavad lõhkeaine detonaatorid: 1. Lõhkamissild (EB) 2. Lõhkamissilla juhtmed (EBW) b. Seadmed, milles kasutatakse üksik- või kombineeritud detonaatoreid. Tehniline märkus: Kõikides kontrolli alla kuuluvates detonaatorites kasutatakse väikest elektrilist konduktorit (silda, silla juhtmeid, õhukest lehtmetalli), mis plahvatuslikult aurustub, kui teda läbib kõrgvoolu elektriline impulss. 3A233 [N] Mass-spektromeetrid, muud kui punktis 0B002.g kirjeldatud, mis võimaldavad mõõta ioone aatommassiga 230 massiühikut või enam ning mille eraldusvõime on parem kui 2 osa 230-st: a. Induktiivselt ühendatud plasmamass-spektromeetrid (ICP/MS) b. Huumlahendusmass-spektromeetrid (GDMS) c. Termilised ionisatsioonmass-spektromeetrid (TIMS) d. Elektronpommitusega mass-spektromeetrid, mis on valmistatud UF6-kindlatest materjalidest e. Molekulaarkiire mass-spektromeetrid: 1. Kiirgusallika kamber on valmistatud või kaetud roostevaba terasega või molübdeeniga 2. Kiirgusallika kamber on valmistatud või kaetud UF6-kindlate materjalidega f. Mass-spektromeetrid, mis on varustatud mikrofluorinatsiooni ioonallikaga, mis on määratud kasutamiseks aktiniididega või aktiniidfluoriididega. 3A990 [EST] Aparaadid ja seadmed, mis on määratud improviseeritud lõhkeseadmete käsitlemiseks, käitamiseks, tühjaks laadimiseks, avastamiseks: 1. Järelevalveseadmed, mis ei oma elektroonilist juhtimisvõimalust 2. Röntgenikiirte aparaadid ja seadmed. 3A991 [EST] Ostsilloskoobid ja siirdenähtuste salvestajad, muud kui punktis 3A002.a.5 kirjeldatud: a. Mittemodulaarsed analoogostsilloskoobid ribalaiusega 1 GHz või enam b. Modulaarsed (üksikagregaatidest koosnevad) analoog-ostsilloskoobid: 1. Põhibloki ribalaiusega 1 GHz või enam või 2. Pistikmoodulid individuaalribalaiusega 4 GHz või enam c. Strobeerivad analoogostsilloskoobid, mis on määratud korduvate nähtuste uurimiseks, ribalaiusega enam kui 4 GHz d. Digitaalostsilloskoobid ja siirdenähtuste salvestajad, mis on varustatud analoog-digitaalmuunduritega ja võimelised salvestama siirdeprotsesse väljaselekteeritavate elektriliste suuruste intervalliga vähem kui 1 ns (üle 1 gigavalimi sekundis), 8 bitise või enama eraldusvõimega ja 256 või enama seose salvestusvõimega. Märkus: Punkt 3A202 hõlmab ka järgmisi analoogostsilloskoopidele määratud komponente: a. Pistikplokid b. Lõppvõimendid (välisvõimendid) c. Eelvõimendid d. Elektriliste või elektrilisteks muundatud suuruste funktsionaalsete seoste väljaselekteerimisseadmed (strobeerimisseadmed) e. Elektronkiirtetorud. Tehniline märkus: Ribalaius on määratletud kui sagedusriba, mille ulatuses signaal elektronkiirtetoru ekraanil ei lange alla 70,7% maksimaalsest, mis on mõõdetud ostsilloskoobi võimendi konstantsel sisendpingel. 3B Testimis- ja tootmisvahendid 3B001 [W] Varustus, seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt määratud pooljuhtseadmete ja -materjalide tootmiseks: a. Installeeritud ohjeprogrammiga epitakskasvatamise seadmed: 1. Seadmed ühtlase (±2,5%) pinnakattematerjali tootmiseks, töösammu pikkusega 75 mm või enam 2. Metalli orgaaniliskeemilise aursadestamise reaktorid (MOCVD), mis võimaldavad punktides 3C003 või 3C004 kirjeldatud materjalide vahelise keemilise reaktsiooni läbi liitpooljuhtide kristallide juurdekasvu 3. Molekulaarkiir-epitakskasvatamise seadmed. b. Installeeritud ohjeprogrammiga ioonplateerimisseadmed, millel on ükskõik milline järgnev omadus: 1. Kiire energia (kiirenduspinge) ületab 1 MeV 2. Spetsiaalselt määratud ja optimeeritud töötamaks kiire energial (kiirenduspingel), mis on väiksem kui 2 keV 3. Otsekirje võimega või 4. Võimaldavad kõrgenergeetilise hapniku sisendamist kuumutatud pooljuhtmaterjali substraati. c. Installeeritud ohjeprogrammiga anisotroopse plasmakuivsöövitusseadmed, mis omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Magnetvangistus või 2. Elektron-tsüklotron resonants (ECR) d. Installeeritud ohjeprogrammiga plasma CVD seadmed, mis omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Magnetvangistus või 2. Elektron-tsüklotron resonants (ECR) e. Installeeritud ohjeprogrammiga automaatse sobituskoormusega mitmekambrilised kiipide käsitsemise süsteemid, mis omavad kõike järgnevat: 1. Kiipide sisend- ja väljundliidesed, millega on ühendatud kaks või enam pooljuhte töötlevat seadet ja 2. Määratud integreeritud süsteemi loomiseks kiipide järjestiktöötlemise eesmärgil vaakumkeskkonnas. f. Installeeritud ohjeprogrammiga litograafiaseadmed: 1. Kiipide töötlemise seadmed, mis kasutavad fotooptilist või röntgenikiirte metodoloogiat ja mille valgusallika lainepikkus lühem kui 350 nm 2. Varustus, mis on spetsiaalselt määratud pooljuhtide maskide valmistamiseks või pooljuhtseadiste töötlemiseks, rakendades hälvitatud-fokusseeritud elektron-, ioon- või laserkiirt, laotuspunktisuurusega vähem kui 0,2 µm ja ülekatte täpsusega parem kui ±0,2 µm. g. Maskid ja niitvõrgustikud, mis on määratud punktis 3A001 kirjeldatud integraallülitustele. h. Mitmekihilised maskid. 3B002 [W] Installeeritud ohjeprogrammiga kontrollseadmed, mis on spetsiaalselt määratud pooljuhtseadmete testimiseks: a. Transistorite testimiseks sagedustel, mis ületavad 31 GHz b. Mikrolaineintegraallülituste testimiseks sagedustel, mis ületavad 3 GHz c. Elektronkiirtesüsteemid või laserkiirtesüsteemid, mis on määratud tööoperatsioonideks pingel 3 keV või madalam, pooljuhtseadmete mittekontaktseks testimiseks, millel on kõik järgnev: 1. Strobeerimisvõimelised ja 2. Elektron-spektromeeter pingete mõõtmiseks, eraldusvõimega vähem (parem) kui 0,5 V. 3C Materjalid 3C001 [W] Heteroepitaksilised materjalid, mis koosnevad järgnevate materjalide epitakskasvatamisel saadud substraatidest: a. Räni b. Germaanium või c. Galliumi või indiumi polükristallilised, binaarsed või kompleksmonokristallilised tooted, mis koosnevad Mendelejevi perioodilisussüsteemi tabeli IIIA ja VA grupi elementidest (näit. gallium-alumiiniumarseniid, indiumfosfiit). 3C002 [W] Resistmaterjalid ja substraadid, mis on kaetud ekspordi- ja transiidikontrolli alla kuuluvate resistmaterjalidega: a. Positiivsed resistid, mis on määratud pooljuhtide litograafiaks ning spetsiaalselt kohandatud (optimeeritud) kasutamiseks lainepikkustel alla 350 nm b. Kõik resistid, mis on määratud kasutamiseks elektron- või ioonkiirtega, tundlikkusega 0,01 µC/mm2 või parem. c. Kõik resistid, mis on määratud kasutamiseks röntgenikiirtega, tundlikkusega 2,5 mJ/mm2 või parem d. Kõik resistid, mis on optimeeritud pinnakujundamise tehnoloogiatele. 3C003 Orgaanilis-anorgaanilised ühendid: [W] a. Alumiiniumi, galliumi või indiumi orgaanilis-metallilised ühendid puhtusega (metalli baasil) enam kui 99,999% b. Arseeni, antimoni või fosfori orgaanilised ühendid puhtusega 99,999% (anorgaaniliste elementide baasil) või enam. 3C004 [W] Fosfori, arseeni või antimoni hüdriidid puhtusega 99,999% või enam. 3D Tarkvara 3D001 Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud punktides 3A001.b kuni 3A002.g või kategoorias 3B kirjeldatud varustuse arendamiseks või tootmiseks. 3D002 [W] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud kategoorias 3B kirjeldatud installeeritud ohjeprogrammiga varustuse kasutamiseks. 3D003 [W] Raalprojekteerimistarkvara (CAD), mis on määratud pooljuhtseadmetele või pooljuhtidele ja omab ükskõik millist järgnevat: a. Kujundamisreeglid või ahela verifitseerimisreeglid või b. Litograafilised kujundussimulaatorid (tarkvarapaketid). 3D101 [M] Tarkvara, mis on vajalik punktis 3A101.b kirjeldatud varustuse kasutamiseks. 3E Tehnoloogia 3E001 [M] [N] Tehnoloogia kategooriates 3A, 3B või 3C kirjeldatud seadmete või materjalide arendamiseks või tootmiseks 3E002 [W] Muud tehnoloogiad, mida kasutatakse järgnevate seadmete ja komponentide arendamise või tootmise eesmärgil: a. Vaakummikroelektroonika seadmed b. Heterostruktuuriga pooljuhtseadmed (näit. elektronide kõrgliikuvusega transistorid (HEMT), heterobipolaartransistorid (HBT)) c. Ülijuhtivad elektroonikaseadmed d. Teemantpõhimikud või -kiled elektroonikakomponentidele e. Räni-isolaator-põhimikud integraallülitustele, milles isolaatoriks on ränidioksiid f. Ränikarbiidpõhimikud elektroonikakomponentidele. 3E101 [M] Tehnoloogia punktides 3A001.a.1, 3A001.a.2, 3A101 või 3D101 kirjeldatud varustuse või tarkvara kasutamiseks. 3E102 [M] Tehnoloogia punktis 3D101 kirjeldatud tarkvara arendamiseks. 3E201 [N] Tehnoloogia punktides 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A201, 3A202, 3A225 kuni 3A233 kirjeldatud varustuse kasutamiseks. 3E990 [EST] Tehnoloogia, mis on vajalik punktis 3A990 kirjeldatud kaupade kasutamiseks. 4. kategooria: Arvutid Kategooria tähis ja number Nimetus 4A Süsteemid, varustus ja komponendid 4A001 [W] Elektronarvutid ja nendega seotud seadmed, elektroonikasõlmed ja spetsiaalselt neile määratud komponendid: [M] a. 1. Määratud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on mada lam kui 228 K (­45 oC) või üle 358 K (+85 oC) [W] 2. Kõrgendatud radiatsioonikindlusega, mille vastupanuvõime radiatsioonile ületab ükskõik millist järgnevat näitajat: a. Kogudoos üle 5×103 Gy (Si) b. Doosikiiruse piirväärtus üle 5×106 Gy (Si)/s, või c. Vigade esinemise piirsagedus 5×10-7 Viga/bit/päev (error/bit/day). [LC] [W] b. Elektronarvutid ja nendega seotud varustus, mille tehnilised omadused ja funktsioonid ületavad 5. kategooria II osas kirjeldatud omadusi. Märkus: Punkt 4C001 ei hõlma arvuteid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks tsiviilsõidukitel või raudteerongidel. 4A002 [W] Hübriidarvutid ja elektroonikasõlmed spetsiaalselt neile määratud komponentidega: a. Sisaldavad digitaalarvuteid, mis vastavad punktis 4A003 kirjeldatavatele b. Sisaldavad analoogdigitaalmuundureid, mis vastavad kõikidele järgmistele tehnilistele näitajatele: 1. 32 või enam kanalit ja 2. 14-bitise või enama eraldusvõimega ning muundamismääraga 200 000 muundamist sekundis või enam. Tehniline märkus: 1. Käesoleva kategooria lõikes nimetatakse hübriidarvutiteks arvuteid, milles on analoogarvuti komponendid ja digitaalarvuti komponendid digitaal-analoogmuundurite ja analoog-digitaalmuundurite kaudu ühendamise teel integreeritud ning võimaldavad: a. Andmeid vastu võtta b. Töödelda andmeid nii analoog- kui digitaalvormis ja c. Andmeid väljastada. 2. Käesoleva kategooria lõikes nimetatakse digitaalarvutiteks sisemiselt salvestatud programmidega juhitavat ja digitaalandmeid töötlevat arvutit, mis võimaldab: a. Andmeid vastu võtta b. Salvestada andmeid nii fikseeritud kui teisaldatavatele salvestusseadmetele c. Töödelda andmeid modifitseeritavate käskude salvestatuse järjekorras ja d. Andmeid väljastada. 4A003 [W] Digitaalarvutid ja elektroonikasõlmed spetsiaalselt neile määratud komponentidega: Märkused: 1. Punkt 4A003 hõlmab järgnevat: a. Vektoriprotsessorid b. Massiiviprotsessorid c. Digitaalsete signaalide protsessorid d. Loogikaprotsessorid e. Pildiväärinduse seadmed f. Signaalitöötluse seadmed. 2. Kui digitaalarvuteid ja nendega seotud seadmeid kasutatakse mingi elektroonikasõlme või süsteemi osana, siis on digitaalarvutite kuuluvus strateegiliste kaupade nimekirja sõltuv sellest, kui «olulist osa» («oluline osa» ­ üle 35% elektroonikasõlme või süsteemi turuhinnast, milles digitaalarvutit kasutatakse) nad täidavad elektroonikasõlme või süsteemi tööoperatsioonides. Kui digitaalarvuti kujutab endast mingi elektroonikasõlme või süsteemi «olulist osa», määratletakse digitaalarvuti kuuluvus strateegiliste kaupade nimekirja selle elektroonikasõlme või süsteemi järgi, milles teda kasutatakse. a. Määratud või modifitseeritud kasutamiseks arvutisüsteemina, mis on võimeline jätkama oma funktsioneerimist ilma inimese vahelesegamiseta pärast oma mis tahes riist- või tarkvarakomponendi tõrget tasemel, mis tagab andmetöötluse jätkumise, andmetervikluse ja teenuse taastumise määratud aja jooksul. Märkus: Punkt 4A003.a ei hõlma digitaalarvuteid, mis omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Arvuti põhimälu sisaldab vigade avastamise ja korrigeerimise algoritme 2. Kui kahe digitaalarvuti vaheühendatuse puhul aktiivsisemäludest koosnevas funktsionaalüksuses tekkiva tõrke korral alustab tööd passiivseisundis viibinud, kuid peegeldav keskmäluseade, mis võimaldab jätkata süsteemi funktsioneerimist 3. Kui kahe keskmäluseadme sünkroniseerimisel tarkvara abil on üks keskmäluseade võimeline avastama teises keskmäluseadmes tekkinud tõrkeid, taastades seejärel seiskunud tööoperatsioonide esituse. b. Digitaalarvutid, kiirusega (composite theoretical performance) üle kahe tuhande miljoni teoreetilise operatsiooni sekundis (Mtops). c. Elektroonikasõlmed, mis võimaldavad suurendada punktis 4A003.b kirjeldatud arvutite kiirust üle samas punktis sätestatud määra. d. Graafikakiirendid ja graafikakaasprotsessorid, mille kolmedimensionaalne vektormäär ületab 3 000 000 e. Seadmed, mis teostavad analoog-digitaal muundamist, mille kestus ületab punktis 3A001.a.5 sätestatud vahemikke. f. Seadmed, mis on spetsiaalselt määratud kindlustama digitaalarvutite välist vaheühendust ja võimaldavad andmevahetust kiirusega üle 80 Mbyt/s. 4A004 [W] Arvutid ja spetsiaalselt neile määratud komponendid: a. Süstoolsed massiiviarvutid b. Neuraalarvutid c. Optilised arvutid. 4A101 [M] Analoogarvutid ja digitaalarvutid, muud kui punktis 4A001.a.1 kirjeldatud, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks punktides 9A004 või 9A104 kirjeldatud süsteemides. 4A102 [M] Hübriidarvutid, mis on spetsiaalselt määratud punktides 9A004 või 9A104 kirjeldatud süsteemide modelleerimiseks, simuleerimiseks, kavandamiseks. Märkus: Punktis 4A102 määratletud kontrollparameetrid kehtivad ainult juhul, kui kirjeldatud varustus on varustatud punktides 7D103 või 9D103 kirjeldatud tarkvaraga. 4B Testimis- ja tootmisvahendid ­ 4C Materjalid ­ 4D Tarkvara 4D001 [W] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud punktides 4A001 kuni 4A004 või 4D kirjeldatud varustuse ja tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. 4D002 [W] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud toetamaks punktis 4E kirjeldatud tehnoloogiat. 4D003 [W] Tarkvara, mille tehnilised omadused ja funktsioonid ületavad 5. kategooria II osas kirjeldatud omadusi. 