Vabariigi Valitsus — Vabariigi Valitsuse 5. oktoobri 1994. a määruse nr 356 muutmine ja strateegiliste kaupade nimekirja kinnitamine — RT I, 11, 235

Vabariigi Valitsuse 5. oktoobri 1994. a. määruse nr. 356 muutmine ja strateegiliste kaupade nimekirja kinnitamine Vabariigi Valitsuse 26. jaanuari 1996. a määrus nr 30 Strateegilise kauba välja- ja transiitveo seaduse (RT I 1994, 30, 466) paragrahvi 2 lõike 2 ja paragrahvi 3 lõike 2 alusel Vabariigi Valitsus määrab: 1. Muuta Vabariigi Valitsuse 5. oktoobri 1994. a. määrusega nr. 356 "Strateegilise kauba välja- ja transiitveo seaduse rakendamine" (RT I 1994, 70, 1220) kinnitatud "Strateegilise kauba välja- ja transiitveo korra" punkti 5 ning sõnastada see järgmiselt: "5. Strateegiliste kaupade nimekirjades loetletud kaupadele ei nõuta väljaveolitsentsi ega transiitveoluba järgmistel juhtudel (erandid ei kehti nimekirjades 1, 2 ja 3 loetletud kaupade kohta): 1) kui teenindustööks Eesti tolliterritooriumile tolliprotseduuriga "ajutine sissevedu taasväljaveo kohustusega muutusteta kujul" (Vabariigi Valitsuse 15. novembri 1994. a. määrusega nr. 425 kinnitatud "Kauba ajutise sisseveo taasväljaveo kohustusega muutusteta kujul tolliprotseduuri rakendamise eeskiri" (RT I 1994, 82, 1412; 1995, 95, 1632)) sisseveetud töö- ja tootmisvahendid veab välja nende omanik või omaniku poolt volitatud isik; 2) läbi Eesti tolliterritooriumi veetava transiitveose korral, kui kauba saaja ja sihtriik on samad, millest kauba lähteriigi eksportöör on informeerinud Välisministeeriumi, juhul kui kaup seati väljaveoks valmis eksportivas riigis. See erand ei kehti relvade, laskemoona ja muu sõjalise varustuse (nimekiri 4) kohta ning nimekirja 5 alapunktide 5.2; 5.5; 5.12; 5.26; 5.27; 5.44; 5.47; 5.57; 5.70; 5.74 ja 5.103.1.a kohta; 3) kui kaup on Eestisse sisse veetud eksikombel ning on kuni Eestist taasväljaveoni olnud tolli järelevalve all; 4) kui tellija poolt esitatud tingimustele mittevastav või kõlbmatuks osutunud kaup, mis on olnud kuni Eestist taasväljaveo hetkeni tolli järelevalve all, veetakse tagasi kauba tarnijale; 5) kui näitustel, messidel või muul sellisel juhul väljapanemiseks Eesti tolliterritooriumile käesoleva punkti alapunktis 1 viidatud tolliprotseduuriga "ajutine sissevedu taasväljaveo kohustusega muutusteta kujul" sisseveetud kaubanäidised veab välja nende omanik või tema poolt volitatud isik; 6) tolliprotseduuriga "ajutine väljavedu taassisseveo kohustusega muutusteta kujul" (Vabariigi Valitsuse 15. novembri 1994. a. määrusega nr. 425 kinnitatud "Kauba ajutise väljaveo taassisseveo kohustusega muutusteta kujul tolliprotseduuri rakendamise eeskiri" (RT I 1994, 82, 1412; 1995, 95, 1632)) omaniku poolt ajutiselt väljaviidavatele ning käesoleva punkti alapunktis 1 viidatud tolliprotseduuriga "ajutine sissevedu taasväljaveo kohustusega muutusteta kujul" omaniku poolt ajutiselt sissetoodavatele relvadele, laskemoonale ja ülejäänud sõjalisele varustusele vastavalt strateegiliste kaupade nimekirjale 4 juhul, kui ajutist sisse- või väljavedu teostaval kauba omanikul on olemas vastav Riigi Politseiameti poolt väljastatud eriluba; 7) Eestist väljaviimiseks soetatud piiratud käibega tsiviilrelva Eestist väljaviimise korral Eestis seaduslikult viibiva välismaalase poolt juhul, kui tal on olemas vastav Riigi Politseiameti poolt väljastatud eriluba; 8) välisriigi füüsilise või juriidilise isiku enda nimele registreeritud relva ja laskemoona transiidi korral juhul, kui tal on olemas vastav Riigi Politseiameti poolt väljastatud eriluba; 9) välisriigi diplomaatilise või konsulaaresinduse töötajatele, samuti riiklikul tasemel külalistele ja nende saatjatele kuuluvatele relvadele ja laskemoonale juhul, kui neil on olemas vastav Riigi Politseiameti poolt väljastatud eriluba; 10) kui kaupa, teenuseid ja tehnoloogiat kasutatakse rahvusvahelisi reise teostavate Eesti laevaomanike Eesti lipu all sõitvatel veesõidukitel ning Eesti Vabariigi tsiviilõhusõidukite registrisse kantud õhusõidukitel." 2. Kinnitada juurdelisatud "Strateegiliste kaupade nimekiri". 3. Tunnistada kehtetuks Vabariigi Valitsuse 5. oktoobri 1994. a. määruse nr. 356 (RT I 1994, 70, 1220) punkt 1 strateegiliste kaupade nimekirja kinnitamise osas. Peaminister Tiit VÄHI Välisminister Siim KALLAS Riigisekretär Uno VEERING Strateegiliste kaupade nimekiri 1) Nimekiri 1. Keemiliste või bioloogiliste relvadega seotud kaubad. 2) Nimekiri 2. Aatomitehnoloogia, sellega seotud materjalid ja varustus. 3) Nimekiri 3. Raketid ja nende juurde kuuluvad seadmed ja tehnoloogia. 4) Nimekiri 4. Relvad, laskemoon ja muu sõjaline varustus. 5) Nimekiri 5. Strateegilised kaubad, mida ei ole loetletud nimekirjades 1, 2, 3 ja 4. Nimekiri 1. Keemiliste või bioloogiliste relvadega seotud kaubad (Austraalia grupi (edaspidi AG) nimekiri) Nimekirja Nimetus positsiooni kood 1.1 Keemiarelva valmistamisega seotud kaubad 1.1.1 Kemikaalid 1.1.1.1 Vesinikfluoriid 1.1.1.2 Fosforoksükloriid 1.1.1.3 Fosfortrikloriid 1.1.1.4 Tionüülkloriid 1.1.1.5 Fosforpentakloriid 1.1.1.6 Kaaliumfluoriid 1.1.1.7 Arseentrikloriid 1.1.1.8 Naatriumsulfiid 1.1.1.9 Kaaliumtsüaniid 1.1.1.10 2-kloroetanool 1.1.1.11 3,3-dimetüül-2-butanool 1.1.1.12 3,3-dimetüül-2-butanoon 1.1.1.13 Ammooniumvesinikfluoriid 1.1.1.14 Kaaliumvesinikfluoriid 1.1.1.15 Naatriumfluoriid 1.1.1.16 Naatriumvesinikfluoriid 1.1.1.17 Fosforpentasulfiid 1.1.1.18 Naatriumtsüaniid 1.1.1.19 Metüülbensilaat 1.1.1.20 Bensüülhape (2,2-difenüül-2-hüdroksüetaanhape) 1.1.1.21 Dimetüülamiin 1.1.1.22 Dimetüülamiin hüdrokloriid 1.1.1.23 N,N-diisopropüül-á-aminoetanool 1.1.1.24 Diisopropüülamiin 1.1.1.25 Trietanoolamiin 1.1.1.26 N,N-diisopropüül-á-aminoetanool 1.1.1.27 Dietüülamiinoetanool 1.1.1.28 Tiodiglükool 1.1.1.29 N,N-diisopropüül-á-aminoetaantiool 1.1.1.30 Dimetüül-metüülfosfaat 1.1.1.31 Metüülfosfonüüldifluoriid 1.1.1.32 Metüülfosfonüüldikloriid 1.1.1.33 Dimetüülfosfit 1.1.1.34 Trimetüülfosfit 1.1.1.35 Dietüül-etüülfosfonaat 1.1.1.36 Dietüül-N,N-dimetüülfosforamidaat 1.1.1.37 Dietüülfosfit 1.1.1.38 Etüülfosfinüüldikloriid 1.1.1.39 Etüülfosfonüüldikloriid 1.1.1.40 Etüülfosfonüüldifluoriid 1.1.1.41 Metüülfosfinüüldikloriid 1.1.1.42 QL(O-etüül-2-diisopropüülaminoetüülmetüülfosfoniit) 1.1.1.43 Trietüülfosfit 1.1.1.44 Dietoksümetüülfosfiin 1.1.1.45 Dimetüületüülfosfonaat 1.1.1.46 Etüülfosfonüüldifluoriid (etüülfosfordifluoriid) 1.1.1.47 Metüülfosfinüüldifluoriid (metüülfosfordifluoriid) 1.1.1.48 3-hüdroksü-1-metüülpiperidiin 1.1.1.49 3-quinuclidinol 1.1.1.50 1-asabitsüklo [2. 2. 2.] oktaan-3-oon 1.1.1.51 Väävelmonokloriid 1.1.1.52 Vääveldikloriid 1.1.1.53 Trietanoolamiini hüdrokloriid 1.1.1.54 N,N-diisopropüül-2-aminoetüülkloriidi hüdrokloriid 1.1.2 Kahese kasutusega kemikaalide tootmisseadmete, -varustuse ja tehnoloogia kontrollnimekiri 1.1.2.I Tootmisseadmed ja -varustus 1.1.2.I.1 Reaktsioonianumad, reaktorid ja segistid 1.1.2.I.1.1 Segajatega või ilma segajateta reaktsioonianumad või reaktorid, mille geomeetriline maht on suurem kui 0,1 m3 (100 l) ja väiksem kui 20 m3 (20 000 l), mille kõik toodetavate või kasutatavate kemikaalidega otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud järgmistest materjalidest: a) nikkel või niklisulamid, milles on üle 40% (kaalu järgi) niklit; b) sulamid, milles on üle 25% (kaalu järgi) niklit ja üle 20% (kaalu järgi) kroomi; c) fluorpolümeerid; d) klaas või klaaskiud (kaasa arvatud klaasiga kaetud kiud ja emaileeritud kangas); f) tantaal või tantaalisulamid; g) titaan või titaanisulamid; h) tsirkoonium või tsirkooniumisulamid. 1.1.2.I.1.2 Punktis 1.1.2.I.1.1 nimetatud reaktsioonianumates või reaktorites kasutamiseks ettenähtud segajad, mille kõik toodetavate või kasutatavate kemikaalidega otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud järgmistest materjalidest: a) nikkel või niklisulamid, milles on üle 40% (kaalu järgi) niklit; b) sulamid, milles on üle 25% (kaalu järgi) niklit ja üle 20% (kaalu järgi) kroomi; c) fluorpolümeerid; d) klaas või klaaskiud (kaasa arvatud klaasiga kaetud kiud ja emaileeritud kangas); f) tantaal või tantaalisulamid; g) titaan või titaanisulamid; h) tsirkoonium või tsirkooniumisulamid. 1.1.2.I.2 Säilituspaagid, konteinerid või survepaagid 1.1.2.I.2 Säilituspaagid, konteinerid või survepaagid, mille geomeetriline maht on suurem kui 0,1 m3 ning mille kõik toodetavate või kasutatavate kemikaalidega otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud järgmistest materjalidest: a) nikkel või niklisulamid, milles on üle 40% (kaalu järgi) niklit; b) sulamid, milles on üle 25% (kaalu järgi) niklit ja üle 20% (kaalu järgi) kroomi; c) fluorpolümeerid; d) klaas või klaaskiud (kaasa arvatud klaasiga kaetud kiud ja emaileeritud kangas); f) tantaal või tantaalisulamid; g) titaan või titaanisulamid; h) tsirkoonium või tsirkooniumisulamid. 1.1.2.I.3 Soojusvahetid või kondensaatorid 1.1.2.I.3 Soojusvahetid või kondensaatorid, mille tööpind on väiksem kui 20 m2 ning mille kõik toodetavate või kasutatavate kemikaalidega otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud järgmistest materjalidest: a) nikkel või niklisulamid, milles on üle 40% (kaalu järgi) niklit; b) sulamid, milles on üle 25% (kaalu järgi) niklit ja üle 20% (kaalu järgi) kroomi; c) fluorpolümeerid; d) klaas või klaaskiud (kaasa arvatud klaasiga kaetud kiud ja emaileeritud kangas); e) grafiit; f) tantaal või tantaalisulamid; g) titaan või titaanisulamid; h) tsirkoonium või tsirkooniumisulamid. 1.1.2.I.4 Rektifikatsiooni- või absorptsioonikolonnid 1.1.2.I.4 Rektifikatsioonikolonnid või absorptsioonikolonnid, mille sisediameeter on suurem kui 0,1 m ning mille kõik toodetavate või kasutatavate kemikaalidega otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud järgmistest materjalidest: a) nikkel või niklisulamid, milles on üle 40% (kaalu järgi) niklit; b) sulamid, milles on üle 25% (kaalu järgi) niklit ja üle 20% (kaalu järgi) kroomi; c) fluorpolümeerid; d) klaas või klaaskiud (kaasa arvatud klaasistatud ja emaileeritud kangas); e) grafiit; f) tantaal või tantaalisulamid; g) titaan või titaanisulamid; h) tsirkoonium või tsirkooniumisulamid. 1.1.2.I.5 Tankimisaparatuur 1.1.2.I.5 Kaugjuhitav tankimisaparatuur, mille kõik toodetavate või kasutatavate kemikaalidega otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud järgmistest materjalidest: a) nikkel või niklisulamid, milles on üle 40% (kaalu järgi) niklit; b) sulamid, milles on üle 25% (kaalu järgi) niklit ja üle 20% (kaalu järgi) kroomi. 1.1.2.I.6 Ventiilid 1.1.2.I.6 Mitmekordse tihendusega ventiilid, mille üheks konstruktsioonielemendiks on lekkedetekteerimissõlm, lõõtstihendiga ventiilid, pidurdusventiilid ja membraanventiilid, mille kõik toodetavate või kasutatavate kemikaalidega otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud järgmistest materjalidest: a) nikkel või niklisulamid, milles on üle 40% (kaalu järgi) niklit; b) sulamid, milles on üle 25% (kaalu järgi) niklit ja üle 20% (kaalu järgi) kroomi; c) fluorpolümeerid; d) klaas või klaaskiud (kaasa arvatud klaasistatud ja emaileeritud kangas); f) tantaal või tantaalisulamid; g) titaan või titaanisulamid; h) tsirkoonium või tsirkooniumisulamid. 1.1.2.I.7 Mitmeseinalised torud 1.1.2.I.7 Mitmeseinalised torud, mille üheks konstruktsioonielemendiks on lekkedetekteerimissõlm ja mille kõik toodetavate või kasutatavate kemikaalidega otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud järgmistest materjalidest: a) nikkel või niklisulamid, milles on üle 40% (kaalu järgi) niklit; b) sulamid, milles on üle 25% (kaalu järgi) niklit ja üle 20% (kaalu järgi) kroomi; c) fluorpolümeerid; d) klaas või klaaskiud (kaasa arvatud klaasistatud ja emaileeritud kangas); e) grafiit; f) tantaal või tantaalisulamid; g) titaan või titaanisulamid; h) tsirkoonium või tsirkooniumisulamid. 1.1.2.I.8 Pumbad 1.1.2.I.8 Mitmetihendilised, isoleeritud pumpava osaga, magnetajamiga lõõts- või membraanpumbad tootja poolt garanteeritud maksimaalse tootlikkusega üle 0,6 m3/h või vaakumpumbad tootja poolt garanteeritud maksimaalse tootlikkusega üle 5 m3/h (temperatuuril 0 °C ja rõhul 101,30 kPa), mille kõik pumbatavate kemikaalidega otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud järgmistest materjalidest: a) nikkel või niklisulamid, milles on üle 40% (kaalu järgi) niklit; b) sulamid, milles on üle 25% (kaalu järgi) niklit ja üle 20% (kaalu järgi) kroomi; c) fluorpolümeerid; d) klaas või klaaskiud (kaasa arvatud klaasistatud ja emaileeritud kangas); e) grafiit; f) tantaal või tantaalisulamid; g) titaan või titaanisulamid; h) tsirkoonium või tsirkooniumisulamid; i) keraamika; j) ferrosilikoon. 1.1.2.I.9 Tuhastusseadmed 1.1.2.I.9 Üle 1000 °C keskmise põletustemperatuuriga tuhastusseadmed, mis on projekteeritud keemiarelvade komponentide, AG poolt kontrollitavate toimeainete või keemiarelvade hävitamiseks ning millel on spetsiaalselt projekteeritud jäätmete transportimise seadmed ja mille kõik jäätmetega otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud järgmistest materjalidest või kaetud nendega: a) nikkel või niklisulamid, milles on üle 40% (kaalu järgi) niklit; b) sulamid, milles on üle 25% (kaalu järgi) niklit ja üle 20% (kaalu järgi) kroomi; c) keraamika. 1.1.2.II MÜRGISTE GAASIDE JÄLGIMISE SÜSTEEMID JA DETEKTORID 1.1.2.II Mürgiste gaaside jälgimise süsteemid ja detektorid, mis on projekteeritud: a) keemiliste ründerelvade lähtematerjalide, AG poolt kontrollitavate toimeainete ja fosforit, väävlit, fluori või kloori sisaldavate orgaaniliste ühendite (kontsentratsiooniga alla 0,3 mg/m3) pidevaks jälgimiseks ja avastamiseks; b) selliste ainete avastamiseks, mille füsioloogiline mõju baseerub koliinesteraasi inhibeerival funktsioonil. 1.1.2.III TEHNOLOOGIA Tehnoloogia, mis on otseselt seotud: - keemiarelvade toimeainetega; - AG poolt kontrollitavate toimeainetega; - AG poolt kontrollitavate kahese kasutusega seadmetega. Tehnoloogia ülekandmise kontroll ei hõlma informatsiooni, mis on mõeldud avalikuks kasutamiseks või mis on seotud üldteaduslike uuringutega. Ükskõik millise AG poolt kontrollitava kauba ekspordi heakskiitmine tähendab automaatselt selle kauba paigaldamiseks, ekspluateerimiseks või parandamiseks vajaliku minimaalse tehnoloogia ülekandmise lubamist samale lõppkasutajale. 1.2 Bioloogilise relva valmistamisega seotud kaubad 1.2.1 Bioloogiliste toimeainete kontrollnimekiri 1.2.1.1 Inimpatogeenid a) Põhinimekiri 1.2.1.1.a.I Viirused V1. Chikungunya viirus V2. Kongo-Krimmi hemorraagilise palaviku viirus V3. Dengue'i palaviku viirus V4. Hobuste ida entsefalomüeliidi viirus V5. Ebola viirus V6. Hantaan-viirus V7. Junin-viirus V8. Lassa palaviku viirus V9. Lümfotsütaarse koriomeningiidi viirus V10. Machupo viirus V11. Marburgi viirus V12. Ahvide rõugeviirus V13. Rift Valley palaviku viirus V14. Puukentsefaliidi viirus/vene kevadsuvine entsefaliidi viirus V15. Rõugeviirus V16. Hobuste venetsueela entsefalomüeliidi viirus V17. Hobuste lääne entsefalomüeliidi viirus V18. White-pox'i viirus V19. Kollapalaviku viirus V20. Jaapani entsefalomüeliidi viirus 1.2.1.1.a.II Riketsiad R1. Coxiella burnetii R2. Rickettsia quintana (tuntud kui Rochalimea quintana) R3. Rickettsia prowasecki R4. Rickettsia rickettssii 1.2.1.1.a.III Bakterid B1. Bacillus anthracis B2. Brucella abortus B3. Brucella melitensis B4. Brucella suis B5. Chlamydia psittaci B6. Clostridium botulinium B7. Francisella tularensis B8. Pseudomonas mallei B9. Pseudomonas pseudomallei B10. Salmonella typhi B11. Shigella dysenteriae B12. Vibrio cholerae B13. Yersina pestis 1.2.1.1.a.IV Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid G1. Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad patogeensusega seotud nukleiinhappejärjestusi ja pärinevad ükskõik millistest põhinimekirjas loetletud patogeenidest. G2. Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad nukleiinhappejärjestusi, mis kodeerivad ükskõik millist põhinimekirja toksiini. 1.2.1.1.a.V Toksiinid T1. Botulismitoksiin T2. Clostridium perfringens toksiin T3. Konotoksiin T4. Ritsiin T5. Saksitoksiin T6. Shigatoksiin T7. Staphylococcus aureus toksiin T8. Tetrodotoksiin T9. Verotoksiin T10. Microcystin b) Hoiatusnimekiri 1.2.1.1.b.I Viirused WV1. Kyasanuri metsaviirus WV2. Loupingilli viirus WV3. Murray Valley entsefaliidi viirus WV4. Omski hemorraagilise põletiku viirus WV5. Oropouche'i viirus WV6. Powassani viirus WV7. Rocio viirus WV8. St Louis entsefaliidi viirus 1.2.1.1.b.II Bakterid WB1. Clostridium perfringens WB2. Clostridium tetani WB3. Enterohemorraagiline Escherichia coli serotüüp 0157 ja muud verotoksiini produtseerivad serotüübid WB4. Legionella pneumophila WB5. Yersinia pseudotuberculosis 1.2.1.1.b.III Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid WG1. Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad patogeensusega seotud nukleiinhappejärjestusi ja pärinevad ükskõik millistest hoiatusnimekirjas loetletud patogeenidest. WG2. Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad selliseid nukleiinhappejärjestusi, mis kodeerivad ükskõik millist hoiatusnimekirja toksiini. 1.2.1.1.b.IV Toksiinid WT1. Abrin WT2. Kooleratoksiin WT3. Teetanustoksiin WT4. Trichothecene mycotoksiin 1.2.1.2 Loompatogeenid 1.2.1.2.I Viirused AV1. Sigade aafrika palaviku viirus AV2. Lindude gripiviirus* AV3. Bluetongue`i viirus AV4. Suu- ja sõrataudi viirus AV5. Kitsede rõugeviirus AV6. Herpesviirus/Aujeszky haiguse viirus AV7. Sigade punataudi viirus AV8. Marutaudiviirus AV9. Newcastle'i haiguse viirus AV10. Väikeste mäletsejate katku viirus AV11. Sigade enteroviirus tüüp 9 AV12. Veisekatku viirus AV13. Lammaste rõugeviirus AV14. Tescheni haiguse viirus AV15. Vesikulaarstomatiidi viirus * See hõlmab vaid neid kõrgpatogeenseid lindude gripiviirusi, mis on defineeritud Euroopa Ühenduse direktiiviga 92/40/EC: 1) tüüp A viirused, mille IVPI (intravenous pathogenicity index) kuue nädala vanustel tibudel on suurem kui 1,2 või 2) tüüp A viiruste alatüübid H5 või H7, mille sekveneerimine on näidanud mitmete põhiaminohapete olemasolu haemegglutinin'i lõikekohas. 