4E Tehnoloogia 4D001 [W] [M] Tehnoloogia, mis on punktides 4A või 4D kirjeldatud varustuse või tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. 5. kategooria: Telekommunikatsiooniseadmed ja infoturve I osa: Telekommunikatsiooniseadmed Kategooria tähis ja number Nimetus 5A1 Süsteemid, varustus ja komponendid 5A001 [W] a. Igasugune telekommunikatsioonidega seotud varustus, millel on ükskõik milline järgnev omadus või funktsioon: 1. Spetsiaalselt määratud ja modifitseeritud taluma ajutisi elektroonilise ning elektromagnetilise impulsi mõjusid, mis tekivad tuumaplahvatuse järel 2. Kõrgendatud vastupanuvõime gamma-, neutroni- või ioonradiatsiooni suhtes või 3. Spetsiaalselt määratud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 218 K (-55 oC) ja kõrgem kui 397 K (+124 oC). Märkus: Punkt 5A001.a.3 kehtib ainult elektroonilise varustuse kohta. b. Telekommunikatsiooniseadmed ja süsteemid ning spetsiaalselt nendele seadmetele ja süsteemidele määratud komponendid, millel on ükskõik milline järgnev omadus või funktsioon: Märkus: Telekommunikatsiooniseadmete alla kuuluvad: a. Erinevad kategooriad ja nende kombinatsioonid: 1. Raadiosidevarustus (saatjad, vastuvõtjad ja vastuvõtu-saatejaamad) 2. Vahevõimenduse seadmed 3. Modulaatorid/demodulaatorid (modemid) 4. Repiitrid 5. Regeneraatorid 6. Ülekande kodeerijad (transkodeerijad) 7. Multipleksvarustus 8. Transmultipleksvarustus 9. Installeeritud ohjeprogrammiga digitaalse ristühendusega seadmed 10. «Media access unit» ­ varustus, mis sisaldab vähemalt üht või enamat sideliidest (interfeis), et ühendada terminaali võrku 11. LAN-võrgu terminaatorid b. Määratud kasutamiseks ühe või mitmekanalilistes ühendustes läbi ükskõik millise järgneva: 1. Koaksiaalkaablid 2. Valguskiust kaablid 3. Elektromagnetiline radiatsioon 4. Veealuse akustilise laine levi. 1. Digitaaltehnika, mis sisaldab analoogdigitaalmuundureid, mille digitaalne ülekandekiirus kõrgeimal multiplekstasemel (highest multiplex level) ületab 45 Mbit/s või mille täielik digitaalne ülekandekiirus ületab 90 Mbit/s. Märkus: «Täielik digitaalne ülekandekiirus» on bittide arv, mis kulub andmete edastamiseks, kodeerimiseks jne, s.t terviklikuks transmissiooniks. Märkus: Punktis 5A001.b.1 sätestatud kontrollparameetrid ei kehti seadmete kohta, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks tsiviilotstarbelistes satelliitsidesüsteemides. 2. Veealuse kommunikatsiooni süsteemid, millel on ükskõik milline järgnev tehniline omadus: a. Akustilise kandesagedusega väljaspool sagedusvahemikku 20 kHz kuni 60 kHz b. Elektromagnetiliste lainete kandesagedus sagedustel 30 kHz ja madalamal või c. Elektroonilist suundjuhtimist rakendavad veealuse side süsteemid. 3. Varustus, mis sisaldab ükskõik millist järgnevat: a. Võrgukaardid ja nendega seotud vahelülid, mille digitaalne ülekandekiirus ületab 156 Mbit/s või b. Digitaalse väljundiga sidekanalikontrollerid, mille signaalimiskiirus ületab 2,1 Mbit/s kanali kohta. 4. Telekommunikatsioonivarustus, mille koostu üheks osaks on laser, mis võimaldab tekitada nii pidevat kui ka ajutist koherentset valgust radiatsiooni emissiooni stimuleerimise teel, millel on ükskõik milline järgnev tehniline omadus: a. Ülekande lainepikkus ületab 1750 nm b. Rakendab analoogtehnikat ja sagedusriba laius ületab 2,5 GHz Märkus: Punkt 5A001.b.4.b ei hõlma kommertstelevisiooni süsteeme. c. Rakendab koherentse optilise ülekande- või koherentse optilise avastamise tehnikat (nn heterodüün- või homodüüntehnikat) d. Rakendab lainepikkuse multipleksimise tehnikat või e. Teostab optilist võimendust. 5. Raadioseadmestik, mille töö sisend- ja väljundsagedused ületavad 31 GHz. Märkus: Punkt 5A001.b.5 ei hõlma varustust, mis on määratud või modifitseeritud tööoperatsioonideks ükskõik millisel Rahvusvahelise Elekterside Liidu poolt määratud sagedusribal. 6. Raadioseadmestik, mis rakendab ükskõik millist järgnevat: a. Kvadratuur-amplituud-modulatsioonitehnika (QAM) (4. tase või enam), mille täielik digitaalne ülekandekiirus ületab 8,5 Mbit/s b. QAM tehnika (16. tase või enam), mille täielik digitaalne ülekandekiirus on 8,5 Mbit/s või vähem või c. Digitaalne modulatsioonitehnika, mille spektraaltõhusus ületab 3 bit/s/Hz. Märkus: Punktis 5A001.b.6 sätestatud kontrollparameetrid ei kehti seadmete kohta, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks tsiviilotstarbelistes satelliitsidesüsteemides. Märkus: Punkt 5A001.b.6 ei hõlma raadiorelee varustust, mis on määratud või modifitseeritud tööoperatsioonideks Rahvusvahelise Elekterside Liidu poolt määratud sagedusribal, kusjuures: a: 1. Sagedusriba ei ületa 960 MHz või 2. Täielik digitaalne ülekandekiirus ei ületa 8,5 Mbit/s ja b. Spektraaltõhusus ei ületa 4 bit/sec/Hz. 7. Raadioseadmestik, mis opereerib sagedusribas 1,5 MHz kuni 87,5 MHz ja millel on ükskõik milline järgnev omadus: a. Sisaldab adaptiivtehnikat, mis võimaldab interfereerivate signaalide enam kui 15 dB summutamist või b. On kõik järgnevad omadused: 1. Automaatselt prognoosib ja selekteerib sagedusi ning täielikku digitaalset ülekandekiirust kanali kohta andmeedastuse optimeerimise eesmärgil ja 2. Sisaldab lineaarse võimsusvõimendi lülitust, mis suudab ühe või enama oktaavise hetkelise ribalaiuse juures väljundvõimsusel 1 kW ja enam, sagedusvahemikus 1,5 MHz kuni 30 MHz või väljundvõimsusel 250 W või enam, sagedusvahemikus 30 MHz kuni 87,5 MHz üheaegselt töötada mitme signaaliga korraga, kusjuures harmoonilise ja moonutava väljundi maht on parem kui 80 dB. 8. Raadioseadmestik, mis rakendab laiendatud spektri või sageduse vaheldamise tehnikat. Märkus: Punkt 5A001.b.8 ei hõlma varustust, mille väljundvõimsus ei ületa 1 W. 9. Digitaalselt kontrollitavad raadiovastuvõtjad, millel on kõik järgnev: a. Enam kui 1000 kanaliga b. Sageduse ümberlülitusaeg vähem kui 1 ms c. Elektromagnetilise spektriosa automaatse otsimis- või skanneerimisvõimega d. Vastuvõetud signaalide või saatejaamade identifitseerimisvõimega. Märkus: Punkt 5A001.b.9 ei hõlma kommertsiaalsetes kärgstruktuuriga raadiosidesüsteemides kasutatavaid seadmeid. 10. Seadmed, mis rakendavad digitaalse signaalide töötlemise funktsioone kõne kodeerimise eesmärgil ülekandekiirustel vähem kui 2400 bit/s. c. Installeeritud ohjeprogrammiga kommuteeriv varustus ja nendega seotud signaalimissüsteemid, millel on ükskõik milline järgnev tehniline omadus või funktsioon: 1. Ühiskanaliga signaalimine mitteassotsiatiivsel või kvaasiassotsiatiivsel moel 2. Dünaamiline adaptiivne marsruutimine Märkus: Punkt 5A001.c.2 ei hõlma marsruutereid koos portidega ega pakettkommutaatoreid, mille tehnilised näitajad ei ületa punktis 5A001.c.3 kirjeldatut. 3. Pakettkommutaatorid, sideliinide kommutaatorid, marsruuterid koos portidega, mis ületavad ükskõik millist järgnevat: a. Sidekanali kontrollerid signaalimiskiirusega 2,1 Mbit/s kanali kohta või b. Võrgukaardid digitaalse ülekandekiirusega 156 Mbit/s. 4. Optiline kommuteerimine 5. Digitaalne ATM-edastust (Asynchronous Transfer Mode) rakendav tehnika, mille täielik digitaalne ülekandekiirus ületab 1,5 Gbit/s. d. Kiudoptilised kaablid, optilised kiud, optiliste kiudude kimbud ja spetsiaalselt nende jaoks konstrueeritud detailid. 1. Optilised kiud, kiudoptilised kaablid, mis on enam kui 500 m pikad ja millel on ükskõik milline järgnev omadus: a. Määratud ühemoelisteks (single mode) tööoperatsioonideks või b. Kiudoptilised kaablid, mis tootja poolt garanteerituna omavad vastupidavust tõmbetugevusele 2×109 N/m2 või enam. 2. Kiudoptilised kaablid, mis on spetsiaalselt määratud veealuseks kasutamiseks. Märkus: Punkt 5A001.d.2 ei hõlma standardseid, tsiviiltelekommunikatsiooni tarbeks kasutatavaid kaableid e. Elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antennid töösagedustele üle 31 GHz. 5A101 [M] Telemeetria ja telekontrolli varustus, mis on kasutatav terviklike raketisüsteemide juures. Märkus: Punkt 5A101 ei hõlma varustust, mis on spetsiaalselt määratud mudellennukite, paatide ja sõidukite kaugjuhtimiseks, mille elektriväljatugevus ei ületa 200 mikrovolti meetri kohta 500 meetrise vahemaa juures. 5A990 [EST] Troposfäärihajumise kommunikatsiooniseadmed, mis rakendavad analoog- või digitaalmodulatsioonitehnikat. 5B1 Testimis- ja tootmisvahendid 5B001 Varustus ja komponendid, mis on spetsiaalselt määratud punktides 5A001, 5B001, 5C001, 5D001 või 5E001 kirjeldatud varustuse, materjalide, funktsioonide või tunnuste arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. 5C1 Materjalid 5C001 [W] Klaasi eelvormid või muud materjalid, mis on optimeeritud punktis 5A001.d kirjeldatud optiliste kiudude tootmiseks. 5D1 Tarkvara 5D001 a. Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud punktides 5A001, 5B001 või 5C001 kirjeldatud varustuse, funktsioonide või tunnuste arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. b. Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud punktis 5E001 kirjeldatud tehnoloogia toetamiseks. c. Spetsiifiline tarkvara: 1. Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud punktides 5A001 või 5B001 kirjeldatud varustuse tehniliste näitajate, funktsioonide ja tunnuste hankimise võimaldamiseks 2. Tarkvara, mis võimaldab punktides 5A001 või 5B001 kirjeldatud telekommunikatsiooniseadmete tarkvaraprogrammi lähteteksti taastamist 3. Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud dünaamiliseks adaptiivseks marsruutimiseks. 5E1 Tehnoloogia 5E001 a. Tehnoloogia, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud punktides 5A001, 5B001, 5C001 või 5D001 kirjeldatud varustuse, funktsioonide või tunnuste ning tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. b. Spetsiifiline tehnoloogia: 1. Tehnoloogia sidesatelliitides kasutatava telekommunikatsioonivarustuse arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks 2. Tehnoloogia laserkommunikatsioonitehnika arendamiseks ja kasutamiseks, mis automaatselt omandab ja püüab signaale ning säilitab sidet nii läbi vee kui eksoatmosfääri 3. Tehnoloogia optiliste kiudude katmiseks, mis võimaldaks nende veealust kasutamist 4. Tehnoloogia seadmete arendamiseks, mis rakendavad sünkroonse digitaalhierarhia (SDH) või sünkroonse optilise võrgu (SONET) tehnikat 5. Tehnoloogia «lülitusjaamade» väljaarendamiseks, mille ühe kanali läbilaskvus ületab 64 000 bit/s ja mille lülitid ei sisalda digitaalset ristlülitust 6. Tehnoloogia tsentraliseeritud võrgukontrolli või dünaamilise adaptiivse marsruutimise arendamiseks 7. Tehnoloogia digitaalsete kärgsidesüsteemide arendamiseks 8. Tehnoloogia integraalteenuste lairiba-digitaalvõrgu (B-ISDN-võrk) arendamiseks 9. Tehnoloogia kvadratuur-amplituud-modulatsioonitehnika (QAM) (4. tase või enam) arendamiseks raadioseadmete tarbeks. 10. Tehnoloogia laiendatud spektri või sageduse vaheldamise tehnika arendamiseks. 5E101 [M] Tehnoloogia punktis 5A101 kirjeldatud varustuse arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. 5E990 [EST] Tehnoloogia punktis 5A990 kirjeldatud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. II osa: Infoturve Kategooria tähis ja number Nimetus Märkus 1: Infoturbe seadmete, tarkvara, süsteemide, rakendusspetsiifiliste elektroonikasõlmede, moodulite, integraallülituste, komponentide või funktsioonide kuuluvus strateegiliste kaupade nimekirja on määratletav käesoleva kategooria teises osas kirjeldatud kriteeriumide järgi, olenemata sellest, kas nad kujutavad endast teiste seadmete komponente või elektroonikasõlmi või mitte. Märkus 2: Käesoleva kategooria teine osa ei hõlma tooteid, mis on kasutajaga kaasas nende isikliku kasutamise eesmärgil. Märkus 3: Märkus krüptograafia kohta: Punktid 5A2 ja 5D2 ei hõlma tooteid, mis vastavad kõigile alljärgnevatele tingimustele: a. Nad on avalikult ja kitsendusteta saadaval jaemüügikohtades ükskõik millisel järgneval viisil: 1. letimüük 2. postimüük 3. müük elektrontehingutega või 4. telefonimüük b. Nende krüptograafilist funktsionaalsust ei saa kasutaja kergesti muuta c. Nad on määratud paigaldamiseks kasutaja oma jõududega, ilma tarnija olulise lisaabita d. Nad ei sisalda «sümmeetrilist algoritmi», mille võtmepikkus ületab 64 bitti ja e. Nende tehnilised üksikasjad on kättesaadavad ja need tehakse nõudmise korral teatavaks eksportööri maa asjaomasele asutusele nende vastavuse määramiseks käesoleva märkuse lõikudes a kuni d kirjeldatud nõuetele. Tehniline märkus: Käesoleva kategooria teises osas ei kuulu paarsusbitid võtmepikkusesse. 5A2 Süsteemid, varustus ja komponendid 5A002 [LC] a. Süsteemid, seadmed, rakendusspetsiifilised elektroonikasõlmed, moodulid ja integraallülitused infoturbeks vastavalt alljärgnevale ning muud spetsiaalselt selleks otstarbeks kasutatavad komponendid: NB: Globaalnavigatsiooni satelliitsüsteemide vastuvõtuseadmete, mis sisaldavad või kasutavad deðifreerimist (s.t GPS või GLONASS), juhtimiseks, vt alajaotis 7A005. a. 1. Määratud või modifitseeritud kasutama «krüptograafiat», rakendades digi taalmeetodeid, mis täidavad mingeid krüptograafilisi funktsioone peale autentimise või digitaalsignatuuri ning mis vastavad ükskõik millistele alljärgnevatele omadustele: Tehnilised märkused: 1. Autentimis- ja digitaalsignatuurifunktsioonid hõlmavad nendega seotud võtmehaldusfunktsioone. 2. Autentimine hõlmab kõiki pääsu (access) reguleerimise aspekte, mille puhul ei ole tegemist andmekogumite või teksti krüpteerimisega, välja arvatud volitamatu pääsu vältimiseks otseselt paroolide, personaalsete tunnusnumbrite (PIN-ide) või muude selliste andmete kaitsega seotud otstarbel. 3. «Krüptograafia» ei hõlma fikseeritud andmetihenduse ega kodeerimise meetodeid. Märkus: 5A002.a.1 hõlmab ka seadmeid, mis on määratud või modifitseeritud kasutama «krüptograafial» põhinevaid analoogprintsiipe, mis on teostatud digitaalsete meetoditega a. 1. a. «Sümmeetriline algoritm» võtmepikkusega üle 56 biti või b. «Asümmeetriline algoritm», kus algoritmi turvalisus põhineb ükskõik millisel alljärgnevaist: 1. 