1.2.1.2.II Bakterid AB3. Mycoplasma mycoides 1.2.1.2.III Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid AG1. Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad patogeensusega seotud nukleiinhappejärjestusi ja pärinevad ükskõik millistest nimekirjas loetletud patogeenidest. 1.2.1.3 Taimpatogeenide soovitatav nimekiri a) Põhinimekiri 1.2.1.3.a.I Bakterid PB1. Xanthomonas albilineans PB2. Xanthomonas campestris pv. citri 1.2.1.3.a.II Seened PF1. Colletotrichum coffeanum var. virulans PF2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae) PF3. Microcycolus ulei (syn. Dothidella ulei) PF4. Puccinia graminis (syn. Puccinia glumarum) PF5. Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum) PF6. Pyricularia grisea/Pyricularia oryzae 1.2.1.3.a.III Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid PG1. Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad patogeensusega seotud nukleiinhappejärjestusi ja pärinevad ükskõik millistest taimpatogeenide nimekirjas loetletud patogeenidest. b) Hoiatusnimekiri 1.2.1.3.b.IV Bakterid PWB1. Xanhomonas campestris pv. oryzae PWB2. Xylella fastidiosa 1.2.1.3.b.V Seened PWF1. Deuterophoma tracheiphila (syn. Phoma tracheiphila) PWF2. Monilia rorei (syn. Moniliophthora rorei) 1.2.1.3.b.VI Viirused PWV1. Banana bunchy top virus 1.2.1.3.b.VII Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid PWG1. Geneetiliselt modifitseeritud mikroorganismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad patogeensusega seotud nukleiinhappejärjestusi ja pärinevad ükskõik millistest taimpatogeenide soovitatavas nimekirjas loetletud patogeenidest. 1.2.2 Kahese kasutusega biotehnoloogiline varustus 1.2.2.1 Komplektsed isolaatorid isoleerimistasemega P3, P4 Komplektsed isolaatorid, mis vastavad "WHO's Laboratory Biosafety Manual" (Genf 1983) sisalduvatele turvalisusnõuetele P3 või P4 (BL3, BL4, L3, L4). 1.2.2.2 Fermentaatorid* Fermentaatorid, mida on ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita võimalik kasutada mikroobide ja viiruste kultiveerimiseks või toksiinide valmistamiseks ja millel on kõik järgmised näitajad: a) maht 300 liitrit või suurem; b) topelt- või mitmekordse tihendusega ühendused auru sisaldavas keskkonnas; c) auruga steriliseerimise võimalus ilma seadme eelneva demontaažita. * Fermentaatorite alamgrupid sisaldavad bioreaktoreid, kemostaate ja pidevvoolusüsteeme. 1.2.2.3 Tsentrifugaalseparaatorid** Tsentrifugaalseparaatorid, mis ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita võimaldavad patogeensete mikroobide kontsentratsiooni pidevat tõstmist ja millel on kõik järgmised näitajad: a) läbivoolukiirus 100 l või enam tunnis; b) seade on tervikuna või osaliselt valmistatud poleeritud roostevabast terasest või titaanist; c) topelt- või mitmekordse tihendusega ühendused auru sisaldavas keskonnas; d) auruga steriliseerimise võimalus ilma seadme eelneva demontaažita. ** Tsentrifugaalseparaatorid sisaldavad dekanteerimisseadmeid. 1.2.2.4 Ristvoolu filtratsiooniaparatuur Ristvoolu filtratsiooniaparatuur, mis on konstrueeritud pidevaks patogeensete mikroobide, viiruste, toksiinide ja rakukultuuride kontsentratsiooni tõstmiseks ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita ja millel on kõik järgmised näitajad: a) filtripindala 5 m2 või suurem; b) auruga steriliseerimise võimalus ilma seadme eelneva demontaažita. 1.2.2.5 Lüofiliseerimisaparatuur Auruga steriliseeritav lüofiliseerimisaparatuur kondensaatori tootlikkusega 50 kuni 1000 kg jääd 24 tunni jooksul. 1.2.2.6 Varustus, mida on võimalik kasutada P3- ja P4-(BL3, BL4, L3, L4) isolaatorite koostises või mis kuulub nende koostisesse 1.2.2.6.1 Tervikuna või osaliselt katvad hermeetilised kaitseülikonnad. 1.2.2.6.2 Klassi 3 bioloogialaboratooriumide varustus või isolaatorid, mis vastavad samale standardile. 1.2.2.7 Aerosoolide inhalatsioonikambrid Kambrid, mis on konstrueeritud loomkatseteks patogeensete mikroobide, viiruste või toksiinide aerosoolidega ja mille suurus on 1 m3 või üle selle. 1.2.2.8 Muud seadmed ja varustus 1.2.2.8.1 Elusorganismide ja mürkide (osakeste suurus 1...10 μm) mikrokapseldamiseks vajalik varustus, eriti: 1. faasidevahelised polükondensaatorid; 2. faaside separaatorid. 1.2.2.8.2 Kombineeritud süsteemides kasutamiseks ettenähtud, väiksema kui 300-liitrise mahuga fermentaatorid, mis sisaldavad erikonstruktsiooniga sõlmi. 1.2.2.8.3 Tavalised või turbulentse õhuvooluga steriilsed ruumid ja HEPA-filtersõlmed, mida on võimalik kasutada P3 või P4 (BL3, BL4, L3, L4) nõuetele vastavates rajatistes. Nimekiri 2. Aatomitehnoloogia, sellega seotud materjalid ja varustus (Tuumatarnijate grupi lühendatud nimekiri) Nimekirja Nimetus positsiooni kood 2.1 Seadmed ja aparatuur tuumakütuse töötlemiseks. 2.2 Seadmed ja aparatuur uraani- ja plutooniumiisotoopide eraldamiseks. 2.3 Seadmed ja aparatuur tuumakütuse tootmiseks. 2.4 Seadmed ja aparatuur uraanheksafluoriidi tootmiseks. 2.5 Aparatuur tuumareaktorite kütuse käitlemiseks ja transpordiks. 2.5 Aparatuur tuumareaktorite kütuse transpordiks. 2.6 Seadmed ja materjalid, mis on spetsiaalselt valmistatud uraani- ja plutooniumiisotoopide eraldamise aparatuuri konstrueerimiseks, varustamiseks ja käigushoidmiseks. 2.7 Seadmed ja aparatuur raske vee tootmiseks. 2.8 Seadmed ja aparatuur triitiumi tootmiseks. 2.9 Seadmed ja aparatuur liitiumi isotoopide eraldamiseks. 2.10 Käesolevas nimekirjas loetletud seadmete ja aparatuuri osad. Nimekiri 3. Raketid koos juurdekuuluvate seadmete ja tehnoloogiaga (Rakettrelvastuse kontrollrežiimi lühendatud nimekiri) NB! Nimekiri ei ole identne dokumendiga "Equipment and Technology Annex", mis reguleerib rakettide ja nende juurde kuuluvate seadmete ja tehnoloogia eksporti vastavalt Raketitehnoloogia kontrollrežiimile (Missile Technology Control Regime - MTCR). Kahtluse korral, kas tooted/tehnoloogia kuulub käesolevas nimekirjas toodud kategooriatesse, on eksportija kohustatud kontrollima seda dokumendist "Equipment and Technology Annex", mille saamiseks tuleb pöörduda Välisministeeriumi juurde moodustatud strateegilise kauba väljaveo kontrolli komisjoni poole. Nimekirja Nimetus positsiooni kood 3.1 Terviklikud raketisüsteemid (k.a. ballistilised raketisüsteemid, kosmosesse lennutamise süsteemid ja sondeerimisraketid) ja mehitamata õhusõidukid (k.a. tiibraketid, luureraketid), mis suudavad transportida vähemalt 500 kg kasulikku laadungit vähemalt 300 km kaugusele. 3.2 Komplektsed alamsüsteemid punktis 3.1 nimetatud süsteemidele ning tootmisseadmed ja -aparatuur spetsiaalselt sellistele seadmetele. 3.2.1 Üksikud raketiastmed. 3.2.2 Atmosfääri tungimiseks valmistatud kanderaketid. 3.2.3 Vedel- ja tahkekütusel töötavad raketimootorid. 3.2.4 "Thrust-vector" printsiibil põhinevad kontrollsüsteemid. 3.2.5 Punktis 3.1 nimetatud süsteemidele lõhkepea installeerimiseks, lahinguvalmidusse viimiseks ja eemaldamiseks ettenähtud seadmed. 3.3 Punktis 3.1 nimetatud süsteemide energiasüsteemid, nende energiasüsteemide osad ja selliste süsteemide või komponentide jaoks spetsiaalselt ettenähtud tootmisaparatuur ja seadmed. 3.4 Kütused punktis 3.1 nimetatud rakettide energiasüsteemidele, sellistele kütustele spetsiaalselt valmistatud vaheproduktid ning selliste kütuste ja vaheproduktide valmistamiseks spetsiaalselt ettenähtud tehnoloogia ja tootmisaparatuur. 3.4.1 Kütused punktis 3.1 nimetatud rakettide energiasüsteemidele ja sellistele kütustele spetsiaalselt valmistatud vaheproduktid. 3.4.2 Punktis 3.1 nimetatud rakettide energiasüsteemidele kütuse ning nende vaheproduktide valmistamiseks spetsiaalselt ettenähtud tehnoloogia ja tootmisaparatuur. 3.5 Aparatuur ja tehnoloogia komposiitmaterjalide valmistamiseks punktis 3.1 nimetatud süsteemide struktuuridele ning sellise aparatuuri komponendid ja spetsiaalne tarkvara. 3.6 Struktuurmaterjalid punktis 3.1 nimetatud süsteemidele. 3.6.1 Komposiitstruktuurid, laminaadid ja nendest valmistatud osad. 3.6.2 Süsinik-süsinik materjalid spetsiaalselt raketisüsteemide jaoks. 3.6.3 Peeneksjahvatatud tehisgrafiit mootoridüüsidele ja muuks kasutamiseks rakettides. 3.6.4 Keraamilised komposiitmaterjalid spetsiaalselt raketikorpustele. 3.6.5 Volfram, molübdeen ja nende sulamid, mis koosnevad sfäärilistest või pihustatud osakestest suurusega 500 μm või vähem ja puhtusega 97% või enam. 3.6.6 Legeeritud teras purunemistugevusega 1,5x10 astmes 9 Pa või suurem (mõõdetud 20 °C juures). 3.7 Kompassid, güroskoobid, kiirendusmõõtjad ja inertsiaalnavigatsiooniseadmed punktis 3.1 nimetatud rakettidele ning komponendid ja tarkvara nende jaoks. 3.8 Lennukontrollisüsteemid punktis 3.1 nimetatud süsteemidele ja selliste lennukontrollisüsteemide katsetamiseks, kalibreerimiseks ja tsentreerimiseks spetsiaalselt ettenähtud aparatuur. 