512 bitti ületavate täisarvude faktoriseerimine (nt RSA) 2. Diskreetsete logaritmide arvutamine lõplikul väljal moodustatud multiplikatiivses grupis, mille suurus ületab 512 bitti (nt Diffie-Hellman üle Z/pZ) või 3. Diskreetsete logaritmide arvutamine mis tahes 5A002.a.1.b.2 kirjeldamata grupis suurusega üle 112 biti (nt Diffie-Hellman üle elliptilise kõvera) 2. Määratud või modifitseeritud krüptoanalüütiliste funktsioonide täitmiseks 3. Spetsiaalselt määratud või modifitseeritud informatsiooni kandvate signaalide kompromiteeriva kiirgumise summutamiseks 4. Määratud või modifitseeritud kasutama krüptograafia-alast tehnikat genereerimaks laiendatud koodi laiendatud spektrile või vaheldamise koodi sageduse vaheldamise süsteemidele 5. Määratud või modifitseeritud andma sertifitseeritud või sertifitseeritavat «mitmetasemelist turvet» või kasutaja isoleerimist tasemel, mis ületab Trusted Computer System Evaluation Criteria (TCSEC) klassi B2 või sellele vastava 6. Sidekaablisüsteemid, mis on määratud või modifitseeritud avastamaks mehhaaniliste, elektriliste või elektrooniliste vahenditega kõrvalist (illegaalset) sisenemist süsteemi. Märkus: Punkt 5A002 ei hõlma järgnevat: a. Personaalsed kiipkaardid ja spetsiaalselt neile kaartidele määratud komponendid, mille krüptograafia-alane kasutus ei seondu käesolevas kategoorias kirjeldatud varustuse ja süsteemidega. Kui personaalne kiipkaart on multifunktsionaalne, hinnatakse selle iga funktsiooni kuuluvust strateegiliste kaupade nimekirja eraldi b. Digitaalse krüpteerimisvõimeta raadiolevi-, tasulise televisiooni- või sarnaselt piiratud audientsiga televisiooni vastuvõtuseadmed c. Dekrüpteerimise funktsioonid, mis võimaldavad kopeerimistõrjega tarkvara kasutamist ja pole kasutajale juurdepääsetavad d. Krüptograafia-alased seadmed, mis on spetsiaalselt kavandatud pangandusalaste teenuste osutamiseks e. Tsiviilotstarbelised portatiivsed või mobiiltelefonid, mis on mõeldud kasutamiseks kommertsiaalsetes kärgstruktuuriga raadiosidesüsteemides ja ei võimalda salastada kõnet kahe osapoole vahel täies ulatuses. 5B2 Testimis- ja tootmisvahendid 5B002 [W] [LC] a. Varustus, mis on spetsiaalselt määratud punktides 5A002, 5B002, 5D002 või 5E002 kirjeldatud seadmete või funktsioonide arendamiseks, kontrolliks, tootmiseks või parandamiseks b. Mõõteseadmed, mis on spetsiaalselt määratud punktides 5A002 või 5D002 kirjeldatud infoturbe funktsioonide hindamiseks või kinnitamiseks. 5C2 Materjalid ­ 5D2 Tarkvara 5D002 [W] [LC] a. Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud punktides 5A002, 5B002 või 5D002 kirjeldatud varustuse või tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks b. Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud toetamaks punktis 5E002 kirjeldatut tehnoloogiat c. Spetsiifiline tarkvara: 1. Tarkvara, mis omab punktides 5A002 või 5B002 kirjeldatud seadmete funktsioonide tunnuseid või simuleerib neid 2. Tarkvara sertifitseerimaks punktis 5D002.c.1 kirjeldatud tarkvara. 5E2 Tehnoloogia 5E002 [W] Tehnoloogia punktides 5A002, 5B002 või 5D002 kirjeldatud seadmete või tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. 6. kategooria: Sensorid ja laserid Kategooria tähis ja number Nimetus 6A Süsteemid, varustus ja komponendid 6A001 [W] [LC] Akustika: a. Mereakustikasüsteemid, seadmed ja spetsiaalselt neile määratud komponendid: 1. Aktiivsüsteemid (saate- või saate- ja vastuvõtusüsteemid), seadmed ja spetsiaalselt neile määratud komponendid: Märkus: Punkt 6A001.a.1 ei hõlma akustilisi avariimajakaid. a. Batümeetrilised mõõtesüsteemid, mis on määratud merepõhja topograafiliseks kaardistamiseks ning omavad kõike järgnevat: 1. Määratud mõõtmiste läbiviimiseks nurga all, mis ületab 20o vertikaali suhtes 2. Määratud mõõtmiste läbiviimiseks sügavustes, mis ületavad 600 m vee pealispinna suhtes b. Objektide avastamise ja asukoha kindlaksmääramise süsteemid, mis omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Saatesagedusega alla 10 kHz 2. Sagedusribal 10 kHz kuni 24 kHz töötavate seadmete helitase ületab 224 dB 3. Sagedusribal 24 kHz kuni 30 kHz töötavate seadmete helitase ületab 235 dB 4. Kavandatud tegevusraadius ületab 5120 m või 5. Kavandatud tööoperatsioonide täitmiseks sügavustel, mis ületavad 1000 m 6. Varustatud rõhu dünaamilise kompensatsiooni anduritega. c. Akustilised projektorid, kaasa arvatud sensorid, mis sisaldavad piesoelektrilisi-, magnetostriktsioon-, elektrostriktsioon-, elektrodünaamilisi- või hüdraulilisi elemente, mis toimivad individuaalselt või kavandatud kombinatsioonis ja omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Töösagedustel alla 10 kHz opereerivate seadmete hetkeline helikiirgusvõimsuse tihedus ületab 0,01 mW/mm2/Hz 2. Töösagedustel alla 10 kHz opereerivate seadmete pideva helikiirgusvõimsuse tihedus ületab 0,001 mW/mm2/Hz 3. Kavandatud tööoperatsioonide täitmiseks sügavustel, mis ületavad 1000 m. 4. Karakteristiku külghõlma supressioon ületab 22 dB. d. Akustilised süsteemid, seadmed ja spetsiaalselt neile määratud komponendid, mis on määratud laevade ja allveelaevade asukoha kindlaksmääramiseks ning omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Kavandatud tegevusraadius ületab 1000 m ning asukoha kindlaksmääramise ruutkeskmine täpsus on väiksem kui 10 m või 2. Kavandatud tööoperatsioonide täitmiseks sügavustel, mis ületavad 1000 m. 2. Passiivsüsteemid (vastuvõtusüsteemid), seadmed ja spetsiaalselt neile määratud komponendid: a. Hüdrofonid (sensorid), millel on ükskõik milline järgnev omadus: 1. Sisaldavad elastseid andureid või anduri elemente, mille diameeter või pikkus ei ületa 20 mm ning elementide vaheline eraldatus ei ületa 20 mm 2. Omavad ükskõik milliseid järgnevaid tundlikke elemente: a. Optilised kiud b. Piesoelektrilised polümeerid või c. Elastsed piesoelektrilised keraamilised materjalid 3. Hüdrofonid tundlikkusega parem kui 180 dB ­ igal sügavusel ilma igasuguse kiirenduse kompensatsioonita 4. Kui tööoperatsioonide täitmine on kavandatud sügavustele, mis ei ületa 35 m, on hüdrofonide tundlikkus koos kiirenduse kompensatsiooniga parem kui -186 dB 5. Kui tööoperatsioonide täitmine on kavandatud sügavustele, mis ületavad 35 m, on hüdrofonide tundlikkus koos kiirenduse kompensatsiooniga parem kui -192 dB 6. Kui tööoperatsioonide täitmine on kavandatud sügavustele, mis ületavad 100 m, on hüdrofonide tundlikkus koos kiirenduse kompensatsiooniga parem kui -204 dB või 7. Kavandatud tööoperatsioonide täitmiseks sügavustel, mis ületavad 1000 m. b. Pukseeritavad jadamisi ühendatud(-vad) hüdrofonid, mis omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Hüdrofonide grupp, mis on jaotatud vähem kui 12,5 m ulatuses 2. Hüdrofonide grupp, mis on jaotatud vahemiku 12,5 m kuni 25 m ulatuses ning on määratud või modifitseeritav tööoperatsioonide täitmiseks sügavustel, mis ületavad 35 m 3. Hüdrofonide grupp, mis on jaotatud enam kui 25 m ulatuses ning on määratud tööoperatsioonide täitmiseks sügavustel, mis ületavad 100 m 4. Punktis 6A001.a.2.c kirjeldatud sensorid 5. Pikisuunas armeeritud jadalõdvikutega 6. Vastavad punktis 6A001.a.2.a kirjeldatud hüdrofonide omadustele. c. Sensorid, millel on kõik järgnev: 1. Täpsusega parem kui ±0,5o, ja 2. Määratud kasutamiseks jadalõdvikutes või liidetuna lõdvikute pinnale ja kavandatud tööoperatsioonide täitmiseks sügavustel, mis ületavad 35 m või 3. Varustatud kohandatavate või eemaldatavate sügavust määravate seadmetega töötamaks sügavustel, mis ületavad 35 m. b. Korrelatsioonikiiruse hüdrolokatsiooni logiseadmed, mis on kavandatud seadmete kandja horisontaalkiiruse mõõtmiseks merepõhja suhtes, kui vahemik merepõhja ja kandja vahel ületab 500 m. 6A002 [W] [M] Optilised sensorid: a. Optilised detektorid: Märkus: Punkt 6A002.a ei hõlma germaaniumist ja ränist fotoseadmeid 1. «Kosmosekindlad» tahkisdetektorid, mis omavad kõike järgnevat: a. «Kosmosekindlad» tahkisdetektorid, millel on kõik järgnevad omadused: 1. Tippülekanne lainepikkuse ulatuses ületab 10 nm, kuid on lühem kui 300 nm ja 2. Tippülekanne lainepikkuse ulatuses ületab 400 nm b. «Kosmosekindlad» tahkisdetektorid, mis omavad kõike järgnevat: 1. Tippülekanne lainepikkuse ulatuses ületab 900 nm, kuid on lühem kui 1200 nm ja 2. Ülekande ajakonstant (reaktsiooniaeg) on lühem kui 95 ns c. «Kosmosekindlad» tahkisdetektorid, mille tippülekanne lainepikkuse ulatuses ületab 1200 nm, kuid on lühem kui 30 000 nm. 2. Fotokordistusseadmed ja spetsiaalselt nende jaoks määratud komponendid: a. Fotokordistusseadmed, millel on kõik järgnev: 1. Tippülekanne lainepikkuse ulatuses ületab 400 nm, kuid on lühem kui 1050 nm 2. Mikrokanali taustpilt elektrooniliste kujutiste võimendamiseks, maskisammuga (centre-to-centre spacing) 15 µm või vähem ja 3. Fotokatoodid: a. S-20, S-25 või leelisfotokatoodid, mille valgustundlikkus ületab 240 µA/lm b. GaAs või GaInAs fotokatoodid või c. Muud Mendelejevi perioodilisussüsteemi tabeli IIIA ja VA grupi elementidest pooljuhtfotokatoodid. b. Spetsiaalselt kavandatud komponendid: 1. Mikrokanali taustpildid maskisammuga 15 µm või vähem 2. GaAs või GaInAs fotokatoodid 3. Muud Mendelejevi perioodilisussüsteemi tabeli IIIA ja VA grupi elementidest pooljuhtfotokatoodid. 3. «Mitte-kosmosekindlad» fokaaltasandimassiivid: Märkused: Punktis 6A002.a.3 nimetatud fokaaltasandimassiive käsitletakse käesoleva kategooria lõikes lineaarsete või kahemõõtmeliste paljuelemendiliste detektorantennivõredena Punkt 6A002.a.3 hõlmab ka fotojuhtivuslikke ja fotogalvaanilisi antennivõresid Punkt 6A002.a.3 ei hõlma ränist fokaaltasandimassiive, paljuelemendilisi (mitte üle 16 elemendi) kaitseümbrisesse kapseldatud fototakisteid või püroelektrilisi detektoreid, mis kasutavad ükskõik millist järgnevat: a. Pliisulfiid b. Triglütsiinsulfaat c. Pliilantaantsirkooniumtitanaat d. Liitiumtantalaat e. Polüvinülideenfluoriid f. Strontsiumbaariumniobaat või g. Pliiseleniid. a. «Mitte-kosmosekindlad» fokaaltasandimassiivid, millel on kõik järgnev: 1. Elemendid, mille tippülekanne lainepikkuse ulatuses ületab 900 nm, kuid on lühem kui 1050 nm ja 2. Ülekande ajakonstant (reaktsiooniaeg) on lühem kui 0,5 ns b. «Mitte-kosmosekindlad» fokaaltasandimassiivid, millel on kõik järgnev: 1. Elemendid, mille tippülekanne lainepikkuse ulatuses ületab 1050 nm, kuid on lühem kui 1200 nm ja 2. Ülekande ajakonstant (reaktsiooniaeg) on lühem kui 95 ns c. «Mitte-kosmosekindlad» fokaaltasandimassiivid, millel on elemente, mille tippülekanne lainepikkuse ulatuses ületab 1200 nm, kuid on lühem kui 30 000 nm. b. Monospektraalsed videotehnilised sensorid ja multispektraalsed videotehnilised sensorid, mis on määratud kaugjuhtimisega jälgimisseadmetele, mis omavad ükskõik millist järgnevat: 1. «Hetkeline vaateväli» (IFOV) on väiksem kui 200 µrad või 2. Kavandatud tööoperatsioonideks lainepikkustel 400 nm kuni 30 000 nm 3. «Kosmosekindel». c. «Vahetu vaatega» videotehnilised seadmed, mis opereerivad nähtavas või infrapunases spektris ja sisaldavad ükskõik millist järgnevat: 1. Punktis 6A002.a.2.a kirjeldatud fotokordistusseadmed või 2. Punktis 6A002.a.3 kirjeldatud fokaaltasandimassiivid. Tehniline märkus: Punktis 6A002.c kasutamist leidnud väljend «vahetu vaatega» vihjab videotehnilistele seadmetele, mis opereerivad nähtavas või infrapunases spektris ja esitavad inimvaatlejale nähtava kujundi, konverteerimata seda elektrooniliseks signaaliks, võimaldamata esitatavaid kujutusi elektrooniliselt, fotograafiliselt ega mõnel muul viisil säilitada ega salvestada. d. Optilistele sensoritele spetsiaalselt määratud komponendid: 1. «Kosmosekindel» krüogeenne sügavjahutustehnika 2. «Mitte-kosmosekindel» krüogeenne sügavjahutustehnika, mille jahutusallika temperatuur on madalam kui 218 K (-55 oC): a. Suletud ringprotsessitüübiga, mille kindlaksmääratud keskmine hälvetevaba või hälvetevaheline tööaeg ületab 2500 tundi b. Joule'i-Thomsoni isereguleeruvad minijahutid. 3. Optilise tundlikkusega kiud, mis on koostise, struktuuri või pinnakatte järgi modifitseeritult akustiliselt, termiliselt, inertsiaalselt, elektromagnetiliselt või tuumaradiatsiooni tundlikud. e. «Kosmosekindlad» fokaaltasandimassiivid, millel on enam kui 2048 elementi massiivi kohta, mille tippülekanne lainepikkuse ulatuses ületab 300 nm, kuid on lühem kui 900 nm 6A003 [W] [N] Kaamerad: a. Instrumentaalkaamerad: 1. Kiirfilmikaamerad, mis kasutavad 8 mm kuni 16 mm filmiformaati, filmi pideva etteandega salvestamisperioodi jooksul, kaadrijoondamiskiirusega üle 13150 kaadri sekundis Märkus: Punkt 6A003.a.1 ei hõlma üldkasutatavaid tsiviilotstarbelisi filmikaameraid. 2. Mehaanilised kiirkaamerad, milles film ei liigu ja mille salvestuskiirus ületab 1 000 000 kaadrit sekundis 3. Mehaanilised või elektroonilised voolkaamerad, mille kirjutuskiirus ületab 10 mm/µs 4. Elektroonilised kaaderkaamerad, mille kiirus ületab 1 000 000 kaadrit sekundis 5. Elektroonilised kaamerad, millel on kõik järgnev: a. Elektroonilise katiku kiirus on lühem kui 1 µs ühe täiskaadri kohta ja b. Lugemisaeg võimaldab kaadrijoondamist kiirustel 125 täiskaadrit sekundis. [N] b. Videotehnilised kaamerad: Märkus: Punkt 6A003.b ei hõlma spetsiaalselt televisioonileviedastuse jaoks määratud televisiooni- ja videokaameraid. 1. Videokaamerad, mis sisaldavad tahkis-andureid ja omavad ükskõik millist järgnevat: a. Monokroomkaamerad (must-valge) enam kui 4×106 aktiivpikseliga tahkismassiivi kohta b. Värvikaamerad, mis sisaldavad kolme tahkismassiivi, enam kui 4×106 aktiivpikseliga tahkismassiivi kohta või c. Tahkismassiiviga värvikaamerad, mis sisaldavad ühte tahkismassiivi, enam kui 12×106 aktiivpikseliga. 2. Laotuskaamerad ja laotuskaamerate süsteemid, millel on kõik järgnev: a. Lineaardetektormassiivid enam kui 8192 elemendiga massiivi kohta ja b. Mehaanilise laotusega ühes suunas. 3. Videotehnilised kaamerad, mis sisaldavad punktis 6A002.a.2.a kirjeldatud fotokordistusseadmeid 4. Videotehnilised kaamerad, mis sisaldavad punktis 6A002.a.3 kirjeldatud fokaaltasandimassiive. 