3.9 Elektrooniline aparatuur, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud punktis 3.1 nimetatud süsteemidele ning komponendid ja tarkvara spetsiaalselt sellisele elektroonilisele aparatuurile. 3.10 Stardiseadmed ja varuaparatuur punktis 3.1 nimetatud süsteemidele. 3.11 Analoogarvutid, digitaalarvutid ja digitaalsed diferentsiaalanalüsaatorid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud õhusõidukite või rakettide jaoks ja on kasutatavad punktis 3.1 nimetatud süsteemide juures. 3.12 Analoogdigitaal muundurid punktis 3.1 nimetatud süsteemidele. 3.13 Katseaparatuur ja seadmed (k.a. spetsiaalne tarkvara) punktis 3.1 nimetatud süsteemide jaoks: 3.13.1 Katseaparatuur ja seadmed punktis 3.1 nimetatud süsteemide jaoks: a) vibratsioonikatsetusaparatuur sagedusvahemikule 20 Hz...2 kHz edastatava jõuga 50 kN või enam; b) aerodünaamilised torud Mach 0,9 ja enama jaoks; c) raketimootorite katsepingid tõukejõuga enam kui 90 kN; d) kliimakambrid ja summutuskambrid aerodünaamilise keskkonna simuleerimiseks (temperatuur, vibratsioon ja sumbumisomadused). 3.13.2 Spetsiaalne tarkvara punktis 3.1 nimetatud süsteemide jaoks. 3.13.3 Radiograafiline aparatuur, v.a. spetsiaalselt meditsiiniliseks kasutuseks ettenähtud aparatuur. 3.14 Tarkvara ja arvutid spetsiaalselt punktis 3.1 ja punktis 3.2 nimetatud süsteemide modelleerimiseks, simuleerimiseks ja süsteemintegreerimiseks. 3.14.1 Arvutid spetsiaalselt punktis 3.1 ja punktis 3.2 nimetatud süsteemide modelleerimiseks, simuleerimiseks ja süsteemintegreerimiseks. 3.14.2 Tarkvara spetsiaalselt punktis 3.1 ja punktis 3.2 nimetatud süsteemide modelleerimiseks, simuleerimiseks ja süsteemintegreerimiseks. 3.15 Tehnoloogia, materjalid ja seadmed punktis 3.1 nimetatud süsteemide avastatavuse vähendamiseks, näit. avastatavus radarite abil või optiliselt. 3.15.1 Materjalid ja seadmed punktis 3.1 nimetatud süsteemide avastatavuse vähendamiseks, näit. avastatavus radarite abil või optiliselt. 3.15.2 Tehnoloogia punktis 3.1 nimetatud süsteemide avastatavuse vähendamiseks, näit. avastatavus radarite abil või optiliselt. 3.16 Tehnoloogia ja seadmed punktis 3.1 nimetatud süsteemide kaitseks tuumaplahvatuse mõjude eest. 3.16.1 Seadmed punktis 3.1 nimetatud süsteemide kaitseks tuumaplahvatuse mõjude eest. 3.16.2 Tehnoloogia punktis 3.1 nimetatud süsteemide kaitseks tuumaplahvatuse mõjude eest. 3.17 Terviklikud raketisüsteemid (k.a. ballistilised raketisüsteemid, kosmosesse lennutamise süsteemid ja sondeerimisraketid) ja mehitamata õhusõidukid (k.a. tiibraketid, rakettmärklauad ja luureraketid), mida ei ole nimetatud punktis 3.1 ja mille tegevusulatus on vähemalt 300 km. Nimekiri 4. Relvad, laskemoon ja muu sõjaline varustus Nimekirja Nimetus positsiooni kood 4.1 Käsirelvad sõjaliseks ja muuks otstarbeks, välja arvatud antiiksed käsirelvad, mis on valmistatud enne 1890. a. 4.1.1 Vintpüssid, automaat-tulirelvad, siledaraudsed relvad spetsiaalselt sõjaliseks kasutamiseks, välja arvatud salongipüssid. 4.1.2 Revolvrid ja püstolid, välja arvatud raketi- ja õhupüstolid. 4.1.3 Spordi- ja jahirelvad. 4.2 Suurekaliibrilised relvad. 4.2.1 Suurtükid, k.a. kahurid, miinipildujad, haubitsad, tagasilöögita relvasüsteemid ning granaadiheitjad, tankitõrjevahendid, portatiivsete rakettide stardiseadmed. 4.2.2 Leegiheitjad. 4.3 Raketisüsteemid, pommid, raketid, torpeedod, maa- ja meremiinid, käsigranaadid. 4.4 Tulejuhtimisvarustus, otsinguvarustus, juhtimisvarustus. 4.4.1 Spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud varustus tulejuhtimiseks, kontrolliks, lainguvalmidusse viimiseks, laskmiseks, jälgimiseks. 4.4.2 Kajaloodid, navigatsiooni ja elektriseadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. 4.5 Tuumarelvad; bioloogilised või keemiarelvad. 4.5.1 Varustus, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud nimetatud relvade paigutuseks, väljalaskmiseks, levitamiseks, jälgimiseks ja hävitamiseks. 4.6 Laskemoon, lõhkeaine jms. 4.6.1 Mürskude viskelaengud, rakettide ja torpeedode kütused. 4.6.2 Püssirohud. 4.6.3 Valmislõhkeained. 4.6.4 Lõhkelaengud, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud sõjaliseks otstarbeks, ja laskevahendid, sealhulgas kapseldetonaatorid selliste vahendite jaoks. 4.6.5 Süütenöörid, detoneerivad nöörid, löök- või kapseldetonaatorid, sütikud, elektrilised detonaatorid, löökdetonaatorid. 4.6.6 Pürotehnilised tooted, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. 4.6.7 Padrunisalved ja laskemoona paigaldamise varustus. 4.6.8 Laskemoon käesoleva nimekirja punktides 4.1 ja 4.2 nimetatud toodetele. 4.7 Elektrooniline varustus jms., mida pole nimetatud punktis 4.4. 4.7.1 Sidevahendid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. 4.7.2 Elektrooniline sõjapidamisvarustus, sealhulgas antiradarsüsteemid ja radaridetektorid. 4.7.3 Radarseadmed. 4.7.4 Raadionavigatsiooniseadmed, raadiokaugjuhtimisseadmed. 4.7.5 Geodeetilised instrumendid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. 4.7.6 Muu elektrooniline varustus, spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. 4.8 Laevad jms. 4.8.1 Ujuvkonstruktsioonid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. 4.8.2 Laevad ja paadid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. 4.8.3 Allveelaevad. 4.8.4 Torpeedovõrgud. 4.9 Lennuaparaadid või kosmoselaevad, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. 4.10 Maismaatranspordivahendid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. 4.10.1 Tankid ja muud iseliikuvad soomusmasinad, relvadega varustatud või mitte, nende osad. 4.10.2 Eriotstarbelised mootorveokid, v.a. sõidukid reisijate- või kaubaveoks (näit. tehnoabiautod, autokraanad, tuletõrjeautod, betoonisegamisautod, tänavapühkimis- ja kastmisautod, liikuvad töökojad jms.). 4.10.3 Muud maismaatranspordivahendid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. 4.11 Kaitse- ja päästevarustus jms. 4.11.1 Hermeetiline riietus, isolatsiooniriietus, kaitseriietus. 4.11.2 Kiivrid. 4.11.3 Hapnikuaparatuur, hingamisaparatuur. 4.11.4 Langevarjud. 4.11.5 Katapuldid, jm. heitevahendid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks otstarbeks. 4.12 Fotomaterjalid. 4.12.1 Kaamerad, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks; 4.12.2 Foto- ja kinolaboratooriumide aparatuur ja sisseseade, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. 4.13 Sõjalise personali väljaõpetamiseks spetsiaalselt väljatöötatud või modifitseeritud materjalid. 4.14 Sõjalise rakendusega materjalide ja varustuse kohta käiv dokumentatsioon. 4.15 Komponendid, osad, moodulid ja lisaseadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud käesolevasse nimekirja kuuluvate toodete jaoks. 4.16 Tarkvara. 4.16.1 Tarkvara, mis on spetsiaalselt välja töötatud või modifitseeritud kasutamiseks käesolevasse nimekirja kuuluvates toodetes. 4.16.2 Tarkvara, mis on spetsiaalselt välja töötatud või modifitseeritud käesolevasse nimekirja kuuluvate toodete konstrueerimiseks, valmistamiseks, hooldamiseks ja kasutamiseks. 4.17 Materjalid, masinad, tööriistad jms. 4.17.1 Materjalid, mis on spetsiaalselt välja töötatud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. 4.17.2 Masinad, tööriistad ja varustus, mis on spetsiaalselt välja töötatud toodete konstrueerimiseks, tootmiseks, hooldamiseks või kontrolliks. Nimekiri 5. Strateegilised kaubad, mida ei ole loetletud nimekirjades 1, 2, 3 ja 4 Nimekirja Nimetus positsiooni kood 5.1 Lämmastikust ja hapnikust ammoniaagi valmistamise aparatuur. 5.2 Kloorfluoriid. 5.3 Elektromagnetilised isotoopseparaatorid. 5.4 Optilised materjalid. 5.4.1 Tsinkseleniidi (ZnSe) või tsinksulfiidi (ZnS) keemilise aursadestamisega valmistatud toorikud: a) mahuga enam kui 100 cm3 või b) diameetriga enam kui 80 mm ja paksusega 20 mm või enam. 5.4.2 Järgmiste elektro-optiliste materjalide buulid (kristalltoorikud): a) kaaliumtitanüüliarsenaat (KTA); b) hõbegalliumiseleniid (AgGaSe2) või c) talliumiarseeniseleniid (Tl3AsSe3, tuntakse ka TASi nime all). 5.4.3 Mittelineaarsed optilised materjalid, millel on: a) kolmanda järgu vastuvõtlikkus P3, mis on võrdne või väiksem kui 1 W/m2; b) kosteaeg vähem kui 1 ms. 5.4.4 Ränikarbiidi või berüllium-berülliumiga (Be/Be) katmisel saadud toorikud diameetri või peatelje pikkusega üle 300 mm. 5.4.5 Madala optilise neeldumisega materjalid nagu: a) fluoriidid puhtusega 99,999% või enam; Märkus. Punkt 5.4.5.a puudutab tsirkoonium- ja alumiiniumfluoriide ning nende variatsioone; b) fluoriidklaasid, mis on valmistatud punktis 5.4.5.a nimetatud ühenditest. 5.4.6 Klaasid, k.a. sulakvarts (SiO2), fosfaatklaas, fluorfosfaatklaas, tsirkooniumfluoriid (ZrF4) ja hafniumfluoriid (HfF4), kus on: a) hüdroksüülioonide (OH-) kontsentratsioon väiksem kui 5 ppm (1 ppm = 0,0001%); b) metalli lisandeid vähem kui 1 ppm; c) kõrge homogeensus (murdumisnäitaja muutus väiksem kui 5x10 astmes -6). 5.4.7 Sünteetiliselt valmistatud teemantmaterjal neeldumisega vähem kui 10 astmes -5 cm astmes -1 lainepikkuste vahemikus 200 nm kuni 14 000 nm. 5.4.8 Fluoriidkiust kaablid ja optilised kiud puhtusega 99,999% või enam, mis on spetsiaalselt määratud punktis 5.4.9 nimetatud fluoriidkiudude tootmiseks. 5.4.9 Fluoriidkiust kaablid või optilised kiud sumbuvusega vähem kui 4 dB/km kohta, lainepikkuste vahemikus 1000 nm kuni 3000 nm. 5.5 Uraanimaak. 5.6 Fluor. 5.7 Broom. 5.8 Inertgaasid, v.a. argoon. 5.9 Boor ja boorisegud. 5.10 Telluur. 5.11 Metalliline kaltsium. 5.12 Radioaktiivsed keemilised elemendid ja radioaktiivsed isotoobid (k.a. lõhustuvad ja rikastatavad keemilised elemendid ja isotoobid) ja nende ühendid, neid aineid sisaldavad segud ja jäägid. 5.13 Isotoobid (v.a. punktis 5.12 loetletud), nende anorgaanilised või orgaanilised ühendid (määratud või määramata keemilise koostisega). 5.14 Vesinikülihapend kontsentratsiooniga üle 85%. 5.15 Ränikarbiid. 5.16 Hüdriidid, nitriidid, asiidid, silitsiidid ja boriidid (määratud või määramata keemilise koostisega). 5.16.1 Hübriidid. 5.16.2 Nitriidid. 5.16.3 Asiidid. 5.16.4 Silitsiidid. 5.16.5 Boriidid. 5.17 Muud orgaanilis-anorgaanilised ühendid, v.a. väävliühendid. 5.18 Fluoreeritud silikoonõlid. 5.19 Püssirohud. 5.20 Lõhkeained, mis on mõeldud kasutamiseks tsiviilsfääris. 5.21 Valguse või muu kiirguse suhtes tundlikud emulsioonid. 5.22 Elektroonikas kasutamiseks ettenähtud legeeritud keemilised elemendid (ketastena, plaatidena vms. kujul) ja ühendid. 5.23 Klaas-, klaasfiibermaterjalid, karboonfiibermaterjalid või aramiidfiibermaterjalid, ka torudena, mille siseläbimõõt on 75 mm ja enam. 5.24 Karboon või karboonfiibermaterjalid, ka torudena, mille siseläbimõõt on 75 mm ja enam. 5.25 Sulatustiiglid mahuga 0,05 kuni 8 liitrit, mis on mõeldud vedelate aktiniidide töötlemiseks. 5.26 Tinaklaasist vms. aknad, mis on konstrueeritud kiirituskaitset silmas pidades. 5.27 Plaatinast traatvõrgukujulised katalüsaatorid või võrekujulised katalüsaatorid triitiumi tootmiseks või töötlemiseks. 5.28 Rauasulamid, mis pole EKN-i rubriigis 7202 eraldi nimetatud. 5.29 Teras tõmbetugevusega enam kui 2000 MPa. 5.30 Rauast ja terasest survekonteinerid või vedelgaasikonteinerid mahutavusega 300 l ja enam. 5.31 Interkristallilise legeeritud nikli ühendid alumiiniumiga. 5.32 Interkristallilise legeeritud nikli ühendid alumiiniumiga või titaani ühendid alumiiniumiga. 5.33 Titaani ühendid alumiiniumiga. 5.34 Pulbermetallilised sulamid, mis on suure vastupidavusega korrosiooni suhtes ja valmistatud nikli, nioobiumi, titaani, alumiiniumi või magneesiumi alusel. 5.35 Metallpulber, mille lähtepunktiks on nikli-, nioobiumi-, alumiiniumi- või magneesiumisulamid ja mis on mõeldud kasutamiseks pulbermetallurgias. 5.36 Pooltoodete kujul olevad sulamid metallpulbri tootmiseks, sulamid metallpulbri tootmiseks. 5.37 Alumiiniumisulamid, töödeldud ja töötlemata, tõmbetugevusega üle 240 MPa. 5.38 Alumiiniumist mahutid kokkusurutud või veeldatud gaasile. 5.39 Volfram ja volframist tooted, sealhulgas jäätmed. 5.40 Magneesium, (v.a. jäätmed), magneesiumipulber, -laastud ja suuruse järgi sorteeritud magneesiumigraanulid. 5.41 Koobalti toorsulam jm. koobaltmetallurgia vaheproduktid; koobalt ja tooted sellest (sh. koobaltijäätmed ja muud). 5.42 Vismut ja tooted sellest (sh. vismutijäätmed ja muud). 5.43 Titaan ja tooted sellest (sh. titaanijäätmed ja muud). 5.44 Tsirkoon ja tooted sellest (sh. tsirkoonijäätmed ja muud). 5.45 Berüllium, gallium, hafnium, indium, nioobium, reenium, tallium ja tooted nendest (sh. jäätmed ja muud). 5.45.1 Berüllium ja tooted sellest, (sh. jäätmed ja muud). 5.45.2 Hafnium ja tooted sellest, (sh. jäätmed ja muud). 5.45.3 Nioobium, reenium ja tooted nendest (sh. jäätmed ja muud). 5.45.4 Gallium, indium, tallium ja tooted nendest (sh. jäätmed ja muud). 5.46 "Spin-forming" või "flow-forming/flow-turning" masinad. 5.47 Tuumareaktorid; tuumareaktorite kiiritamata kütuseelemendid (kassetid), seadmed ja aparaadid isotoopide eraldamiseks, sh. gaasitsentrifuugid ja nende varuosad. 5.48 Turboreaktiivmootorid, turbopropellermootorid ja muud gaasiturbiinid võimsusega üle 10 000 kW ja veojõuga üle 25 kN. 5.48.1 Spetsiaalselt konstrueeritud osad punktis 5.48 nimetatud seadmetele. 5.49 Reaktiivmootorid, v.a. gaasiturbiinid. 5.49.1 Spetsiaalselt konstrueeritud osad punktis 5.49 nimetatud seadmetele. 5.50 Pumbad tootlikkusega üle 8,5 m3/h kaaliumamiidi ja vedela amoniaagi pumpamiseks. 5.51 Vaakumpumbad sisendiava läbimõõduga 380 mm või enam, pumpamise kiirusega 1500 liitrit/s või enam, mis on võimelised tootma vaakumit 13 MPa või enam. 5.52 Ventilaatorid võimsusega üle 400 kW. 5.53 Varustus ja komponendid krüogeense jahutuse jaoks. 5.54 Vedelgaasi kolonnid diameetriga vähemalt 1,8 m; krüogeensed hapniku rektifikatsioonikolonnid. 5.55 Aparatuur materjalide eraldamiseks veejoa abil; selle jaoks spetsiaalselt konstrueeritud osad. 5.56 Aparatuur materjalide eraldamiseks elektronjoa või laseri abil; nende jaoks spetsiaalselt konstrueeritud osad. 5.57 Laserkiirguse või muu footonkiirguse toimel töötavad seadmed ja elektroerosioonpingid materjalide töötlemiseks materjalikihi eemaldamise teel. 5.58 Töötlevtsentrid, ühe- ja mitmepositsioonilised metallitöötlemise agregaattööpingid. 5.59 Arvprogrammjuhtimisega metallitreipingid. 5.60 Arvprogrammjuhtimisega järjestikuse protsessiga agregaattööpingid (freesimis-, sisetrei-, puur-, konsoolfrees- ja keermelõikepingid), v.a. punktis 5.59 loetletud pingid. 5.61 Arvprogrammjuhtimisega koorimis-, teritus-, lihvimis-, hoon-, sooveldus-, poleerpingid jm. tööpingid metallide, paagutatud metallikarbiidide või kermetite viimistlemiseks lihvkivide, abrasiivide ning poleerimisvahendite abil, v.a. punktis 5.62 loetletud hambalõike- ja hambalihvpingid. 5.62 Hambalõike-, hambalihv- ja hambaviimistluspingid. 5.63 Tehnoloogia sõrestikkonstruktsioonide valmistamiseks ettenähtud hüdrauliliste tõmbe-painemasinate ja matriitside tootmiseks ja arendamiseks. 5.64 Tehnoloogia tööriistade, matriitside või armatuuri valmistamiseks otsetoimega hüdraulilise pressimise protsessis (otsetoimega hüdrauliline pressimine B deformeerimise protsess, kus kasutatakse vedelikuga täidetud elastset kambrit vahetus kontaktis toorikuga). 5.65 Tööpingid optiliste materjalide töötlemiseks ja viimistlemiseks. 5.66 Punktides 5.56...5.62 nimetatud masinatele spetsiaalselt konstrueeritud detailid. 5.67 Punktis 5.65 nimetatud masinatele spetsiaalselt konstrueeritud detailid. 5.68 Arvutid (ka analoogarvutid ja nende plokid), v.a. personaalarvutid. 5.69 Punktis 5.68 nimetatud arvutitele spetsiaalselt konstrueeritud detailid, sõlmed, manused ja lisaseadmed. 5.69.1 Modemid andmeülekandekiirusega üle 28 800 bit/s. 5.69.2 Võrgukaardid andmeülekandekiirusega üle 156 Mbit/s. 5.69.3 Muud detailid, sõlmed, manused ja lisaseadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud punktis 5.68 nimetatud arvutitele. 5.70 Robotid, s.t. manipuleeritavad mehhanismid, mis on elektrooniliselt programmeeritavad ja multifunktsionaalsed ning mis suudavad paigutada esemeid; kaugjuhtimisega manipuleeritavad mehhanismid ning aparatuur veealuse liikumise automaatseks jälgimiseks (positsiooni jälgimine). 5.71 Ventiilid: alumiiniumist, legeeritud alumiiniumist, niklist või nikliga legeeritud materjalidest niklisisaldusega vähemalt 60%. 5.72 Kuul- ja rull-laagrid. Tehnilised märkused punktide 5.72.1...5.72.6 juurde: 1. DN on laagri ava diameetri (millimeetrites) ja laagri pöörlemiskiiruse (p/min) korrutis. 2. Töötemperatuuri all on mõeldud temperatuuri, mis on saavutatud pöörleva masinaosa ja laagri kokkupuutepinnal masina seiskamise hetkel. 5.72.1 Kuullaagrid või tervikrull-laagrid (v.a. koonusrull-laagrid), mille tolerantsid kooskõlas Annular Bearing Engineers Committee poolt kehtestatud standarditega vastavad täpsusklassidele ABEC 7, ABEC 7P, ABEC 7T või mis vastavad ISO poolt kehtestatud standardite järgi täpsusklassile 4 või on paremad, ja millel on järgmised tunnused: a) berülliumist või monelmetallist valmistatud kuulide või rullidega; b) määratud kasutamiseks töötemperatuuril üle 573 K (300 °C); c) varustatud määrimiselementide või komponentidega, mis võimaldavad laagreid ekspluateerida kiirustel, mis ületavad 2,3 miljonit DN. 5.72.2 Muud kuullaagrid või tervikrull-laagrid (v.a. koonusrull-laagrid), mille tolerantsid kooskõlas Annular Bearing Engineers Committee poolt kehtestatud standarditega vastavad täpsusklassidele ABEC 9, ABEC 9P või mis vastavad ISO poolt kehtestatud standardite järgi täpsusklassile 2 või on paremad. 5.72.3 Terviklikud rull-laagrid, mille tolerantsid kooskõlas American National Standards Institute/Anti-Friction Bearing Manufacturers Association'i poolt kehtestatud standarditega vastavad täpsusklassidele 00 (tollmõõdustik) või A (meetermõõdustik) või on paremad ja millel on järgmised tunnused: a) varustatud määrimiselementide või komponentidega, mis võimaldavad laagreid ekspluateerida kiirustel, mis ületavad 2,3 miljonit DN või b) määratud kasutamiseks töötemperatuuril alla 219 K (-54 °C) või üle 423 K (150 °C). 