6A004 Optika: [W] a. Optilised peeglid (reflektorid): 1. Deformeeritavad peeglid pideva või paljuelemendilise pinnakihiga ja spetsiaalselt neile määratud komponendid, mis võimaldavad peegli pinnakihi osade dünaamilist repositsioneerimist tasemetel, mis ületavad 100 Hz 2. Kergekaalulised monoliitsed peeglid keskmise ekvivalenttihedusega (pindtihedusega) alla 30 kg/m2 ja täismassiga üle 10 kg 3. Kergekaalulised komposiitse või poorse struktuuriga peeglid, mille keskmine ekvivalenttihedus on väiksem kui 30 kg/m2 ja täismass üle 2 kg 4. Kiirejuhtimispeeglid diameetriga või peatelje pikkusega üle 100 mm, pinna siledusega lambda/2 või parem (lambda on võrdne 633 nm-ga), mille juhtribalaius ületab 100 Hz. b. Tsinkseleniidist (ZnSe) või tsinksulfiidist (ZnS) valmistatud optilised komponendid, mille edastusvõime lainepikkuse ulatuses ületab 3000 nm, kuid on lühem kui 25 000 nm, mis omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Mahuga enam kui 100 cm3 või 2. Diameetri või peatelje pikkusega üle 80 mm ja paksusega (sügavus) üle 20 mm. c. «Kosmosekindlad» optikasüsteemide komponendid: 1. Vähendatud ekvivalenttihedusega, mis on väiksem kui 20% samaväärse paksuse ja apertuuriga tahkistooriku ekvivalenttihedusest 2. Optikakomponentide katmata või ühe- ja mitmekihiliste metalsete, dielektriliste, juhtivate, pooljuhtivate või isoleerivate katetega või kaitsekelmetega kaetud põhimikud 3. Peeglisegmendid või -komplektid, mis on määratud montaaþiks kosmoses opereerivatele optikasüsteemidele 4. Valmistatud komposiitmaterjalidest, mille lineaarne soojuspaisumistegur mis tahes suunas ei ületa 5×10-6. d. Optilised kontrollseadmed: 1. Spetsiaalselt määratud punktides 6A004.c.1 või 6A004.c.3 kirjeldatud «kosmosekindlate» komponentide pinnakuju või orientatsiooni säilitamiseks 2. Suunamis-, jälgimis-, stabiliseerimis- või resonaatori justeerimise ribalaius 100 Hz või enam, tüürimisveaga 10 µrad või vähem 3. Kardaanriputid, millel on kõik järgnev: a. Maksimaalne pöördenurk ületab 5o b. Ribalaiusega 100 Hz või enam c. Nurga fikseerimise veaga 200 µrad või vähem ja d. Omades ükskõik millist järgnevat: 1. Diameetri või peatelje pikkus ületab 0,15 m, kuid on lühem kui 1 m ja võimaldab nurkkiirendust 2 rad/s2 või 2. Diameetri või peatelje pikkusega ületab 1 m ja võimaldab nurkkiirendust 0,5 rad/s2. 4. Seadmed, mis on spetsiaalselt määratud justeeringu hoidmiseks faseeritud segmentpeegelsüsteemidele, mille segmendi diameeter või peatelje pikkus on 1 m või enam. 6A005 [W] Laserid, muud kui punktides 0B001.g.5 või 0B001.h.6 kirjeldatud ja neile määratud komponendid ja optiline varustus: Märkused: 1. Impulsslaserite hulka kuuluvad ka need laserid, mis töötavad pidevlaine (CW) moodusel koos lisatud impulssidega. 2. Impulssergastusega laserite hulka kuuluvad ka need laserid, mis töötavad pidevergastusmoodusel koos lisatud impulssergastusega. 3. Kombinatsioon- ehk RAMAN-laserite kontrollparameetrid on kindlaks määratud pumpamismeetodil toimivate laserite all. Pumpamismeetodil toimivate laseritena võib käsitleda iga järgnevalt kirjeldatud laserit. a. Gaaslaserid: 1. Eksimeerlaserid, millel on ükskõik milline järgnev omadus: a. Laserkiirguse lainepikkus ei ületa 150 nm ja: 1. Impulsi energia ületab 50 mJ või 2. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W b. Laserkiirguse lainepikkus ületab 150 nm, kuid on lühem kui 190 nm ja: 1. Impulsi energia ületab 1,5 J või 2. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 120 W [N] c. Laserkiirguse lainepikkus ületab 190 nm, kuid on lühem kui 360 nm ja: 1. Impulsi energia ületab 10 J või 2. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 500 W d. Laserkiirguse lainepikkus ületab 360 nm ja: 1. Impulsi energia ületab 1,5 J või 2. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 30 W. 2. Metalliaurudel töötavad laserid: a. Cu laserid, mille keskmine või CW väljundvõimsus ületab 20 W b. Au laserid, mille keskmine või CW väljundvõimsus ületab 5 W c. Na laserid, mille väljundvõimsus ületab 5 W d. Ba laserid, mille keskmine või CW väljundvõimsus ületab 2 W. 3. Süsinikoksiidlaserid (CO), millel on ükskõik milline järgnev omadus: a. Impulsienergia ületab 2 J ja impulsi tippvõimsus ületab 5 kW või b. Keskmine võimsus või CW väljundvõimsus ületab 5 kW. 4. Süsinikdioksiidlaserid (CO2), millel on ükskõik milline järgnev omadus: a. CW väljundvõimsus ületab 15 kW b. Laserkiirguse impulsi pikkus ületab 10 µs ja: 1. Keskmine väljundvõimsus ületab 10 kW või 2. Impulsi tippvõimsus ületab 100 kW või c. Laserkiirguse impulsi pikkus on väiksem (lühem) või võrdne 10 µs ja: 1. Impulsi energia ületab 5 J või 2. Keskmine väljundvõimsus ületab 2,5 kW. 5. Kemolaserid: a. Vesinikfluoriidlaserid (HF) b. Deuteeriumfluoriidlaserid (DF) c. Molekulaarlaserid: 1. Hapnikjood(O2-I)laserid 2. Deuteeriumfluoriid-süsinikdioksiidlaserid (DF-CO2). 6. Gaaslahendus- ja ioonlaserid (s.t krüptoonioon- või argoonioonlaserid), millel on ükskõik milline järgnev omadus: a. Impulsienergia ületab 1,5 J impulsi kohta ja impulsi tippvõimsus ületab 50 W või b. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 50 W 7. Muud gaaslaserid, välja arvatud lämmastiklaserid, millel on ükskõik milline järgnev omadus: a. Laserkiirguse lainepikkus ei ületa 150 nm ja: 1. Impulsienergia ületab 50 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või 2. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W b. Laserkiirguse lainepikkus ületab 150 nm, kuid on lühem kui 800 nm ja: 1. Impulsienergia ületab 1,5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 30 W või 2. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 30 W c. Laserkiirguse lainepikkus ületab 800 nm, kuid on lühem kui 1400 nm ja: 1. Impulsienergia ületab 0,25 J ja impulsi tippvõimsus ületab 10 W või 2. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 10 W või d. Laserkiirguse lainepikkus ületab 1400 nm ja keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W. b. Üksikud üheristmoodilised pooljuhtlaserid ja üksikud mitmeristmoodilised pooljuhtlaserid, millel on ükskõik milline järgnev omadus: Tehniline märkus: Pooljuhtlasereid nimetatakse ka dioodlaseriteks. Märkused: Kontrollparameetrid pooljuhtlaseritele, mis on spetsiaalselt määratud mingitele teistele seadmetele, on sätestatud nendele seadmetele kehtestatud kontrollparameetritega. 1. Impulsienergia ületab 500 µJ ja impulsi tippvõimsus ületab 10 W või 2. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 10 W. c. Tahkislaserid: 1. Muudetava laserkiirguse lainepikkusega laserid, millel on ükskõik milline järgnev omadus: Märkus: Punkt 6A005.c.1 hõlmab titaan-safiir (Ti: Al2O3)-, tuulium-YAG (Tm: YAG)-, tuulium-YSGG (Tm: YSGG)-, aleksandriit (Cr: BeAl2O4)- ja värvustsenterlasereid. a. Laserkiirguse lainepikkus on lühem kui 600 nm ja: 1. Impulsienergia ületab 50 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või 2. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W [N] b. Laserkiirguse lainepikkus ületab 600 nm, kuid on lühem kui 1400 nm ja: 1. Impulsienergia ületab 1 J ja impulsi tippvõimsus ületab 20 W või 2. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 20 W või c. Laserkiirguse lainepikkus ületab 1400 nm ja: 1. Impulsienergia ületab 50 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või 2. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W. 2. Mitteadjusteeritavad laserid: Märkus: Punkt 6A005.c.2 hõlmab ka aatomsiirdetahkislasereid. a. Neodüümklaaslaserid: 1. Q-lülitusega laserid, millel on ükskõik milline järgnev omadus: a. Impulsienergia ületab 20 J, kuid on väiksem kui 50 J ja keskmine väljundvõimsus ületab 10 W või b. Impulsienergia ületab 50 J 2. Mitte-Q-lülitusega laserid, millel on ükskõik milline järgnev omadus: a. Impulsienergia ületab 50 J, kuid on väiksem kui 100 J ja keskmine väljundvõimsus ületab 20 W või b. Impulsienergia ületab 100 J b. Neodüümergastusega laserid (välja arvatud neodüümklaaslaserid), mille laserkiirguse lainepikkus ületab 1000 nm, kuid on lühem kui 1100 nm: 1. Impulssergastusega kitsaribalised Q-lülitusega laserid, mille laserkiirguse impulsipikkus on lühem kui 1 ns ja: a. Impulsi tippvõimsus ületab 5 GW b. Keskmine väljundvõimsus ületab 10 W või c. Impulsienergia ületab 0,1 J 2. Impulssergastusega Q-lülitusega laserid laserkiirguse impulsi pikkusega 1 ns või enam ja: a. Üheristmoodilise väljundkiirgusega: 1. Tippvõimsus ületab 100 MW 2. Keskmine väljundvõimsus ületab 20 W või 3. Impulsi energia ületab 2 J või b. Mitmeristmoodilise väljundkiirgusega: 1. Tippvõimsus ületab 400 MW 2. Keskmine väljundvõimsus ületab 2 kW või 3. Impulsi energia ületab 2 J 3. Impulssergutusega mitte-Q-lülitusega laserid: a. Üheristmoodilise väljundkiirgusega: 1. Tippvõimsus ületab 500 kW või 2. Keskmine väljundvõimsus ületab 150 W või b. Mitmeristmoodilise väljundkiirgusega: 1. Tippvõimsus ületab 1 MW või 2. Keskmine võimsus ületab 2 kW 4. Pidevergastamisega laserid: a. Üheristmoodilise väljundkiirgusega: 1. Tippvõimsus ületab 500 kW või 2. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 150 W või b. Mitmeristmoodilise väljundkiirgusega: 1. Tippvõimsus ületab 1 MW või 2. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 2 kW [N] c. Muud mitteadjusteeritavad laserid, millel on ükskõik milline järgnev omadus: 1. Laserkiirguse lainepikkus on lühem kui 150 nm ja: a. Impulsienergia ületab 50 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või b. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W 2. Laserkiirguse lainepikkus ületab 150 nm, kuid on lühem kui 800 nm ja: a. Impulsienergia ületab 1,5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 30 W või b. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 30 W 3. Laserkiirguse lainepikkus ületab 800 nm, kuid on lühem kui 1400 nm: a. Q-lülitusega laserid: 1. Impulsienergia ületab 0,5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 50 W või 2. Keskmine väljundvõimsus ületab: a. 10 W ühemoodilistel laseritel b. 30 W mitmemoodilistel laseritel b. Mitte-Q-lülitusega laserid: 1. Impulsienergia ületab 2 J ja impulsi tippvõimsus ületab 50 W või 2. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 50 W või 4. Laserkiirguse lainepikkus ületab 1400 nm ja: a. Impulsienergia ületab 100 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või b. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W. d. Värvlaserid ja muud vedeliklaserid, millel on ükskõik milline järgnev omadus: 1. Laserkiirguse lainepikkus on lühem kui 150 nm: a. Impulsienergia ületab 50 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või b. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W. 2. Laserkiirguse lainepikkus ületab 150 nm, kuid on lühem kui 800 nm ja millel on ükskõik milline järgnev: a. Impulsienergia ületab 1,5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 20 W b. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 20 W või c. Üksik-longitudinaalne ostsillaator keskmise väljundvõimsusega enam kui 1 W ja impulsside kordussagedusega üle 1 kHz, kui impulsi pikkus on lühem kui 100 ns. 3. Laserkiirguse lainepikkus ületab 800 nm, kuid on lühem kui 1400 nm: a. Impulsienergia ületab 0,5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 10 W või b. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 10 W või 4. Laserkiirguse lainepikkus ületab 1400 nm: a. Impulsienergia ületab 100 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või b. Keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W. e. Komponendid: 1. Peeglid, mille jahutamine toimub kas aktiivjahutuse või soojuskanduri jahutamise meetodil. Tehniline märkus: Aktiivjahutus on spetsiifiline optilistele komponentidele määratud jahutusviis, mille käigus kõrvaldatakse optilise komponendi pinnal tekkiv soojus tema välispinna alt läbivoolava vedeliku abil. 2. Optilised peeglid, täieliku või osalise edastusega optilised või elektro-optilised komponendid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks käesolevas kategoorias kirjeldatud laserites. f. Optilised seadmed: 1. Dünaamilist lainefronti mõõtvad seadmed, mis võimaldavad kiire lainefrondil kaardistada vähemalt 50 positsiooni ja millel on ükskõik milline järgnev omadus: a. Kaadri sagedusmääraga 100 Hz või enam ja vähemalt 5%-lise kiire lainepikkuse faasi diskrimineerimisega või b. Kaadri sagedusmääraga 1000 Hz või enam ja vähemalt 20%-lise kiire lainepikkuse faasi diskrimineerimisega. 2. Laserdiagnostika seadmed, mis võimaldavad mõõta «SHPL» (Super-High Power Laser) süsteemi kiirejuhtimise nurgavigu, mis on võrdsed või väiksemad kui 10 µrad. 3. Projektsiooniteleskoobid, mis on spetsiaalselt määratud rakendamiseks SHPL süsteemides. 6A006 [W] Magnetomeetrid, magnetgradiomeetrid, seesmised magnetilised gradiendimõõturid ja kompensatsiooni süsteemid ning spetsiaalselt neile määratud komponendid: Märkus: Punkt 6A006 ei hõlma seadmeid, mis on määratud meditsiinidiagnostikas biomagnetiliste mõõtmiste korraldamiseks. a. Magnetomeetrid, mis kasutavad «ülijuhtivat», optilise ergutuse või tuumapretsessiooni tehnoloogiat, mille «müra taseme» (tundlikkus) ruutkeskmine on väiksem (parem) kui 0,05 nT sageduse ruutjuure kohta b. Induktormagnetomeetrid, mille «müra taseme» (tundlikkus) ruutkeskmine on väiksem (parem) kui ükskõik milline järgnev: 1. 0,05 nT/ sageduse ruutjuur, sagedustel alla 1 Hz 2. 1×10-3 nT/sageduse ruutjuur, sagedustel 1 Hz kuni 10 Hz või 3. 1×10-4 nT/sageduse ruutjuur, sagedustel , mis ületavad 10 Hz. c. Kiudoptilised magnetomeetrid, mille «müra taseme» (tundlikkus) ruutkeskmine on väiksem (parem) kui 1 nT sageduse ruutjuure kohta. d. Magnetgradiomeetrid, mis sisaldavad punktides 6A006.a, 6A006.b või 6A006.c kirjeldatud kombineeritud magnetomeetreid. e. Kiudoptilised seesmised magnetilised gradiendimõõturid, mille «mürataseme» (tundlikkus) ruutkeskmine magnetvälja gradiendi suhtes on väiksem (parem) kui 0,3 nT/m sageduse ruutjuure kohta f. Seesmised magnetilised gradiendimõõturid, muud kui kiudoptilised, mille «mürataseme» (tundlikkus) ruutkeskmine magnetvälja gradiendi suhtes on väiksem (parem) kui 0,015 nT/m sageduse ruutjuure kohta g. Magnetsensorite magnetilise kompensatsiooni süsteemid, mis on määratud tööülesannete täitmiseks liikuvatel alusplatvormidel. h. Ülijuhtivad elektromagnetilised sensorid, mis sisaldavad ülijuhtivatest materjalidest komponente: 1. Määratud tööülesannete täitmiseks temperatuuril, mis on madalam vähemalt ühe ülijuhtivast materjalist koostisosa «kriitilisest temperatuurist» (kaasa arvatud Josephsoni efekti seadmed või ülijuhtivad kvantinterferentsi seadmed (SQUIDS) Tehniline märkus: «kriitiline temperatuur» ­ temperatuur, mille juures materjal kaotab täielikult oma elektrilise takistuse. 