5.72.4 Gaasikeskkonnas (gaaslaagerdustes kasutatavad laagrid) töötavad laagrid, mida kasutatakse töötemperatuuril 561 K (288 °C) või üle selle ja mille kandevõime pikkusühiku kohta ületab 1 MPa. 5.72.5 Magnetlaagerdussüsteemid. 5.72.6 Iseseaduvad laagrid või liugelaagrid, mis on määratud kasutamiseks töötemperatuuril alla 219 K (-54 °C) või üle 423 K (150 °C). 5.73 Transmissioonivõllid pöördemomendile üle 2 MW. 5.74 Laagrikaaned sisseehitatud kuul- või rull-laagritega, mis on valmistatud uraanheksafluoriidikindlatest materjalidest (alumiinium, alumiiniumisulamid, nikkel, niklisulamid, kus on 60% (kaalu järgi) või enam niklit). 5.75 Laevakruvid ja laevakruvide labad pöördemomendile üle 7,5 MW. 5.76 Elektrimootorid, mis on konstrueeritud kasutamiseks allveelaevadel. 5.77 Voolutransformaatorid, staaatilised muundurid, induktiivpoolid ja drosselid voolutugevusele kuni 500 A ja pingele kuni 20 kV. 5.78 Staatilised muundurid võimsusele 40 W ja töösagedusel 600...2000 Hz. 5.79 Elektromagnetid sisediameetriga üle 300 mm ja magnetilise induktsiooniga üle 2 T. 5.80 Galvaanielemendid ja patareid, mis on konstrueeritud töötemperatuuridele alla -20 °C ja üle 70 °C. 5.81 Elektriakumulaatorid, mis on konstrueeritud töötemperatuurile alla -20 °C ja üle 60 °C. 5.82 Elektrilised tööstus- ja laborotooriumiahjud. 5.82.1 Seadmed ja varustus, mis on spetsiaalselt määratud või kohandatav tugevdatud tehiskiudude tootmiseks: a) seadmed, mille abil on võimalik muundada polümeerkiudu (näit. kunstsiid) süsinik- või ränikarbiidkiuks, kaasa arvatud seadmed, mis võimaldavad kiudu kuumutamisprotsessis deformeerida (pingutada, väänata jne.); b) seadmed ränikarbiidkiu tootmiseks elementide või ühendite keemilise aursadestamise (CVD) teel kuumutatud kiudsubstraatidele; c) seadmed valgustmurdva keraamika (näit. alumiiniumoksiid) märgtsentrifuugimiseks; d) seadmed, mille abil on kuumtöötlemise käigus võimalik muundada alumiiniumi sisaldavat eelkiudu alumiiniumoksiidkiuks. 5.82.2 Installeeritud ohjeprogrammiga keemilise aursadestamise (CVD) seadmed, mis on kas: a) modifitseeritud järgmisteks protsessideks: 1. impulss-CVD; 2. reguleeritav termiline nukleatsioonlagundamine (CNTD) või 3. plasmatõhustusega või plasmaosalusega CVD; b) või: 1. sisaldavad pöörlemisläbiviigiga kõrgvaakumtihendeid (vaakumile jääkrõhuga alla 0,01 Pa); 2. varustatud pinnakattepaksuse in situ kontrolli seadmega. 5.82.3 Spetsiaalselt gaasiturbiinide labade, tiibade või turbiinikorpuste valandite tootmiseks või mõõtmiseks määratud rakised, seadmed või varustus: a) seadmed ja tööriistad keraamiliste südamike tootmiseks; b) seadmed keraamiliste kestade põletuseks või ülelõõmutamiseks. 5.83 Telefonikeskjaamad. 5.84 Muud telefoni- või telegraafiselektorid, v.a. keskjaamad. 5.85 Muud aparaadid traatside kandevsagedussüsteemidele, v.a. telefoniaparaadid, teleprinterid, telefaksid ja telefonilised või telegraafilised valijad. 5.86 Krüptograafiliselt või krüptoanalüütiliselt funktsioneerivad aparaadid. 5.87 Telefonikeskjaamade osad. 5.88 Veealuseks kasutamiseks ettenähtud andurid ja nende osad. 5.89 Elektroonilised veealused kaamerad. 5.90 Tarkvara, v.a. tarkvara, mida on piiramatult võimalik osta jaekaubandusvõrgust või soetada vabavahetustehingute kaudu (näit. ajaviiteprogrammid, mängud, teksti- ja andmetöötlus, arvepidamine). 5.91 Raadiotelefoni või -telegraafi saateaparatuur. 5.92 Vastuvõtuseadmega varustatud saateaparatuur, v.a. mobiiltelefonid, mis on lülitatud NMT või GSM võrku. 5.93 Vee all või kiiritustsoonis kasutamiseks ettenähtud televisioonikaamerad. 5.94 Radarseadmed. 5.95 Raadionavigatsiooniaparatuur, k.a. satelliitnavigatsioonis kasutatav aparatuur. 5.96 Detailid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud raadiotelegraafide või raadiotelefonide saatjablokkide ja vastuvõtjate, ringhäälingu ja televisiooni ning telekaamerate jaoks, v.a. avalikku võrku ühendatud mobiiltelefonide detailid. 5.97 Detailid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud kasutamiseks radarites, raadionavigatsiooni- või raadioaparaatides. 5.98 Kondensaatorid tööpingega vähemalt 750 V ja mahtuvusega 0,25 F või tööpingega vähemalt 5 kV, v.a. kondensaatorid kasutamiseks sagedustel 50/60 Hz. 5.99 Tööpinkide arvjuhtimispuldid. 5.100 Termo-, külm- või fotokatoodiga elektronlambid ja elektronkiiretorud (näit. vaakum-, aur- või gaastäitega lambid ja torud, elavhõbealaldid ja elektronkiiretorud, sh. televisioonikaamerate elektronkiiretorud), v.a. vastuvõtu- või võimenditorud. 5.101 Transistorid töösagedusega üle 31 GHz. 5.102 Fototundlikud pooljuhtseadised (sh. mooduliteks ühendatud või ühendamata, paneelidele monteeritud või monteerimata fotogalvaanilised elemendid); valgusdioodid, samuti pooljuhtelementidel transistorid, türistorid, dioodid ja trioodid. 5.102.1 Spetsiaalselt fototundlikele pooljuhtseadistele konstrueeritud osad. 5.103 Integraallülitused ja mikroskeemid: Märkused: 1. Punktis 5.103.1 või punktis 5.103.2 kirjeldatud varustus, seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt määratud või millel on muudele seadmetele sarnased tunnused, kuuluvad muudele seadmetele esitatavate kontrolli nõuete alla (välja arvatud seadmed, mida on kirjeldatud punktides 5.103.1.a.3...10 või punktis 5.103.1.a.12). 2. Integraallülitused, mida on kirjeldatud punktides 5.103.1.a.3...5.103.1.a.9 või punktis 5.103.1.a.12 ja mis on püsivalt (mittemuudetavalt) programmeeritud või määratud mingite spetsiifiliste funktsioonide täitmiseks ja mille teisaldamine või ümberprogrammeerimine on võimatu, kuuluvad nendele seadmetele kehtestatud kontrollipiirangute alla, kus neid kasutatakse. NB! Kui tootja või väljaveolitsentsi taotleja ei suuda kindlaks määrata nn. muude seadmete väljaveokontrolli piirangu ala, kehtivad nendele integraallülitustele punktides 5.103.1.a.3...9 või punktis 5.103.1.a.12 kehtestatud piirangud. 5.103.1 Elektroonilised seadmed ja komponendid: 5.103.1.a Üldise kasutusega integraalskeemid: Märkused: 1. Pooljuhtmaterjalist plaadid (töödeldud või töötlemata), mille funktsioon on kindlaks määratud, kuuluvad punktis 5.103.1.a kehtestatud nõuete alla. 2. Integraallülituste tüübid: a) monoliitintegraallülitused; b) hübriidintegraallülitused; c) ühitatud mitmikkristallintegraallülitused; d) kiletüüpi integraallülitused, kaasa arvatud safiiralusel ränist integraallülitused (SOS); e) optilised integraallülitused. 1. Integraallülitused, millel on kõrgendatud vastupanuvõime kiirgusele (radiatsioonile): a) maksimaalne radiatsioonitase 5x10 astmes 5 Rads (Si) või rohkem või b) radiatsioonitase üle 5x10 astmes 8 Rads (Si)/s või rohkem. 2. Integraallülitused, mida on kirjeldatud punktides 5.103.1.a.3...10 või punktis 5.103.1.a.12 ja millel on järgmised omadused: a) määratud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur ületab 398 K (125 °C); b) määratud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 218 K (-55 °C); c) määratud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur võib kõikuda vahemikus 218 K (-55 °C) kuni 398 K (125 °C). Märkus. Punkt 5.103.1.a.2 ei kehti integraallülituste kohta, mida kasutatakse tsiviiltranspordivahendites või rongides. 3. Mikroprotsessorite mikroskeemid, mikroarvutite mikroskeemid ja mikrokontrollerite mikroskeemid: Märkus. Punkt 5.103.1.a.3 ei kehti kuni 8-bitise räni baasil valmistatud mikrokompuutrite mikroskeemide või mikrokontrollerite mikroskeemide kohta. Punkt 5.103.1.a.3 kehtib ka signaalide muundurite (signaaliprotsessorite), digitaalandmesisestus- ja andmeteväljastusprotsessorite kohta. a) otsese juurdepääsuga aritmeetika-loogikalülitused juurdepääsulaiusega 32 bitti või enam ja mille kiirus (composite theoretical performance - CTP) on 80 miljonit või enam teoreetilist operatsiooni sekundis; b) valmistatud liitpooljuhist, töösagedusega üle 40 MHz või c) rohkem kui ühe andme- või käsusiiniga (data or instruction bus) või järjestikuse kommunikatsioonipesaga, väliseks ühenduseks paralleelprotsessoris ülekandekiirusega üle 2,5 Mbyte/s. 4. Elektrilise kustutusega programmeeritavad püsimälud (EEPROM-id), staatilise otsese juurdepääsuga (SRAM) mälud ja liitpooljuhist valmistatud salvestavad integraallülitused: a) EEPROM-id mälumahuga: 1. enam kui 16 Mbitti FLASH püsimälu kohta või 2. kõigi ülejäänud EEPROM tüüpi püsimälude kohta, mis ületavad järgmisi parameetreid: a. kuni 4-Mbitised või b. enam kui 1-Mbitised ja maksimaalse otsese juurdepääsuajaga vähem kui 80 ns; b) SRAM-id mälumahuga: 1. enam kui 4-Mbitised või 2. enam kui 1-Mbitised ja maksimaalse otsese juurdepääsuajaga vähem kui 20 ns; c) liitpooljuhist salvestavad integraallülitused (mäluseadmed). 5. Integraalsed analoogdigitaal- ja digitaalanaloogmuundurid: a) integraalsed analoogdigitaalmuundurid: 1. 8...12-bitise eraldusvõime puhul täieliku muundamise kestus maksimaalse eraldusvõimeni vähem kui 10 ns; 2. 12-bitise puhul on täieliku muundamise kestus maksimaalse eraldusvõimeni vähem kui 200 ns; 3. enam kui 12-bitise puhul on täieliku muundamise kestus maksimaalse eraldusvõimeni vähem kui 2 mikrosekundit; b) integraalsed digitaalanaloogmuundurid, mis on 12-bitise või enama eraldusvõimega ja näidu stabiliseerumisajaga vähem kui 10 ns. 6. Elektro-optilised ja optilised integraallülitused signaalide töötlemiseks, mis on: a) ühe või mitme sisemise laserdioodiga; b) ühe või mitme sisemist valgust detekteeriva elemendiga; c) optilised lainejuhid. 7. Programmeeritavad, elektrisignaalide võimendamiseks või genereerimiseks kasutatavad maatriksid (FPGA-d): a) maatriksi moodustamisel kasutatavate elementide arv on enam kui 30 000 (kahe sisendiga); b) sisend- või väljundviivitus on alla 0,4 ns. 8. Programmeeritavad loogikalülitustest maatriksid: a) maatriksi moodustamisel kasutatavate elementide arv on enam kui 30 000 (kahe sisendiga) või b) taktsagedus ületab 133 MHz. 9. Mikrolülituste võrgud. 10. Järgmiste omadustega üldkasutatavad integraallülitused, mille funktsioon on teadmata või kui seadmestiku (milles neid kasutatakse) väljaveo piirangu staatus on tootjale teadmata: a) enam kui 144 sisestus- ja väljastusklemmiga; b) sisend- või väljundviivitusajaga alla 0,4 ns või c) töösagedus ületab 3 GHz. 11. Digitaalintegraallülitused, mis ei kuulu punktides 5.103.1.a.3...10 või punktis 5.103.1.a.12 kirjeldatute alla ning on valmistatud liitpooljuhtide baasil: a) maatriksi moodustamisel kasutatavate elementide arv on enam kui 300 (kahe sisendiga); b) taktsagedus ületab 1,2 GHz. 12. Kiireks Fourier' teisendamiseks (FFT) määratud protsessorid: a) 1024-punktilise FFT teostamise aeg vähem kui 1 ms; b) N-punktilise (muu kui 1024-punktilise) teostamise aeg vähem kui N log2 N/10 240 ms, kus N on punktide arv või c) jooksev läbilaskevõime enam kui 5,12 MHz. 5.103.1.b Kõrg- ja ülikõrgsagedusseadmed: 1. Elektroonilised vaakumtorud ja katoodid: Märkus. Punkt 5.103.1.b.1 ei puuduta nõudeid elektronseadmetele, mis on konstrueeritud või määratud kasutamiseks standardsetel tsiviiltelekommunikatsiooni sagedusvahemikes (töösagedus kuni 31 GHz). a) pulsseeriva või pidevlainega mittestatsionaarsed kiirtetorud: 1. töösagedus on enam kui 31 GHz; 2. on varustatud katoodi kuumutuselemendiga ja käivitusaeg raadiosagedusliku (RF) võimsuse saavutamiseks on vähem kui 3 sekundit; 3. sidestatud ruumilised resonaatorid või nende modifikatsioonid hetkelise raadiosagedusliku ribalaiusega üle 7% või piirvõimsusega üle 2,5 kW; 4. kiirekujulised (Solar, Helix) torud või nende modifikatsioonid: a. hetkeline ribalaius on enam kui üks oktaav, keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-ides) on enam kui 0,5; b. hetkeline ribalaius on üks oktaav või väiksem, keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-ides) on suurem kui 1 või c. "kosmosekvaliteediga" (viitab toodetele, mis leiavad kasutust eriti rasketes elektrilistes, mehhaanilistes ja keskkonnatingimustes ja on määratud kasutamiseks satelliitidel või suurtes kõrgustes lendavatel lennuaparaatidel (kõrgustes 100 km ja enam)); b) ristuvate väljadega võimenduslambid võimendusega üle 17 dB; c) impregneeritud katoodid elektrontorudele: 1. käivitusaeg vajaliku emissiooni saamiseks vähem kui 3 sekundit või 2. tagavad pideva emissioonivoolutiheduse üle 5 A/cm2 etteantud tööoludes. 2. Kõrgsagedusintegraallülitused või -moodulid, mis sisaldavad monoliitintegraallülitusi ja mille töösagedus on enam kui 3 GHz. Märkus. Punkt 5.103.1.b.2 ei hõlma lülitusi või mooduleid, mis on määratud kasutamiseks standardsetes tsiviiltelekommunikatsioonile ettenähtud sagedusvahemikes, mille töösagedus ei ületa 31 GHz. 3. Ülikõrgsagedustransistorid piirsagedusega üle 31 GHz. 4. Ülikõrgsageduslikud integraalsed võimendid: a) töösagedus enam kui 10,5 GHz ja hetkeline ribalaius enam kui pool oktaavi; b) töösagedus enam kui 31 GHz. 5. Elektrooniliselt või magnetiliselt häälestatavad ribafiltrid (band-pass) või režektorid (band-stop) (lasevad läbi (band-pass) või tõkestavad (band-stop) kõik signaalid kindlaksmääratud sagedusriba ulatuses), millel on enam kui 5 häälestatavat resonaatorit, mis on võimelised vähem kui 10 mikrosekundi jooksul ristihäälestama 1,5:1 sagedusega laineala (fmax/fmin): a) ribafiltrid (band-pass) sagedusriba laiusega enam kui 0,5% kesksagedusest või b) režektorid (band-stop) sagedusriba laiusega vähem kui 0,5% kesksagedusest. 6. Ülikõrgsageduslikud agregaadid töösagedusega enam kui 31 GHz. 7. Segistid ja muundurid, mis on konstrueeritud sagedusriba laiendamiseks seadmetele, mida kirjeldatakse punktides 5.103.2.c, 5.103.2.e või 5.103.2.f ja mille tehnilised näitajad ületavad kontrollivabade kaupade normide piirid. 5.103.1.c Akustilise laine seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks määratud komponendid: 1. Pinnaakustilise laine ja libiseva akustilise laine seadmed (s.t. signaalitöötlusseadmed, mille tööpõhimõte baseerub elastsete lainete levitamisel materjalis): a) kandesagedus ületab 2,5 GHz; b) kandesagedusega 2,5 GHz või vähem ja: 1. kõrvalriba mahasurumine ületab 55 dB; 2. maksimaalse viivitusaja ja sagedusriba korrutis (aeg mikrosekundites ja sagedus MHz-des) ületab 100 või 3. hajutamise hilistumine on üle 10 mikrosekundi; c) kandesagedus ületab 1 GHz ja sagedusriba laius 250 MHz või enam. 2. Mahulised akustilise laine seadmed (s.t. signaali töötlemise seadmed, mis kasutavad elastseid laineid), mille kasutamine võimaldab vahetult töödelda signaale, mille sagedus ületab 1 GHz. 3. Akustilis-optilised signaali töötlemise seadmed, mis kasutavad akustiliste lainete (ruumilaine (bulk wave) või pinnalaine (surface wave)) ja valguslainete omavahelist efekti, mis võimaldab vahetult töödelda signaale või kujutisi, kaasa arvatud spektraalanalüüs, korrelatsioon või konvulutsioon. 5.103.1.d Elektroonilised seadmed või skeemid, mis sisaldavad komponente, mis on valmistatud ülijuhtivatest materjalidest ja spetsiaalselt määratud kasutamiseks allpool ülijuhtivate koostisosade kriitilist temperatuuri (allpool vähemalt ühe koostisosa kriitilist temperatuuri): 1. Elektromagnetiline võimendus: a) töösagedustel 31 GHz või vähem, müratasemega alla 0,5 dB või b) töösagedustel enam kui 31 GHz. 2. Voolulülitid digitaalskeemidele, milles kasutatakse ülijuhtivaid elemente, mille viivitusaja (sekundites) ja hajutusvõimsuse korrutis pordi kohta (vattides) on vähem kui 10 astmes -14 J. 3. Sageduse selekteerimine kõikidel sagedustel, kasutades resoneerivaid vooluahelaid, mille hüveteguri Q väärtus ületab 10 000. 5.103.1.e Energiaallikad: 1. Patareid: Märkus. Punkt 5.103.1.e.1. ei hõlma patareisid ruumalaga alla 27 cm3 (näiteks standardsed C-kuivelemendid või R14 patareid). a) primaarsed kuivelemendid või patareid, mille energia tihedus on suurem kui 480 Wh/kg ja mis on määratud kasutamiseks temperatuuri piirkonnas, mis algab allpool 243 K (B30 °C) ja ulatub üle 343 K (70 °C); b) uuestilaaditavad kuivelemendid ja patareid, mille energiatihedus ületab 150 Wh/kg pärast 75 laadimis/tühjendamistsüklit, kusjuures tühjendamisvool on võrdne suurusega C/5 tundi (C - nominaalse mahtuvuse väärtus ampertundides), kui töö toimub temperatuurivahemikus 253 K (-20 °C) ... 333 K (60 °C); Tehniline märkus. Energiatihedus saadakse, kui korrutatakse omavahel kaks suurust, millest üks võrdub keskmise võimsusega vattides (W) (keskmine pinge voltides korrutatud keskmise voolutugevusega amprites) jagatuna tühjenemise kestusega tundides ning teine võrdub 75%-ga avatud vooluringi pingest jagatuna aku kogumassiga kilogrammides; c) "kosmosekvaliteediga" ja kõrgendatud radiatsioonivastupanuvõimega fotogalvaanilised maatriksid erivõimsusega üle 160 W/m2 (töötemperatuuril 301 K (28 °C) volframi kiirgusega 1 kW/m2 temperatuuril 2800 K (2527 °C)). 2. Suuremahtuvuslikud kondensaatorid: a) kondensaatorid töösagedusega vähem kui 10 Hz (ühekordselt koormatavad kondensaatorid): 1. pinge piirkond 5 kV või enam; 2. energiatihedusega 250 J/kg või enam; 3. koguenergia 25 kJ või enam. b) kondensaatorid töösagedusega 10 Hz või enam (korduvalt koormatavad kondensaatorid): 1. pinge piirkond 5 kV või enam; 2. energiatihedusega 50 J/kg või enam; 3. koguenergia 100 J või enam; 4. laadimis/tühjenemistsükli suurus 10 000 korda või enam. 3. Ülijuhtivad elektromagnetid või solenoidid, mille laadimis- või tühjenemiskestus on alla ühe sekundi: a) energia, mis vabaneb tühjenemisel 1 sekundi jooksul, ületab 10 kJ; b) voolu ülekandva mähise sisemine diameeter on enam kui 250 mm; c) magnetilise induktsiooni piirkond ületab 8 T või enam kui 300 A/mm2 üldise voolutiheduse korral mähises. Märkus. Punkt 5.103.1.e.3 ei hõlma spetsiifilisi ülijuhtivaid elektromagneteid või solenoide, mis on konstrueeritud magnetilise resonantsi kujutisel (MRI) baseeruvate meditsiiniliste seadmete tarbeks. 