2. Kavandatud tajuma elektromagnetilise välja variatsioone, sagedustel 1 kHz või vähem ja 3. Ükskõik milliseid järgnevaid omadusi omavad: a. Sisaldavad õhekelme SQUIDS'e, mille vähim suurus on väiksem kui 2 µm koos ühendatud sisend- ja väljundsidestusahelaga b. Määratud tööülesannete täitmiseks maad ümbritsevas magnetväljas ilma magnetilise kaitseta või c. Temperatuuritegur on väiksem kui 0,1 magnetvoo kvant/K. 6A007 [W] Gravimeetrid ja gravitatsiooni gradiomeetrid: a. Gravimeetrid maapealseks kasutamiseks, mille staatiline täpsus on vähem (parem) kui 10 µgal. Märkus: Punkt 6A007.a ei hõlma kvartselemendist gravimeetreid, mis on mõeldud maapealseks kasutamiseks. [M] b. Gravimeetrid, mis on määratud kasutamiseks liikuvatel alusplatvormidel, maapinnal, laevadel, vee all, kosmoses ja õhus, mille staatiline täpsus on vähem (parem) kui 0,7 mgal ja operatsioonitäpsusega vähem (parem) kui 0,7 mgal. [M] c. Gravitatsiooni gradiomeetrid. 6A008 [W] [M] Radarisüsteemid, seadmed ja varustus ning spetsiaalselt nende tarbeks määratud komponendid, millel on ükskõik milline järgnev omadus: Märkus: Punkt 6A008 ei hõlma järgnevat: 1. Seire sekundaarradarid (SSR) 2. Autoradarid, mis on määratud kokkupõrgete ärahoidmiseks 3. Meteoroloogia (ilmastiku) radarid 4. Maanteeliikluse kontrolliks määratud radarid. a. Keskmise väljundvõimsusega enam kui 100 mW ja töösagedusega vahemikus 40 GHz kuni 230 GHz b. Muudetava sagedusribaga, mille võimalik variatsioon keskmise töösageduse suhtes ületab ±6,25% c. Võimaldab üheaegselt opereerida kahe või enama kandja sagedustel d. Võimaldab opereerida sünteesantenniga radari (SAR), pöördsünteesantenniga radari (ISAR) või kõrvalevaatega õhuskasutatavate radarite (SLAR) moel e. Sisaldab elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antenne. f. Võimaldavad määrata ennast mitte-identifitseerivate (non-cooperative) sihtmärkide kõrgust g. Spetsiaalselt määratud õhus kasutamiseks ja liikuvate sihtmärkide avastamiseks ning on varustatud dopplerradariga suuremate kui 1 km/s kiiruste mõõtmiseks h. Radarisignaalide töötlemiseks kasutatav tehnika, mis kasutavad ükskõik millist järgnevat: 1. Radari spektri laiendamise tehnika või 2. Radari sageduse vaheldamise tehnika. i. Maapealsete tööoperatsioonide teostamiseks, mille maksimaalne tegevusraadius radarikuvaril ületab 185 km j. «Laserradarid» või lidarseadmestik (light detection and ranging equipment), millel on ükskõik milline järgnev omadus: 1. «Kosmosekindel» või 2. Rakendavad koherentset heterodüün- või homodüünavastamistehnikat, omades nurgaeraldusvõimet, mis on väiksem (parem) kui 20 µrad Märkus: Punkt 6A008.i ei hõlma lidarseadmestikku, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks maamõõtmisel ja meteoroloogilistel vaatlustel. k. Varustatud signaalide töötlemise alamsüsteemidega, mis rakendavad «impulsi kokkusurumise» tehnikat (ajalist) ja omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Impulsi kokkusurumise suhe ületab 150 või 2. Impulsi vältusega vähem kui 200 ns või l. Varustatud andmetöötlemise alamsüsteemidega, mis omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Automaatne sihtmärgi järgimine, mille väljund näitab iga antennipöörde jooksul sihtmärgi kõige enam tõenäolisema asukoha reaalajas 2. Sihtmärgi hetkelise kiiruse arvutamine primaarradari poolt 3. Sihtmärgi tunnuste (lainekuju või kujundlikkus) automaatse töötlemise võimega, sihtmärgi identifitseerimise või klassifitseerimise eesmärgil 4. Sihtmärgi andmete superpositsioneerimine ja korreleerimine kahe või enama geograafiliselt hajutatud ja vaheühendusega radari anduri poolt, mis võimaldab suurendada ja eraldada sihtmärke. Märkus: Punkt 6A008.k.4 ei hõlma süsteeme, varustust ega komponente, mis on kasutatavad mereliikluse kontrolli eesmärkidel. 6A102 [M] Detektorid, mis omavad kõrgendatud vastupanuvõimet kiirguse (radiatsiooni) suhtes, muud kui punktis 6A002 kirjeldatud, mis on kasutatavad terviklike raketisüsteemide juures ning määratud taluma radiatsiooni, mille maksimaalne doos ületab 5×105 rads (Si). Märkus: Punktis 6A102 kirjeldatud detektorid on määratletud kui mehaanilised, elektri-, optika- või keemiaseadised, mis automaatselt identifitseerivad ja salvestavad või registreerivad selliseid nähtusi nagu keskkonna temperatuuri või rõhu muutus, elektrilisi või elektromagnetilisi signaale, või radiatsiooni. 6A107 [M] Komponendid, mis on spetsiaalselt määratud punktides 6A007.b ja 6A007.c kirjeldatud gravimeetritele ja gravitatsiooni gradiomeetritele. 6A108 Radarisüsteemid ja jälgimissüsteemid, muud kui punktis 6A008 kirjeldatud: [M] a. Radari- ja laserradarisüsteemid, mis on määratud või modifitseeritud kasutamiseks punktides 9A004 või 9A104 kirjeldatud süsteemides [M] b. Täppisjälgimissüsteemid, mis on kasutatavad terviklike raketisüsteemide juures: 1. Jälgimissüsteemid, mis võimaldavad määrata lennuaegset positsiooni ja kiirust reaalajas 2. Kauguse järgimise radarid, millel on kõik järgnevad omadused: a. Nurgaeraldusvõime parem kui 3 milliradiaani b. 30 km või enama ulatuses on kauguse eraldusvõime ruutkeskmine parem kui 10 m c. Kiiruse eraldusvõime parem kui 3 m/s. 6A202 [N] Fotokordistitorud, mille fotokatoodi pindala ületab 20 cm2 ja anoodimpulsi tõusuaeg on lühem kui 1 ns. 6A203 Kaamerad ja komponendid, muud kui punktis 6A003 kirjeldatud: [N] a. Mehaanilised pöördpeegelkaamerad ja spetsiaalselt neile määratud komponendid: 1. Kaaderkaamerad, mille salvestuskiirus ületab 225 000 kaadrit sekundis või 2. Voolkaamerad, mille kirjutuskiirus ületab 0,5 mm mikrosekundis. b. Elektroonilised vool- ja kaaderkaamerad ning pilditorud: 1. Elektroonilised voolkaamerad, mille lahutusaeg on lühem (parem) kui 50 ns 2. Elektroonilised kaaderkaamerad, mille kaadri säriaeg on 50 ns või vähem 3. Kaader(elektron)torud ja tahkis-pildisensorid, mis on määratud kasutamiseks koos punktis 6A203.b kirjeldatud kaameratega. [N] c. Televisioonikaamerad või neile määratud läätsed, mis omavad kõrgendatud vastupanuvõimet kiirguse (radiatsiooni) suhtes ning on määratud taluma radiatsiooni, mille maksimaalne doos ületab 50×103 Gy (Si) ilma tööoperatsioone katkestamata. 6A205 Laserid, muud kui punktides 0B001.g.5, 0B001.h.6 ja 6A005 kirjeldatud: [N] a. Argoonioonlaserid, mille keskmine väljundvõimsus ületab 40 W, lainepikkustel 400 nm kuni 515 nm b. Adjusteeritavad ühemoodilised impulss-värviostsillaatorid, mille keskmine väljundvõimsus ületab 1 W, kordumissagedus on suurem kui 1 kHz, impulsi kestusega vähem kui 100 ns, lainepikkustel 300 nm kuni 800 nm c. Adjusteeritavate ipulss-värvilaserite võimendid ja ostsillaatorid, mille keskmine väljundvõimsus ületab 30 W, kordumissagedus on suurem kui 1 kHz, impulsi kestusega vähem kui 100 ns, lainepikkustel 300 nm kuni 800 nm [N] d. Süsinikdioksiidimpulsslaserid, mille kordumissagedus on suurem kui 250 Hz, keskmise väljundvõimsusega enam kui 500 W, impulsi kestusega vähem kui 200 ns, lainepikkustel 9000 nm kuni 11 000 nm [N] e. Paravesinik Ramani hajutid, mis on määratud tööoperatsioonideks väljundlainepikkusel 16 µm ja mille kordumissagedus on suurem kui 250 Hz [N] f. Impulssergastusega ja Q-lülitusega neodüümergastusega laserid (välja arvatud neodüümklaaslaserid), millel on kõik järgnevad omadused: 1. Laserkiirguse lainepikkus ületab 1000 nm, kuid on lühem kui 1100 nm 2. Laserkiirguse impulsi kestus ületab 1 ns ja 3. Mitmeristmoodilise väljundkiirgusega, mille keskmine väljundvõimsus ületab 50 W. 6A225 [N] Kiiruse interferomeetrid, mis on määratud kiiruste 1 km/s ja enam mõõtmiseks. 6A226 [N] Rõhusensorid: a. Manganiinsensorid rõhkudele enam kui 100 kbar või b. Kvartsrõhusensorid rõhkudele enam kui 100 kbar. 6B Testimis- ja tootmisvahendid 6B004 [W] Optikaseadmed: a. Seadmed absoluutse peegeldusvõime mõõtmiseks, täpsusega ±0,1% peegeldusvõime väärtusest b. Seadmed, mis on spetsiaalselt määratud mitteplanaarsete optiliste pindade kuju (profiili) mittekontaktseks optiliseks mõõtmiseks, täpsusega 2 nm või vähem (parem) Märkus: Punkt 6B004 ei hõlma mikroskoope. 6B007 [W] Seadmed maapealse kasutusega gravimeetrite tootmiseks ja kalibreerimiseks staatilise täpsusega parem kui 0,1 mgal. 6B008 [M] [LC] Impulssradarile määratud sihtmärgi radariristlõikepinna määramise süsteemid, mille edastusimpulsi kestus on 100 ns või vähem. 6B108 [M] [LC] Süsteemid, muud kui punktis 6B008 kirjeldatud, mis on spetsiaalselt määratud sihtmärgi radariristlõikepinna määramiseks, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides või nende alamsüsteemides. Materjalid 6C002 [W] Optiliste andurite materjalid: a. Telluur, puhtusega 99,9995% või enam b. Kaadmiumtelluriidi (CdTe), kaadmiumtsinktelluriidi (CdZnTe), milles tsingi sisaldus on väiksem kui 6% (kaalu järgi) või elavhõbekaadmiumtelluriidi (HgCdTe) monokristallid. 6C004 Optilised materjalid: [W] a. Tsinkseleniidist (ZnSe) või tsinksulfiidist (ZnS) põhimike toorikud, mis on valmistatud keemilise aursadestamise protsessis ning omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Mahuga enam kui 100 cm3 või 2. Diameetriga enam kui 80 mm ja paksusega 20 mm või enam. b. Järgmiste elektro-optiliste materjalide buulid (kristalltoorikud): 1. Kaaliumtitanüülarsenaat (KTA) 2. Hõbegalliumseleniid (AgGaSe2) 3. Talliumarseenseleniid (Tl3AsSe3, tuntakse ka TASi nime all). c. Mittelineaarsed optilised materjalid, millel on kõik järgnevad omadused: 1. Kolmanda järgu vastuvõtlikkusega (chi 3), mis on võrdne või suurem kui 10-6 m2/V2 ja 2. Kosteaeg (reaktsiooniaeg) vähem kui 1 ms. d. Ränikarbiidi või berüllium-berülliumi (Be/Be) sadestamisel saadud põhimike toorikud, mille diameeter või peatelje pikkus ületab 300 mm. e. Klaas, k.a sulakvarts (SiO2), fosfaatklaas, fluorfosfaatklaas, tsirkooniumfluoriid (ZrF4) ja hafniumfluoriid (HfF4), mis omavad kõike järgnevat: 1. Hüdroksüülioonide (OH-) kontsentratsioon on väiksem kui 5 miljondikosa (ppm ­ parts per million) 2. Metalliliste lisandite hulk on väiksem kui 1 miljondikosa 3. Kõrge homogeensusega (refraktsiooni muutuse indeks on väiksem kui 5×10-6). f. Sünteetiliselt valmistatud teemantmaterjal, mille absorbtsioon on väiksem kui 10-5 cm-1, lainepikkustele 200 nm kuni 14 000 nm. 6C005 [W] Sünteetilised kristallilise struktuuriga laseri põhimaterjalid töötlemata kujul a. Titaanergastusega safiir b. Aleksandriit. 6D Tarkvara 6D001 Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud punktides 6A004, 6A005, 6A008 või 6B008 kirjeldatud varustuse arendamiseks või tootmiseks. 6D002 [W] [M] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud punktides 6A002.b, 6A008 või 6B008 kirjeldatud varustuse kasutamiseks. 6D003 [W] [LC] Tarkvara: a. Programmi lähtetekst akustiliste signaalide töötlemiseks reaalajas, mis on kasutatav jadamisi ühendatud (ühendatavaid) akustilisi hüdrofone pukseerivates passiivsüsteemides (vastuvõtusüsteemides). b. 1. Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud liikuvatel alusplatvormidel kasutatavate magnetiliste andurite magnetilise kompensatsiooni süsteemidele 2. Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud magnetiliste anomaaliate avastamiseks liikuvatel alusplatvormidel. c. Tarkvara, mis võimaldab parandada gravimeetrite või gravitatsiooni gradiomeetrite liikumisest tingitud hälbed. d. 1. Lennujuhtimise tarkvaraprogrammid, mis on kasutatavad üldkasutatavates arvutites lennujuhtimiskeskustes ning omavad ükskõik millist järgnevat: a. Võimaldavad ühe-aegselt töödelda ja kuvada 150 erineva lendava objekti lennuandmeid ja asukohta või b. Radari sihtmärgi andmed võetakse vastu neljalt või enamalt primaarradarilt. 2. Tarkvara, radoomide (ilmastikukaitsekuppel) kavandamiseks või tootmiseks, mis on spetsiaalselt määratud punktis 6A008.e kirjeldatud elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antennide kaitseks. 6D102 [M] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud punktis 6A108 kirjeldatud kaupade kasutamiseks. 6D103 [M] Tarkvara, mis on määratud punktis 6A108.b kirjeldatud süsteemide poolt salvestatud andmete lennujärgseks töötlemiseks, võimaldades kindlaks määrata lendava objekti asukoha kogu tema liikumistee jooksul. 6E Tehnoloogia 6E001 [M] [N] [W] Tehnoloogia, mis on määratud punktides 6A, 6B, 6C või 6D kirjeldatud varustuse, materjalide või tarkvara arendamiseks. 6E002 [M] [N] [W] Tehnoloogia, mis on määratud punktides 6A, 6B või 6C kirjeldatud varustuse või materjalide tootmiseks. 6E003 Muud tehnoloogiad: [W] a. 1. Tehnoloogia optiliseks pinnakatmiseks ja -töötlemiseks, mis on vajalik 99,5%-lise või parema ühtlusega pinnakatte saamiseks, pindadele, mille diameeter või peatelje pikkus ületab 500 mm 2. Tehnoloogia optiliste pindade valmistamiseks, mis on kasutatav ühelõiketeraga teemanttreimise seadmete juures, saavutamaks mitteplanaarsete pindade, mille pindala ületab 0,5 m2, pinnakatte ruutkeskmist täpsust 10 nm või parem. b. Tehnoloogia, mis on vajalik diagnostikaseadmete või sihtmärkide arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, mis on spetsiaalselt määratud SHPL'i (Super-High Power Laser) katsetamiseks või SHPL'i kiirte poolt kiiritatud materjalide katsetamiseks ja hindamiseks. c. Tehnoloogia, mis on vajalik ükskõik milliste järgnevate omadustega magnetpea-magnetomeetrite või magnetpea-magnetomeetersüsteemide arendamiseks või tootmiseks: 1. «Mürataseme» ruutkeskmine on väiksem kui 0,05 nT sageduse ruutjuure kohta, sagedustel alla 1 Hz või 2. «Mürataseme» ruutkeskmine on väiksem kui 1×10-3 nT sageduse ruutjuure kohta, sagedustel 1 Hz või enam. 6E101 [M] Tehnoloogia, mis on määratud punktides 6A002, 6A007.b, 6A007.c, 6A008, 6A102, 6A107, 6A108, 6B108, 6D102 või 6D103 kirjeldatud seadmete või tarkvara kasutamiseks. 6E201 [N] Tehnoloogia, mis on määratud punktides 6A003, 6A005.a.1.c, 6A005.a.2.a, 6A005.c.1.b, 6A005.c.2.c.2, 6A005.c.2.d.2.b, 6A202, 6A203, 6A205, 6A225 või 6A226 kirjeldatud seadmete kasutamiseks. 7. kategooria: Navigatsiooni- ja lennuelektroonika Kategooria tähis ja number Nimetus 7A Varustus, seadmed ja komponendid 7A001 [W] [M] Kiirendusmõõturid, mis on määratud kasutamiseks inertsiaalsetes navigatsiooni- või juhtimissüsteemides ning millel on ükskõik milline järgnev tehniline omadus: a. «Nihke stabiilsusega» vähem (parem) kui 130 mikro g (g=9,81 m/s2), vastavalt fikseeritud kalibreerimisväärtusele enam kui üheks aastaks b. «Mõõtkava stabiilsusega» vähem (parem) kui 130 miljondikosa (ppm ­ parts per million), vastavalt fikseeritud kalibreerimisväärtusele enam kui üheks aastaks, või c. Määratud kasutamiseks lineaarkiirenduse tasemetel, mis ületavad 100 g. Märkus: Punktis 7A001 kasutatud väljendusi tõlgendatakse järgnevalt: «Nihke stabiilsus» ­ kiirendusmõõturi väljund (standardhälve), kui kiirendust ei ole rakendatud, «Mõõtkava stabiilsus» ­ väljundi muutuse suhe sisendi muutusesse, mida on kavatsetud mõõta. 7A002 [W] [M] Güroskoobid ja spetsiaalselt neile määratud komponendid, millel on ükskõik milline järgnev omadus: a. Hälbe stabiilsus, juhul kui mõõtmisi on teostatud kiirenduse 1 g keskkonnas enam kui kolmekuulise perioodi jooksul, vastavalt fikseeritud kalibreerimisväärtusele on järgmine: 1. Väiksem (parem) kui 0,1o tunnis, kui seade on määratud kasutamiseks lineaarkiirenduse tasemetel, mis ei ületa 10 g või 2. Väiksem (parem) kui 0,5o tunnis, kui seade on määratud kasutamiseks lineaarkiirenduse tasemetel 10 g kuni 100 g või [M] b. Määratud kasutamiseks lineaarkiirenduse tasemetel, mis ületavad 100 g. 7A003 [W] [M] Inertsiaalsed navigatsioonisüsteemid ja inertsiaalseadmed, mis on määratud kasutamiseks õhusõidukitel, maismaatranspordivahenditel, aktiivsetel ja passiivsetel satelliitidel või kosmosesondidel nende juhtimise või liikumiskontrolli eesmärgil lineaarkiirenduse tasemetel, mis ületavad 10 g. Märkus: Punkt 7A003 ei hõlma inertsiaalseid juhtimissüsteeme, mis on mõeldud kasutamiseks tsiviillennukitel tsiviilametkondade poolt. 7A004 [W] [M] Güro- ja astrokompassid ning muud seadmed, mis deriveerivad positsiooni või orienteeruvad taevakehade või satelliitide automaatse jälgimise abil asimuudi täpsusega 5 kaaresekundit või vähem (parem). 7A005 [W] [M] Globaalnavigatsiooni satelliidisüsteemide (GPS või GLONASS) vastuvõtuseadmed ja spetsiaalselt neile määratud komponendid, mis sisaldavad või kasutavad krüptograafiat. 7A006 [W] [M] Altimeetrid (kõrgusmõõturid), mis opereerivad sagedustel 4,2 GHz kuni 4,4 GHz ning kasutavad faasinihke võtmesageduse modulatsiooni. 7A007 [W] [M] Raadiopeilimisseadmed, mis opereerivad sagedustel 30 MHz ja enam ning omavad kõiki järgnevaid tehnilisi omadusi: a. Hetkelise ribalaiusega 1 MHz või enam b. Enam kui 100 sageduskanali paralleelse töötlemisvõimega ja c. Töötlemiskiirus ületab 1000 peilingut sekundis ühe sageduskanali kohta. 7A101 [M] Kiirendusmõõturid ja nende komponendid, muud kui punktis 7A001 kirjeldatud, mille lineaarsuse viga on väiksem või võrdne 0,25%-ga täisskaala väljundist, mis on määratud kasutamiseks igat tüüpi inertsiaalsetes navigatsiooni- või juhtimissüsteemides. 7A102 [M] Güroskoobid ja nende komponendid, muud kui punktis 7A002 kirjeldatud, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides, mille hälve on väiksem (parem) kui 0,5o tunnis kiirenduse 1 g puhul. 7A103 Navigatsiooni- ja juhtimisseadmed ning süsteemid, muud kui 7A003 kirjeldatud, spetsiaalselt neile määratud komponendid: [M] a. Inertsiaalsed või muud seadmed, mis kasutavad punktides 7A001, 7A002, 7A101 või 7A102 kirjeldatud kiirendusmõõtureid või güroskoope ja süsteemid, mis sisaldavad sarnaseid seadmeid [M] b. Integreeritud lennuseadmete süsteemid, mis sisaldavad gürostabilisaatoreid või autopiloote, mis on määratud või modifitseeritud kasutamiseks punktides 9A004 või 9A104 kirjeldatud süsteemides. 7A104 [M] Güro- ja astrokompassid ning muud seadmed, muud kui punktis 7A004 kirjeldatud, mis deriveerivad positsiooni või orienteeruvad taevakehade või satelliitide automaatse jälgimise abil. 7A105 [M] Globaalse positsioneerimise süsteemid (GPS) või sarnased satelliitvastuvõtjad, muud kui punktis 7A005 kirjeldatud, mis on määratud või modifitseeritud kasutamiseks punktides 9A004 või 9A104 kirjeldatud süsteemides ning võimaldavad järgnevate tingimuste korral edastada navigeerimise alast informatsiooni: a. Kiirustel, mis ületavad 515 m/s ja b. Kõrgustel, mis ületavad 18 km. 7A106 [M] Altimeetrid (kõrgusmõõturid), muud kui punktis 7A006 kirjeldatud, kas radar- või laserradartüübilised, mis on määratud või modifitseeritud kasutamiseks punktides 9A004 või 9A104 kirjeldatud süsteemides. 7A115 [M] Passiivsensorid, mis võimaldavad kindlaks määrata spetsiifiliste elektromagnetlainete allikate (peilimisseadmed) asimuudi ning on määratud või modifitseeritud kasutamiseks punktides 9A004 või 9A104 kirjeldatud süsteemides. 7A116 [M] Lennujuhtimissüsteemid, mis on määratud või modifitseeritud kasutamiseks punktides 9A004 või 9A104 kirjeldatud süsteemides: a. Hüdraulilised, mehaanilised, elektro-optilised või elektromehaanilised lennujuhtimissüsteemid (kaasa arvatud elektroonilise juhtimise tüübid) b. Ruumasendi kontrollseadmed. 7A117 [M] Terviklike raketisüsteemide juurde kuuluvad lennujuhtimissüsteemid ja nende komponendid. 7B Testimis- ja tootmisvahendid 7B001 [W] [M] Testimis- , kalibreerimis- ja seadistamisvarustus punktis 7A kirjeldatud seadmetele. 7B002 [W] [M] Seadmed ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud ringlasergüroskoopide peeglite mõõdistamiseks/iseloomustamiseks: a. Skateromeetrid, mille mõõtetäpsus on väiksem (parem) kui 10 miljondikosa (ppm ­ parts per million) b. Profiilimõõtjad, mille mõõtetäpsus on väiksem (parem) kui 0,5 nm. 7B003 [W] [M] Varustus ja seadmed, mis on spetsiaalselt määratud punktis 7A kirjeldatud seadmete tootmiseks: a. Güroskoopide reguleerimise kontrollseadmed b. Güroskoopide dünaamilise tasakaalustamise seadmed c. Güroskoopide mootorite testimisseadmed d. Güroskoopide demontaaþi- ja täitmise seadmed e. Tsentrifuugitarbed (alused) güroskoopide laagritele f. Kiirendusmõõtjate telje regulatsiooniseadmed. 7B102 [M] Peegeldusmõõturid (reflektomeetrid), mis on spetsiaalselt määratud lasergüroskoopidele määratud peeglite iseloomustamiseks, mille mõõtetäpsus on väiksem (parem) kui 50 miljondikosa. 7B103 [M] Tootmisseadmed, mis on määratud punktis 7A117 kirjeldatud varustuse tootmiseks. 7C Materjalid ­ 7D Tarkvara 7D001 [W] [M] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud punktides 7A või 7B kirjeldatud seadmete arendamiseks või tootmiseks. 7D002 [M] Programmide lähtetekstid, mis on vajalikud inertsiaalsete navigatsiooniseadmete kasutamiseks. 7D003 Tarkvara: [W] a. Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud navigatsioonisüsteemide tööoperatsioonide kvaliteedi parandamiseks või navigatsioonivigade vähendamiseks punktides 7A003 või 7A004 kirjeldatud tasemeteni b. Programmi lähtetekstid hübriidintegraalsüsteemidele, mis võimaldavad navigatsioonisüsteemide tööoperatsioonide kvaliteedi parandamist või navigatsioonivigade vähendamist punktis 7A003 kirjeldatud tasemeteni inertsiaalandmete pideva sidumisega ükskõik milliste järgnevate navigatsiooniandmetega: 1. Dopplerradari kiirus või 2. Globaalnavigatsiooni satelliidisüsteemide (GPS või GLONASS) tugiandmed. c. Programmi lähtetekstid integreeritud avioonika- või juhtimissüsteemidele, mis seovad andurite andmeid ja rakendavad ekspertsüsteeme d. Programmi lähtetekstid ükskõik millise järgneva arendamiseks 1. Digitaalsed lennujuhtimise süsteemid, mis on määratud lendude täielikult automatiseeritud juhtimiseks 2. Integreeritud jõu- ja lennujuhtimissüsteemid 3. Elektroonilise või valgusoptilise lennujuhtimise süsteemid 4. Tõrketaluvusega või iserekonfigureeruvad lennujuhtimise aktiivsüsteemid 5. Raadiokompassid (ADF) 6. Rastertüübilised, indikaatoritega kuvarid (HUD) või kolmedimensionaalsed kuvarid. e. Raalprojekteerimise (CAD) tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud lennujuhtimise aktiivsüsteemide või helikopterite elektroonilise või valgusoptilise juhtimise kontrollerite arendamiseks. Märkus: Käesoleva kategooria lõikes käsitletakse lennujuhtimise aktiivsüsteeme süsteemidena, mis korrigeerivad õhusõidukite ja rakettide soovimatut liikumist andurite väljundite reaalajas töötlemise käigus. 7D101 [M] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud punktides 7A101 kuni 7A106, 7A115, 7B002, 7B003, 7B102, 7A001 kuni 7A006, 7B103 kirjeldatud seadmete kasutamiseks. 7D102 [M] Integratsioonitarkvara punktides 7A003 või 7A103 kirjeldatud seadmetele. 7D103 [M] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud punktis 7A117 kirjeldatud lennujuhtimissüsteemide modelleerimiseks või simuleerimiseks, või nende integreerimiseks punktides 9A004 või 9A104 kirjeldatud süsteemidesse. 7E Tehnoloogia 7E001 [M] Tehnoloogia, mis on määratud punktides 7A, 7B või 7D kirjeldatud varustuse või tarkvara arendamiseks. 7E002 [M] Tehnoloogia, mis on määratud punktides 7A või 7B kirjeldatud seadmete tootmiseks. 7E003 [W] [M] Tehnoloogia, mis on määratud punktides 7A001 kuni 7A004 kirjeldatud seadmete parandamiseks või uuendamiseks. 7E004 [W] Muud tehnoloogiad: a. Tehnoloogia, mis on määratud ükskõik millise järgneva arendamiseks ja tootmiseks: 1. Raadiokompassid, mille töösagedus ületab 5 MHz 2. Õhusõidukitel kasutatavad rastertüübilised, indikaatoritega kuvarid (HUD) või kolmedimensionaalsed kuvarid [M] 3. Inertsiaalsed navigatsioonisüsteemid või güro-astrokompassid, mis sisaldavad punktides 7A001 või 7A002 kirjeldatud kiirendusmõõtureid või güroskoope 4. Optiliste andurite võrgust moodustatud antennivõred, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks lennujuhtimise aktiivsüsteemides. b. Tehnoloogia, mis on määratud järgnevate lennujuhtimise aktiivsüsteemide (kaasa arvatud elektrooniline või valgusoptiline juhtimine) arendamiseks: 1. Lennujuhtimissüsteemid, mis võimaldavad õhusõiduki jõusüsteemide lennuaegset rekonfigureerimist, tagades õhusõiduki autonoomse juhtimise reaalajas [M] 2. Digitaalse lennujuhtimise, navigatsiooni ja jõusüsteemide kontrolli andmete integreerimine ühtsesse digitaalsesse lennujuhtimise süsteemi tagamaks täielik kontroll lennu üle 3. Digitaalsed lennujuhtimissüsteemid või paljuandurilised lennujuhtimissüsteemid, mis rakendavad ekspertsüsteeme. c. Tehnoloogia, mis on määratud järgnevate koptersüsteemide arendamiseks: 1. Mitmeteljelise elektroonilise või valgusoptilise juhtimise kontrollerid, mis ühendavad vähemalt kaks järgnevat funktsiooni ühte kontrollelementi: a. Tsentraaljuhtimine b. Tsükliline juhtimine c. Lengerduse juhtimine. 7E101 [M] Tehnoloogia, mis on määratud punktides 7A001 kuni 7A006, 7A101 kuni 7A106, 7A115 kuni 7A117, 7B002, 7B003, 7B102, 7B103, 7D101 kuni 7D103 kirjeldatud varustuse kasutamiseks. 7E102 [M] Tehnoloogia, mis on määratud avioonika ja elektriliste alamsüsteemide kaitseks välistest allikatest pärit elektromagnetilise impulsi (EMP) ja elektromagnetilise interferentsi (EMI) eest: a. Kaitsesüsteemide alane tehnoloogia b. Tehnoloogia kõrgendatud vastupanuga elektriahelate ja alamsüsteemide konfigureerimiseks c. Tehnoloogia punktides 7E102.a ja 7E102.b kirjeldatud kõrgema vastupanu kriteeriumide kindlaksmääramiseks. 7E104 [M] Tehnoloogia, mis on määratud lennukontrolli, juhtimise ja jõusüsteemi andmete integreerimiseks lennujuhtimissüsteemi, optimeerimaks terviklike raketisüsteemide lennutrajektoori. 8. kategooria: Merendusliku otstarbega kaubad Kategooria tähis ja number Nimetus 8A Varustus, seadmed ja komponendid 8A001 Allveelaevad ja laevad: [W] a. Mehitatud emalaevaga seotud sukeldumisvõimelised sõidukid, mis on määratud tööoperatsioonide täitmiseks sügavustes, mis ületavad 1000 m. [W] b. Mehitatud emalaevaga mitteseotud sukeldumisvõimelised sõidukid, mis omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Määratud osaliselt iseseisvate tööoperatsioonide täitmiseks ja omades järgmist tõstevõimet: a. 10% või enam keha raskusest õhus ja b. 15 kN või enam. 2. Määratud tööoperatsioonide täitmiseks sügavustes, mis ületavad 1000 m või 3. Omavad kõike järgnevat: a. Kavandatud nelja- või enamaliikmelisele meeskonnale b. Määratud osaliselt iseseisvate tööoperatsioonide täitmiseks kümne või enama tunni jooksul c. Tegevusulatusega 25 meremiili või enam ja d. Pikkusega 21 m või enam. [W] c. Mehitamata emalaevaga seotud sukeldumisvõimelised sõidukid, mis on määratud tööoperatsioonide täitmiseks sügavustes, mis ületavad 1000 m ning omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Iseliikuvad, mis on varustatud reaktiivmootorite või punktis 8A002.a.2 kirjeldatud jõusüsteemidega või 2. Varustatud kiudoptilise andmesidelüliga. [W] d. Mehitamata emalaevaga mitteseotud sukeldumisvõimelised sõidukid, mis omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Võimaldab geograafiliste vihjete alusel, ilma inimsekkumiseta reaalajas, määrata oma liikumissuunda ja baseeruvaks kursi määramiseks ilma inimsekkumiseta reaalajas 2. Varustatud akustilise andmeside- või käsulüliga või 3. Varustatud kiudoptilise andmeside- või käsulüliga, mille pikkus ületab 1000 m. e. Päästesüsteemid, mille tõstevõime ületab 5 MN, mis on määratud tööoperatsioonide täitmiseks sügavustel, mis ületavad 250 m ja omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Dünaamilised positsioneerimise süsteemid, mis võimaldavad säilitada navigatsioonisüsteemi poolt määratud positsiooni kõrvalekaldehälbega kuni 20 m või 2. Merepõhjas navigeerimise ja navigatsiooni integreerimise süsteemid, mis on määratud tööoperatsioonide täitmiseks sügavustes, mis ületavad 1000 m, positsioneerimise kõrvalekaldehälbega kuni 10 m. f. Hõljuklaevad (elastse pardaga), millel on kõik järgnevad omadused: 1. Maksimaalne kavandatud kiirus täislastis, määrava lainetuskõrgusega 1,25 m või enam, ületab 30 sõlme 2. Rõhk õhkpadjas ületab 3830 Pa ja 3. Tühi- ja täislastis laeva veeväljasurvete suhe on väiksem kui 0,7. g. Hõljuklaevad (jäiga pardaga), mille maksimaalne kiirus täislastis, määrava lainetuskõrgusega 3,25 m või enam, ületab 40 sõlme. h. Tiiburlaevad, mis on varustatud tiibade asendi automaatse juhtimissüsteemiga, mille maksimaalne kiirus täislastis, määrava lainetuskõrgusega 3,25 m või enam, ületab 40 sõlme. i. Lendlaevad, mis omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Laeva veeväljasurve ületab täislastis 500 tonni ja maksimaalne kavandatud kiirus täislastis, määrava lainetuskõrgusega 3,25 m või enam, ületab 35 sõlme või 2. Laeva veeväljasurve ületab täislastis 1500 tonni ja maksimaalne kavandatud kiirus täislastis, määrava lainetuskõrgusega 4 m või enam, ületab 25 sõlme. 8A002 Süsteemid ja seadmed: [W] a. Süsteemid ja seadmed, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud sukeldumisvõimelistele sõidukitele, mis on määratud tööoperatsioonide täitmiseks sügavustel, mis ületavad 1000 m: 1. Survekambrid, mille maksimaalne sisediameeter ületab 1,5 m 2. Otsevoolumootorid 3. Optilisest kiust teeninduskaablid ja ühendusmuhvid. [W] b. Süsteemid, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud punktis 8A001 kirjeldatud sukeldumisvõimeliste sõidukite abiseadmete liikumise automatiseeritud kontrolliks, mis kasutavad navigatsiooniandmeid ja omavad suletud ahelaga servojuhtimismehhanismi: 1. Süsteemid, mis võimaldavad sõidukil püsida määratud positsioonil hälbega kuni 10 m 2. Süsteemid, mis võimaldavad sõidukil liikuda positsioneerimisega määratletud piirides, mis ei ületa 10 m. c. Kiudoptilised (kaablite) konnektorid d. Veealuse vaatluse süsteemid: 1. Televisioonisüsteemid ja televisioonikaamerad: a. Kaugjuhtimisega televisioonisüsteemid (sisaldavad kaamerat, jälgimis- ja signaaliedastusvarustust), mille piireraldusvõime mõõdetuna õhus ületab 800 laotusrida ning on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud kasutamiseks sukeldumisvõimelistel sõidukitel b. Televisioonikaamerad, mis on spetsiaalselt määratud veealuseks kasutamiseks ja mille piireraldusvõime mõõdetuna õhus on enam kui 1100 laotusrida c. Kõrge tundlikkusega televisioonikaamerad, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud veealuseks kasutamiseks ja sisaldavad kõike järgnevat: 1. Punktis 6A002.a.2.a kirjeldatud fotokordistusseadmed või 2. Enam kui 150 000 aktiivpikseliga tahkismassiivi kohta. 2. Süsteemid, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud kaugjuhtimisega tööoperatsioonide läbiviimiseks ja on kasutatavad allveelaevadel, mis rakendavad vastassuunalise hajumise mõjude minimiseerimise tehnikat. e. Fotokaamerad, mis on spetsiaalselt määratud veealuseks kasutamiseks sügavustel enam kui 150 m ja milles kasutatava filmi formaat on suurem kui 35 mm. f. Elektroonilised videotehnilised süsteemid, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud veealuseks kasutamiseks ning võimaldavad enam kui 50 säritatud kujutise digitaalset salvestust. g. Valgussüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud veealuseks kasutamiseks: 1. Stroboskoopse valguse süsteemid, mille valguse väljundenergia on enam kui 300 J välgu kohta ja välgukiirus enam kui 5 välku sekundis 2. Argoonikaare valguse süsteemid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks sügavustes enam kui 1000 m. [W] h. Installeeritud ohjeprogrammiga robotid, mis on spetsiaalselt määratud veealuseks kasutamiseks ja omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Süsteemid robotite juhtimiseks, mis on varustatud välisele objektile rakendatava jõu või jõumomenti mõõtvate sensoritega või roboti ja välisobjekti vahelise distantsi mõõtmise sensoritega või 2. Võimaldavad rakendada jõudu 250 N või enam või jõumomenti 250 Nm või enam 3. Valmistatud titaanisulamitest või kiud- ja filamentaarkomposiitmaterjalidest. i. Kaugjuhitavad manipulaatorid, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud kasutamiseks sukeldumisvõimelistel sõidukitel ja omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Süsteemid manipulaatorite juhtimiseks, mis on varustatud välisele objektile rakendatava jõu või jõumomenti mõõtvate sensoritega või manipulaatori ja välisobjekti vahelise distantsi mõõtmise sensoritega 2. Installeeritud ohjeprogrammiga varustatud arvuti poolt juhitavad. [W] j. Õhuhulgast sõltumatud jõusüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud veealuseks kasutamiseks: 1. Braytoni või Rankine'i õhuhulgast sõltumatud tsükkelmootorid, mis omavad ükskõik millist järgnevat: a. Keemilised skraber- või absorbtsioonisüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud süsinikdioksiidi ja süsinikmonooksiidi kõrvaldamiseks mootori retsirkuleeritud heitgaasidest b. Süsteemid, mis on spetsiaalselt määratud kasutama monoatomaarset kütust c. Seadmed, mis on spetsiaalselt määratud veealuse müra summutamiseks sagedustel alla 10 kHz d. Süsteemid, mis on spetsiaalselt määratud: 1. Reaktsioonijääkide survestamiseks või kütuse reformeerimiseks ja 2. Reaktsioonijääkide mahutamiseks. 2. Õhuhulgast sõltumatud diiseltsükkelmootorid, mis omavad kõike järgnevat: a. Keemilised skraber- või absorbtsioonisüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud süsinikdioksiidi ja süsinikmonooksiidi kõrvaldamiseks mootori retsirkuleeritud heitgaasidest b. Süsteemid, mis on spetsiaalselt määratud kasutama monoatomaarset kütust c. Seadmed, mis on spetsiaalselt määratud veealuse müra summutamiseks sagedustel alla 10 kHz. 3. Õhuhulgast sõltumatud stirlingmootorid, mis on varustatud veealuse mürasummutuse seadmetega sagedustel alla 10 kHz. k. Varuosad ja seadmed (näit. plastikpõlled) punktides 8A001.f või 8A001.g kirjeldatud hõljuklaevadele, mis omavad ükskõik millist järgnevat: 1. Kavandatud rõhk õhkpadjas on 3830 Pa või enam, määrava lainetuskõrgusega 1,25 m või enam, mis on spetsiaalselt määratud punktis 8A001.f kirjeldatud elastse pardaga hõljuklaevadele või 2. Kavandatud rõhk õhkpadjas on 6224 Pa või enam, määrava lainetuskõrgusega 3,25 m või enam, mis on spetsiaalselt määratud punktis 8A001.g kirjeldatud jäiga pardaga hõljuklaevadele. l. Tõstetiivikud, mis on kavandatud võimsustele 400 kW või enam, mis on määratud kasutamiseks punktides 8A001.f või 8A001.g kirjeldatud hõljuklaevadel. m. Täielikult sukeldatud alakavitatsiooni või ülekavitatsiooni põhjustavad veealused tiivad, mis on määratud punktis 8A001.h kirjeldatud tiiburlaevadele. n. Aktiivsüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud mereliikumise poolt põhjustatud, punktides 8A001.f, 8A001.g, 8A001.h või 8A001.i kirjeldatud, laevade või veesõidukite liikumise automaatseks kontrolliks. o. Propellerid, jõuülekandesüsteemid, jõu genereerimise süsteemid ja müra summutamise süsteemid: 1. Sõukruvid või jõuülekandesüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks punktides 8A001.f, 8A001.g või 8A001.h kirjeldatud hõljuk- või tiiburlaevadel: a. Ülekavitatsiooni põhjustavad, osaliselt sukeldatud või pinnakihte läbistavad propellerid väljundvõimsustele enam kui 7,5 MW b. Vastupöörlevad propellersüsteemid, võimsusega enam kui 15 MW c. Süsteemid, mis rakendavad keerise-eelset või keerise-järgset metoodikat silumaks propellerist ülevoolavust d. Jõuülekandeajami süsteemid, mis sisaldavad komposiitmaterjalidest komponente ning mille ülekandevõime on suurem kui 1 MW. 2. Sõukruvid, jõu genereerimise süsteemid või jõuülekandesüsteemid, mis on määratud kasutamiseks laevadel: a. Muutsammuga propellerid, mis on määratud väljundvõimsustele 30 MW või enam b. Sisemise vedelikjahutusega elektrireaktiivmootorid, mille väljundvõimsus ületab 2,5 MW c. Ülijuhtivatest materjalidest reaktiivmootorid või püsimagnetelektrilised reaktiivmootorid, mille väljundvõimsus ületab 0,1 MW d. Jõuülekandeajami süsteemid, mis sisaldavad komposiitmaterjalidest komponente ning mille ülekandevõime on suurem kui 2 MW. e. Ventileeritavad propellersüsteemid, mille võimsus ületab 2,5 MW. [W] 3. Mürasummutamise süsteemid, mis on määratud kasutamiseks enam kui 1000 tonnise veeväljasurvega laevadel: a. Süsteemid, mis summutavad diiselmootorite, gaasiturbiinide, diiselgeneraatorite ja reaktiivmootorite poolt tekitatava veealuse müra sagedustel alla 500 Hz [W] b. Mürasummutamise aktiivsüsteemid või magnetlaagerdussüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud jõuülekandesüsteemide poolt tekitatava vibratsiooni summutamiseks. [W] p. Turboreaktiivmootorid väljundvõimsusega üle 2,5 MW, milles rakendatakse laienevaid düüse ja suurenevat voogu tingivaid düüsisuundureid parandamaks tõmbe kasutegurit või summutamaks tõugetest tingitud veealust müra. 8A990 [EST] Laevad, muud kui punktis 8A001 kirjeldatud, ning spetsiaalselt neile määratud komponendid: a. Laevad, mis võimaldavad toetada helikopterite tegevust ja hooldamist b. Sukeldumisvõimelised laevad c. Laevad, mille tekid ja platvormid on spetsiaalselt tugevdatud ning võimaldavad relvasüsteemide montaaþi. 8B Testimis- ja tootmisvahendid 8B001 [W] Hüdrodünaamilised torud, mille taustmüra on väiksem kui 100 dB, sagedusvahemikus 0 Hz kuni 500 Hz, mis on määratud jõusüsteemide mudelite (reaktiivmootor) ümber tekkiva akustilise välja mõõtmiseks. 8C Materjalid 8C001 [W] Õõnestäidisega vaht, mis on määratud veealuseks kasutamiseks ja omab kõike järgnevat: a. Määratud kasutamiseks sügavustes, mis ületavad 1000 m ja b. Tihedusega vähem kui 561 kg/m3. 8D Tarkvara 8D001 [W] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud punktides 8A, 8B või 8C kirjeldatud varustuse või materjalide arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. 8D002 [W] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud veealust müra summutavate propellerite arendamiseks, tootmiseks või parandamiseks. 8E Tehnoloogia 8E001 [W] Tehnoloogia, mis on määratud punktides 8A, 8B või 8C kirjeldatud varustuse või materjalide arendamiseks või tootmiseks. 8E002 [W] Muud tehnoloogiad: a. Tehnoloogia, mis on spetsiaalselt määratud või modifitseeritud veealust müra summutavate propellerite arendamiseks, tootmiseks või parandamiseks. b. Tehnoloogia, mis on vajalik punktides 8A001, 8A002.b, 8A002.i, 8A002.m või 8A002.n kirjeldatud varustuse parandamiseks või ümberehituseks. 8E990 [EST] Tehnoloogia, mis on vajalik punktis 8A990 kirjeldatud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. 9. kategooria: Jõusüsteemid, õhusõidukid ja nendega seotud varustus Kategooria tähis ja number Nimetus 9A Varustus, seadmed ja komponendid 9A001 [W] [M] Aerogaasiturbiinmootorid, mis sisaldavad punktis 9E003.a kirjeldatud tehnoloogilisi lahendusi ja vastavad järgmistele omadustele: a. Ei ole kavandatud kasutamiseks tsiviillennukitel b. Määratud kiiruste Mach 1,2 või enama saavutamiseks ja säilitamiseks enam kui 30 minuti jooksul. 9A002 [W] Gaasiturbiinmootorid, mis on määratud merenduslikuks kasutamiseks või nende komponendid, mille pidevvõimsus ületab 24245 kW ja kütteaine piirkulu võimsusvahemikus 35 kuni 100% on väiksem kui 0,219 kg/kWh. 9A003 [W] Koostud ja komponendid punktis 9A001 kirjeldatud gaasiturbiinmootorite süsteemidele, mis sisaldavad punktis 9E003.a kirjeldatud tehnoloogilisi lahendusi. 9A004 [W] [M] Kosmoseraketid, aktiiv- või passiivsatelliidid ja kosmosesondid. 9A005 [W] [M] [LC] Vedelkütuse rakettmootorsüsteemid, mis sisaldavad punktis 9A006 kirjeldatud süsteeme või komponente. 9A006 [W] Süsteemid ja komponendid, mis on spetsiaalselt määratud vedelkütuse rakettmootorsüsteemidele: a. Krüogeensed jahutid, krüogeensed soojuskandurid või krüogeensed süsteemid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks kosmosesõidukitel, mille krüogeense vedeliku kaod on väiksemad kui 30% aasta kohta b. Krüogeensed konteinerid või suletud tsükliga jahutussüsteemid, mis võimaldavad tekitada temperatuuri 100 K (-173 oC) või madalamat ja on kasutatavad õhusõidukites, mille lennukiirused ületavad Mach 3, kosmosesõidukites või aktiiv- ja passiivsatelliitides [M] c. Vesinikul põhinevad vedelkütuse säilitus- ja edastussüsteemid [M] d. Kõrgsurveturbopumbad (töörõhuga üle 17,5 MPa), nimetatud pumpade komponendid või nendega seotud gaasigeneraatorid [M] e. Kõrgsurvereaktiivkambrid (töörõhuga üle 10,6 MPa) ning neile määratud kiirendusdüüsid [M] f. Raketikütuse säilitussüsteemid, mis rakendavad kapillaarohjelduse metoodikat. [M] g. Vedela raketikütuse jugapumbad väljundiava diameetriga 0,381 mm või vähem, mis on spetsiaalselt määratud vedelkütuse rakettmootoritele. h. Süsinik-süsinik reaktiivkambrid või süsinik-süsinik väljundkoonused, mille tihedus ületab 1,4 g/cm3 ja tõmbetugevus ületab 48 MPa. 9A007 Tahkekütuse rakettmootorsüsteemid, mis omavad ükskõik millist järgnevat: [W] a. Impulsi koguvõimsus ületab 1,1 MNs [M] b. Eriimpulsiga 2,4 kNs/kg või enam [LC] c. Astme massifraktsioon ületab 88% ja tahke raketikütuse last ületab 86% süsteemi kogumassist d. Sisaldavad punktis 9A008 kirjeldatud komponente e. Raketikütuse eraldamis- ja sidestussüsteemid. 9A008 [W] Komponendid, mis on spetsiaalselt määratud tahkekütuse rakettmootorsüsteemidele: [M] a. Raketikütuse eraldamis- ja sidestussüsteemid. [M] b. Düüsid, mis on määratud kasutamiseks tõukejõu tasemetel 45 kN ja enam või mille korrodeerumiskiirus on väiksem kui 0,075 mm/s [M] [LC] c. Liigutatavad düüsid, mis võimaldavad ükskõik millist järgnevat: 1. Omniaksiaalne liikumine ületab ±5o 2. Suunatava nurkpöörlemisega 20o/s või enam või 3. Suunatava nurkkiirendusega 40o/s2 või enam. 9A009 [W] Hübriidrakettmootorsüsteemid, millel on ükskõik milline järgnev omadus: [M] a. Impulsi koguvõimsus ületab 1,1 MNs või [LC] b. Veojõu tasemed ületavad 220 kN. 9A010 [W] [M] Komponendid, süsteemid ja struktuurid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks kosmoserakettides, kosmoserakettide jõusüsteemides või aktiiv- ja passiivsatelliitides: a. Komponendid ja struktuurid, mille mass ületab 10 kg, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks kosmoserakettides ja on valmistatud punktides 1C007 või 1C010 kirjeldatud materjalidest b. Komponendid ja struktuurid, mis on spetsiaalselt määratud punktides 9A005 kuni 9A009 kirjeldatud kosmoserakettide jõusüsteemidele ja on valmistatud punktides 1C007 või 1C010 kirjeldatud materjalidest c. Struktuurikomponendid ja isolatsioonisüsteemid, mis on spetsiaalselt määratud aktiiv- või passiivsatelliitide struktuuride moonutuste aktiivkontrolliks d. Pulseerivad vedelkütuse rakettmootorid, mille tõmbetegur on võrdne või suurem kui 1 kN/kg ja reaktsiooniaeg lühem kui 30 ms. 9A011 [W] [M] Otsevoolureaktiivmootorid või kombineeritud tsükkelmootorid ja neile määratud komponendid, mis on määratud kasutamiseks terviklikes raketisüsteemides. 9A101 [M] Turboreaktiivmootorid ja turboventilaatormootorid, muud kui punktis 9A001 kirjeldatud, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides: a. Mootorid, mis omavad mõlemat järgnevat omadust: 1. Maksimaalne veojõu väärtus ületab 1000 N, välja arvatud tsiviilotstarbelisteks tunnistatud mootorid, mille maksimaalne veojõu väärtus ületab 8890 N ja 2. Kütuse erikulu on väiksem kui 0,13 kg/N/h või b. Mootorid, mis on määratud või modifitseeritud kasutamiseks terviklikes raketisüsteemides. 9A104 [M] Sondraketid, mille tegevusraadius ületab 300 km. 9A105 Vedelkütuse rakettmootorid, millel on järgmised omadused: [M] a. Vedelkütuse rakettmootorid, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides, muud kui punktis 9A005 kirjeldatud, mille impulsi koguvõimsus ületab 1,1 MNs [M] b. Vedelkütuse rakettmootorid, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides, muud kui punktides 9A005 või 9A105.a kirjeldatud, mille impulsi koguvõimsus ületab 0,841 MNs. 9A106 Süsteemid või komponendid, muud kui punktis 9A006 kirjeldatud, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides ja määratud vedelkütuse rakettmootorsüsteemidele: [M] a. Ablatiivsed sisekatted reaktiiv- või põlemiskambritele [M] b. Raketidüüsid [M] c. Veojõu suunakontrolli alamsüsteemid [M] d. Vedelkütuse kontrollsüsteemid ja neile spetsiaalselt määratud komponendid, mis on määratud või modifitseeritud tööoperatsioonideks vibratsioonikeskkonnas ruutkeskmise kiirendusega 10 g või enam, sagedusvahemikus 20 Hz kuni 2000 Hz. 9A107 [M] Tahkekütuse rakettmootorid, muud kui punktis 9A007 kirjeldatud, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides, mille impulsi koguvõimsus ületab 0,841 MNs. 9A108 Komponendid, muud kui punktis 9A008 kirjeldatud, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides ning spetsiaalselt määratud kasutamiseks tahkekütuse rakettmootorsüsteemides: [M] a. Rakettmootorite korpused ja toitesüsteemi komponendid [M] b. Raketidüüsid [M] c. Veojõu suunakontrolli alamsüsteemid 9A109 [M] Hübriidrakettmootorid, muud kui punktis 9A009 kirjeldatud, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides ja spetsiaalselt neile määratud komponendid. 9A110 [M] Komposiitstruktuurid, laminaadid, nendest valmistatud tooted, muud kui punktis 9A010 kirjeldatud, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks punktides 9A004 või 9A104 kirjeldatud süsteemides või punktides 9A005, 9A007, 9A105.a, 9A106 kuni 9A108, 9A116 või 9A119 kirjeldatud alamsüsteemides, ja vaiguga impregneeritud või metalliga kaetud fiiberkompositsioonid, mille «eritõmbetugevus» on suurem kui 7,62×104 m ja «erimoodul» on suurem kui 3,18×106 m. 9A111 [M] Impulssjugamootorid, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides ja spetsiaalselt neile määratud komponendid. 9A115 Kosmoserakettide stardi- ja abiseadmed, mis on määratud või modifitseeritud kasutamiseks punktis 9A004 või 9A104 kirjeldatud süsteemides: [M] a. Käitamise, kontrolli ja aktiveerimise seadmed ning varustus [M] b. Transpordivahendid ja stardikompleksid. 9A116 [M] Atmosfääri taassisenevad lennuaparaadid, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides ja spetsiaalselt neile määratud komponendid: a. Atmosfääri taassisenevad lennuaparaadid b. Kuumakaitsekilbid ja nende komponendid, mis on valmistatud keraamilistest või ablatiivmaterjalidest c. Jahutusradiaatorid ja nende komponendid, mis on valmistatud kergekaalulistest, suure soojusmahtuvusega materjalidest d. Elektroonilised seadmed ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud atmosfääri taassisenevatele lennuaparaatidele. 9A117 [M] Mitmeastmelised jõumehhanismid, eraldusmehhanismid ja vaheastmed, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides. 9A118 [M] Põlemisprotsessi reguleerimise seadmed, mis on määratud kasutamiseks punktides 9A011 või 9A111 kirjeldatud mootorites. 9A119 [M] [LC] Üksikud raketiastmed, muud kui punktides 9A005, 9A007, 9A009, 9A105, 9A107 või 9A109 kirjeldatud, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides. 9A905 [M] Vedelkütuse rakettmootorid, muud kui punktides 9A005 või 9A105 kirjeldatud, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides, mille impulsi koguvõimsus ületab 0,841 MNs. 9A907 [M] Tahkekütuse rakettmootorid, muud kui punktides 9A007 või 9A107 kirjeldatud, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides, mille impulsi koguvõimsus ületab 0,841 MNs. 9A919 Üksikud raketiastmed: [M] a. Muud kui punktis 9A119 kirjeldatud, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides b. Sisaldavad punktides 9A905 või 9A907 kirjeldatud kaupu või c. Sisaldavad hübriidrakettmootoreid, muud kui punktis 9A109 kirjeldatud, mis on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides, mille impulsi koguvõimsus ületab 0,841 MNs. 9A991 [EST] Varustus ja seadmed, mis on määratud õhusõidukite või nende osade funktsioonide simuleerimiseks või modelleerimiseks. 9B Testimis- ja tootmisvahendid 9B001 [W] Seadmed ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud gaasiturbiinide labade tootmiseks või mõõtmiseks ning gaasiturbiinide labaotste katete valamiseks. 9B002 [W] On-line (reaalajas) kontrollsüsteemid, seadmed (kaasa arvatud sensorid) ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks gaasturbiinmootorite arendamisel ja sisaldavad punktis 9E003.a kirjeldatud tehnoloogiat. 9B004 [W] Tööriistad, stantsid või seadmed, mis on määratud kasutamiseks supersulamite, titaani või punktides 9E003.a.3 või 9E003.a.6 kirjeldatud intermetalliliste ühendite tahkisliitmisel. 9B005 [W] [M] On-line (reaalajas) kontrollsüsteemid, seadmed (kaasa arvatud sensorid) ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks ükskõik milliste järgnevate aerodünaamiliste torude või seadmete juures: a. Aerodünaamilised torud, mis on määratud kiirustele Mach 1,2 või enam b. Seadmed hoovusliku keskkonna simuleerimiseks kiirustel Mach 5 või enam, kaasa arvatud plasmakaaretorud, õhulöögitekitusseadmed, õhulöögitekitustorud ja gaastorud või c. Aerodünaamilised torud või seadmed, muud kui kahedimensionaalsed sektsioonid, mis võimaldavad simuleerida voogu, mille puhul Reynoldsi arv ületab 25×106. 9B006 [W] [M] Akustilise vibratsiooni testimise seadmed, mis võimaldavad toota helirõhku tasemega 160 dB või enam, kavandatud väljundvõimsusega 4 kW või enam, katsekambri temperatuuriga 1273 K (+1000 oC) või enam ja spetsiaalselt neile määratud kvartsküttekehad. 9B007 [W] Seadmed ja varustus, mis on määratud rakettmootorite terviklikkuse kontrolliks ilma mootorite eelneva demontaaþita, kasutades mittepurustava kontrolli (NDT) metoodikat (muud kui röntgenikiirgus-, keemiline või füüsikaline analüüs). 9B008 [W] Sensorid, mis on spetsiaalselt määratud katsetusvoo seinahõõrdetakistuse vahetuks mõõtmiseks stagnatsioonitemperatuuril, mis ületab 833 K (+560 oC) 9B009 [W] Varustus ja seadmed, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks turbiinmootorite rootorite komponentide tootmisel pulbermetallurgias. 9B105 [M] Aerodünaamilised torud, mis on määratud kiirustele Mach 0,9 või enam ja on kasutatavad terviklikes raketisüsteemides ja nende alamsüsteemides. 9B106 [M] Keskkonnakambrid ja kõlavabad kambrid: a. Keskkonnakambrid, mis võimaldavad simuleerida järgmisi lennutingimusi: 1. Vibratsioonikeskkond ruutkeskmise kiirendusega 10 g või enam, sagedusvahemikus 20 Hz kuni 2000 Hz, edastatav jõud 5 kN või enam ja 2. Lennukõrgus 15 000 m või enam või 3. Temperatuurivahemik 223 K (-50 oC) kuni 398 K (+125 oC). b. Kõlavabad kambrid, mis võimaldavad simuleerida järgmisi lennutingimusi: 1. Keskkonna üldine helitase ületab 140 dB või kavandatud väljundvõimsus ületab 4 kW ja 2. Lennukõrgus 15 000 m või enam või 3. Temperatuurivahemik 223 K (-50 oC) kuni 398 K (+125 oC). 9B115 [M] [LC] Tootmisvarustus, mis on spetsiaalselt määratud punktides 9A005 kuni 9A009, 9A011, 9A101, 9A105 kuni 9A109, 9A111, 9A116 kuni 9A119 kirjeldatud süsteemide, alamsüsteemide ja komponentide tootmiseks. 9B116 [M] [LC] Tootmisseadmed, mis on spetsiaalselt määratud punktides 9A004 kuni 9A009, 9A011, 9A101, 9A104, kuni 9A109, 9A111, 9A116 kuni 9A119 kirjeldatud süsteemide, alamsüsteemide ja komponentide tootmiseks. 9B117 [M] Katsestendid tahke- või vedelkütuse rakettmootorite katsetamiseks, millel on järgmised omadused: a. Võimaldavad rakendada veojõudu väärtusega enam kui 90 kN või b. Võimaldavad kolmemõõtmelist veojõu komponentide mõõtmist. 9B915 [M] Tootmisvarustus, mis on spetsiaalselt määratud punktides 9A905, 9A907 või 9A919 kirjeldatud süsteemide, alamsüsteemide ja komponentide tootmiseks. 9B916 [M] Tootmisseadmed, mis on spetsiaalselt määratud punktides 9A905, 9A907 või 9A919 kirjeldatud süsteemide, alamsüsteemide ja komponentide tootmiseks. 9C Materjalid ­ 9D Tarkvara 9D001 [M] [LC] Tarkvara, mis on vajalik punktides 9A, 9B või 9E003 kirjeldatud varustuse või tehnoloogia arendamiseks. 9D002 [M] Tarkvara, mis on vajalik punktides 9A või 9B kirjeldatud varustuse tootmiseks. 9D003 [W] Tarkvara, mis on vajalik punktis 9A kirjeldatud jõusüsteemide või punktis 9B kirjeldatud varustuse täielikuks digitaalelektrooniliseks kontrolliks (FADEC). a. Digitaalelektroonilise kontrolli tarkvara, mis on määratud rakettmootorite katsetamiseks b. Tõrketaluvusega tarkvara, mis on kasutatav FADEC süsteemides ja spetsiaalselt määratud rakettmootorite katsetamiseks 9D004 Tarkvara: [W] a. Tarkvara gaasiturbiinmootorite, nende koostude või komponentide katsetamiseks, mis võimaldab andmete kogumist, selekteerimist ja analüüsi reaalajas b. Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud suunatud tahkumise või monokristallide valamise juhtimiseks. 9D101 [M] [LC] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud punktides 9B105, 9B106, 9B116 või 9B117 kirjeldatud kaupade kasutamiseks. 9D103 [M] [LC] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud punktides 9A004 või 9A104 kirjeldatud süsteemide või punktides 9A005, 9A007, 9A105.a, 9A106, 9A108, 9A116 või 9A119 kirjeldatud alamsüsteemide modelleerimiseks, simuleerimiseks või integreerimiseks. 9D901 [M] Tarkvara, mis on spetsiaalselt määratud punktis 9B916 kirjeldatud kaupade kasutamiseks. 9E Tehnoloogia 9E001 [M] [LC] Tehnoloogia, mis on vajalik punktides 9A001.c, 9A004 kuni 9A011, 9B või 9D kirjeldatud varustuse või tarkvara arendamiseks. 9E002 [M] [LC] Tehnoloogia, mis on vajalik punktides 9A001.c, 9A004 kuni 9A011 või 9B kirjeldatud varustuse tootmiseks. 9E003 [W] a. Tehnoloogia, mis on vajalik ükskõik milliste järgnevate gaasiturbiinmootorite komponentide või süsteemide arendamiseks või tootmiseks: 1. Gaasiturbiinide labad, mis on valmistatud suunatud tahkumisega valmistatud sulamitest või monokristallsulamitest, mille purunemistsükkel ületab 400 tundi, temperatuuril 1273 K (+1000 oC) ja pingel 200 MPa 2. Komponendid, mis on valmistatud orgaanilistest komposiitmaterjalidest või punktides 1A002 või 1C007 kirjeldatud metallkeraamilistest komposiitidest, keraamilistest maatriksitest, intermetallilistest või armeeritud intermetallilistest materjalidest ja määratud tööoperatsioonideks temperatuuril, mis ületab 588 K (+315 oC) 3. Jahutuseta turbiinide labad või muud komponendid, mis on määratud tööoperatsioonideks temperatuuril 1323 K (+1050 oC) või enam 4. Jahutusega turbiinide labad, muud kui punktis 9E003.a.1 kirjeldatud, mis on määratud tööoperatsioonide temperatuuril 1643 K (+1370 oC) või enam 5. Gaasiturbiinmootorite komponendid, mille valmistamisel on kasutatud punktis 2E003.b nimetatud difusioonkeevituse (molekulaarne tahkisühendamine) tehnoloogiat 6. Vigastuste taluvusega gaasiturbiinmootorite pöörlevad komponendid, mille valmistamisel on kasutatud punktis 1C002.b kirjeldatud pulbermetallurgia materjale 7. Gaasiturbiin- ja kombineeritud tsükkelmootoritele määratud täieliku digitaalelektroonilise kontrollsüsteemid (FADEC), diagnostika komponendid ja sensorid b. Tehnoloogia, mis on vajalik ükskõik millise järgneva arendamiseks või tootmiseks: 1. Aerodünaamiliste torude mudelid, mis on varustatud andmete analüüsisüsteemiga ühendatud sensoritega või 2. Komposiitmaterjalidest propellerite labad, mis võimaldavad lennukiirustel Mach 0,55 ja enam absorbeerida enam kui 2000 kW. c. Tehnoloogia, mis on vajalik gaasiturbiinmootorite komponentide arendamisel või tootmisel lasersüvistus, veesurvesüvistus või elektrokeemilise (ECM) süvistuse protsessis, tootmaks auke või avasid, mis omavad järgmisi tunnuseid: 1. Kõiki järgnevaid tunnuseid omavad augud ja avad: a. Sügavusega, mis ületab neljakordselt nende diameetri b. Diameetriga 0,76 mm või vähem ja c. Asetusnurgaga 25o või vähem või 2. Kõiki järgnevaid tunnuseid omavad augud ja avad: a. Sügavusega, mis ületab viiekordselt nende diameetri b. Diameetriga 0,4 mm või vähem ja c. Asetusnurgaga 25o või enam. d. Tehnoloogia, mis on vajalik ükskõik milliseks järgnevaks: 1. Helikopterite jõuülekandesüsteemide ja pöördrootoriga või pöördtiibadega õhusõidukite jõuülekandesüsteemide arendamiseks või 2. Helikopterite jõuülekandesüsteemide ja pöördrootoriga või pöördtiibadega õhusõidukite jõuülekandesüsteemide tootmiseks. e. 1. Tehnoloogia, mis on vajalik maismaasõidukite jõusüsteemides kasutatavate, järgnevate omadustega diiselkolbmootorite arendamiseks ja tootmiseks: a. Silindri ruumala on võrdne või väiksem kui 1,2 m3 b. Väljundvõimsus ületab 750 kW ja c. Võimsustihedus ületab 700 kW/m3. 2. Tehnoloogia, mis on vajalik suure väljundvõimsusega diiselmootoritele spetsiaalselt määratud komponentide tootmiseks: a. Tehnoloogia, mis on vajalik mootorisüsteemide tootmiseks, mille kõik järgnevad komponendid on valmistatud punktis 1C007 kirjeldatud keraamilistest materjalidest: 1. Silindrihülsid 2. Kolvid 3. Silindripead b. Tehnoloogia, mis on vajalik üheastmeliste kompressoritega turbolaadursüsteemide tootmiseks, mis omavad kõiki järgnevaid omadusi: 1. Kavandatud tööoperatsioonideks surveastmel 4:1 või kõrgem 2. Massivoog 30 kg kuni 130 kg minutis. 9E101 [M] [LC] Tehnoloogia, mis on vajalik punktides 9A101, 9A104 kuni 9A111, 9A115 kuni 9A119 kirjeldatud kaupade arendamiseks ja tootmiseks. 9E102 [M] Tehnoloogia, mis on vajalik punktides 9A004 kuni 9A011, 9A101, 9A104 kuni 9A111, 9A115 kuni 9A119, 9B105, 9B106, 9B115, 9B116, 9B117, 9D101 või 9D103 kirjeldatud kaupade kasutamiseks. 9E901 [M] Tehnoloogia, mis on vajalik punktides 9A905, 9A907, 9A919, 9B915, 9B916 või 9D901 kirjeldatud varustuse või tarkvara arendamiseks 9E902 [M] Tehnoloogia, mis on vajalik punktides 9A905, 9A907, 9A919, 9B915, 9B916 või 9D901 kirjeldatud varustuse või tarkvara tootmiseks. 9E903 [M] Tehnoloogia, mis on vajalik punktides 9A905, 9A907, 9A919, 9B915, 9B916 või 9D901 kirjeldatud varustuse või tarkvara kasutamiseks. 9E991 [EST] Tehnoloogia, mis on vajalik punktis 9A991 kirjeldatud varustuse arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.