4. Elektromagnetilise energia salvestamiseks mõeldud süsteemid, mis sisaldavad ülijuhtivatest materjalidest toodetud komponente ja on spetsiaalselt määratud kasutamiseks allpool ülijuhtivate koostisosade kriitilist temperatuuri (allpool vähemalt ühe koostisosa kriitilist temperatuuri), mille: a) resonantssagedused ületavad 1 MHz; b) salvestatud energiatihedus 1 MJ/m3 või enam; c) tühjenemise aeg vähem kui 1 ms. 5. Välktühjakslaadimistüüpi röntgenikiirte torud ja süsteemid: a) tippvõimsusega enam kui 500 MW; b) väljundpinge enam kui 500 kV; c) impulsi laius vähem kui 0,2 mikrosekundit. 5.103.1.f Rotatsioonilise sisenditüübiga kiirte täieliku asendi kodeerijad: a) eraldusvõime parem kui 1 osa 265 000-st (eraldusvõime 18 bitti) täisskaala ulatuses või b) täpsusega enam kui +-2,5 kaaresekundit. 5.103.2 Üldotstarbelised elektroonilised seadmed: 5.103.2.a Salvestusseadmed: 1. Magnetlindiga analoogsalvestusaparatuur, kaasa arvatud seadmed, mis võimaldavad salvestada digitaalsignaale [s.t. kasutatakse kõrgsagedusdigitaalsalvestuse moodulit (HDDR)]: a) sagedusribaga enam kui 4 MHz elektroonilise kanali või lindi riba kohta; b) sagedusribaga enam kui 2 MHz elektroonilise kanali või lindi riba kohta ja millel on enam kui 42 riba või c) ajaline nihkeviga (base error), mis on vastavuses Inter Range Instrumentation'i (IRIG) või Electronic Industries Association'i (EIA) dokumentidega ning ei ületa +-0,1 mikrosekundit. 2. Digitaalne magnetlindiga videosalvestusaparatuur, mille digitaalliidese maksimaalne ülekandekiirus on üle 180 Mbit/s. Välja arvatud seadmed, mis on spetsiaalselt määratud televisiooni tarbeks ja mille salvestussignaalide formaadid on standardiseeritud või soovitatud International Radio Consultative Committee (CCIR) või International Technical Commission'i poolt tsiviiltelevisiooni tarbeks. 3. Digitaalne magnetlindiga salvestusaparatuur, kus kasutatakse spiraalset skaneeriva või paigalseisva salvestuspeaga töötlusviisi: a) digitaalliidese maksimaalne ülekandekiirus on üle 175 Mbit/s või b) "kosmosekvaliteediga". Märkus. Punkt 5.103.2.a.3 ei hõlma magnetlindiga analoogsalvestusaparatuuri, mis on varustatud HDDR-i muundamise vahenditega ja määratud ainult digitaalse informatsiooni salvestamiseks. 4. Seadmed, mille digitaalliidese maksimaalne ülekandekiirus on üle 175 Mbit/s ja mille abil saab magnetlindiga digitaalset videosalvestusaparatuuri kasutada digitaalse informatsiooni salvestajana. 5. Lainekuju digitaalmuundurid ja salvestid: a) digitaalse muundamise määraga 200 miljonit või enam tulemit sekundis ja eraldusvõimega 10 bitti või enam; b) pideva läbilaskevõimega 2 Gbit/s või enam. Tehnilised märkused. Nende seadmete puhul, mis põhinevad paralleelsiini (parallel bus) arhitektuuril, on pidev läbilaskekiirus suurus, mis saadakse, korrutades sõna ülekandekiiruse biti numbritega selles sõnas. Punktis 5.103.2.a.5 nimetatakse pidevaks läbilaskevõimeks andmete suurimat väljastuskiirust, mida seade võib arendada ilma mingi informatsiooni kaota andmekandjal, säilitades edastamise kiiruse ja analoogdigitaalmuundamise. 5.103.2.b Elektroonilised sagedussüntesaatorid, mille sageduse ümberlülitusaeg ühelt väljaselekteeritud sageduselt teisele on alla 1 ms. 5.103.2.c Signaalianalüsaatorid: a) võimelised analüüsima signaale sagedustel 31 GHz ja enam; b) dünaamilised signaalianalüsaatorid tegeliku sagedusribaga enam kui 25,6 kHz. Välja arvatud seadmed, kus kasutatakse konstantse sagedusribaga filtreid (samuti filtreid, mida tuntakse oktaav- või fraktsiooniliste oktaavfiltritena). 5.103.2.d Sagedussünteesiga signaali generaatorid, mille väljundsageduse täpsus ning lühi- ja pikaajaline püsivus tagatakse sisemise etalonsageduse poolt: a) maksimaalne sünteesitav sagedus ületab 31 GHz; b) sageduse ümberlülitusaeg ühelt väljaselekteeritud sageduselt teisele on alla 1 ms või c) ühe külgriba (SSB) faasimüra enam kui -(126 + 20 log10 F - 20 log10 f) dBc/Hz, kus F on kõrvalehäälestuse sagedus töösagedusest hertsides ja f on töösagedus MHz-des. Märkus. Punkt 5.103.2.d ei hõlma seadmeid, mille väljundsagedus saadakse kahe või enama kristallostsillaatori sageduste lisamisel või mahaarvamisel või tulemuse korrutise lisamisel või mahaarvamisel. 5.103.2.e Võrguanalüsaatorid, mille maksimaalne töösagedus ületab 31 GHz. Märkus. Punkt 5.103.2.e ei hõlma ulatusliku sagedusega võrguanalüsaatoreid, mille maksimaalne töösagedus ei ületa 40 GHz ja mis ei sisalda andmesiini distantsjuhtimise sidestamiseks. 5.103.2.f Ülikõrgsageduslikud vastuvõtjad testimiseks: a) maksimaalse töösagedusega enam kui 31 GHz; b) võimelised mõõtma amplituudi ja faasi üheaegselt. 5.103.2.g Tuumasageduse standardid: a) pikaajalise püsikindlusega (vananemine) vähem (parem) kui 1x10 astmes -11/kuu või Märkus. Punkt 5.95.2.g ei hõlma "mittekosmosekvaliteediga" rubiidiumi standardeid. b) "kosmosekvaliteediga". 5.103.2.h Emulaatorid mikroskeemidele, mis on loetletud punktis 5.103.1.a.3 ja punktis 5.103.1.a.9. Märkus. Punkt 5.103.2.h ei hõlma emulaatoreid, mis on konstrueeritud "perekondadele", mis sisaldavad vähemalt üht seadist, mida ei ole loetletud punktis 5.103.1.a.3 või punktis 5.103.1.a.9. 5.104 Elektrilised impulssgeneraatorid töötemperatuuriga -50 °C kuni 100 °C või impulsi pikkusega alla 0,5 ns. 5.105 Iseseisvate funktsioonidega elektrimasinad ja aparaadid, mida ei ole nimetatud mujal EKN-i grupis 85. 5.106 Sidekaabelsüsteemid, mis on kavandatud või modifitseeritud selleks, et avastada mehaaniliste, elektriliste või elektroonsete vahenditega kõrvalist (illegaalset) sisenemist süsteemi. 5.107 Ülijuhtiv elektrikaabel. 5.108 Kiudoptilised kaablid, optilised kiud, optiliste kiudude kimbud ja spetsiaalselt nende jaoks konstrueeritud detailid. 5.109 Elektrilised osad, mis on konstrueeritud spetsiaalselt käesoleva nimekirja punktides 5.76...5.108 loetletud aparaatide jaoks. 5.110 Lennuaparaadid (näit. helikopterid, lennukid); kosmoselaevad (sealhulgas satelliidid) ja kanderaketid. 5.111 Detailid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud kasutamiseks käesoleva nimekirja punktis 5.110 loetletud aparaatides. 5.112 Lennukite stardiseadmed, pidurdusseadmed jms. seadmed; maapealsed lennutreeninguseadmed; nimetatud seadmete osad. 5.113 Alused, mis on konstrueeritud liikumiseks kiirusega üle 25 sõlme, v.a. lõbusõidulaevad; tsiviilotstarbelised alused. 5.114 Optilised komponendid: 5.114.1 Optilised peeglid (reflektorid): a) deformeeruvad peeglid pideva või paljuelemendilise välispinnaga ja spetsiaalselt nende tarbeks määratud komponendid, millega saab dünaamiliselt muuta peegli välispinna kuju, sagedustempoga enam kui 100 Hz; b) kergekaalulised monoliitsed peeglid keskmise ekvivalenttihedusega (pindtihedusega) alla 30 kg/m2, mille täismass ületab 10 kg; c) kergekaalulised komposiitse või vahtstruktuuriga peeglid, mille keskmine ekvivalenttihedus on alla 30 kg/m2 ja mille täismass ületab 2 kg; d) kiirejuhtimispeeglid diameetriga või peatelje pikkusega üle 100 mm, pinna siledusega lambda/2 või enam (lainepikkusel 633 nm), mille kiirehälvitussageduse ribalaius on üle 100 Hz. 5.114.2 Tsinkseleniidist (ZnSe) või tsinksulfiidist (ZnS) optilised komponendid, mille läbilaskvuspiirkond on üle 3000 nm, kuid alla 25 000 nm: a) mahuga enam kui 100 m3 või b) diameetri või peatelje pikkusega üle 80 mm ja paksusega üle 20 mm. 5.114.3 "Kosmosekvaliteediga" optikasüsteemide komponendid: a) mille ekvivalenttihedus on viidud alla 20% sama paksuse ja apertuuriga tooriku omast; b) optikakomponentide katmata või ühe- ja mitmekihiliste metalsete, dielektriliste, juhtivate, pooljuhtivate või isoleerivate katetega või kaitsekelmetega alused; c) peeglisegmendid või -komplektid, mis on määratud montaažiks kosmoses optikasüsteemidele, mille koondav apertuur on võrdväärne 1-meetrise või sellest suurema läbimõõduga monoliitoptikakomponendi omaga; d) komponendid komposiitmaterjalidest, mille joonpaisumistegur mistahes suunas ei ületa 5x10 astmes -6. 5.114.4 Optilised filtrid: a) mitmekihilise optilise kattega, lainepikkustele üle 250 nm: 1. ribalaiusega poolkõrgusel (FWHI) 1 nm või vähem ja tippläbilaskvusega 90% või enam või 2. ribalaiusega poolkõrgusel (FWHI) 0,1 nm või vähem ja tippläbilaskvusega 50% või enam. Märkus. Punkt 5.114.4.a ei hõlma fikseeritud õhuvahemikuga ja Lyot-tüüpi filtreid. b) lainepikkustele 250 nm ja kõiki järgmisi karakteristikuid omavad filtrid: 1. ümberhäälestatav spektraalribas 500 nm või enam; 2. hetkelise optilise ribalaiusega 1,25 nm või vähem; 3. lainepikkuse häälestamisega 1 nm täpsusega 0,1 ms jooksul või kiiremini häälestusriba ulatuses; 4. tippläbilaskvusega 91% või enam; c) optilise läbipaistvuse lülitid (filtrid) vaateväljaga 30° või enam ja kosteajaga 1 ns või vähem. 5.114.5 Optilised kontrollseadmed: a) spetsiaalselt kavandatud, punktides 5.114.3.a ja 5.114.3.c nimetatud "kosmosekvaliteediga" komponentide pinna kuju või orientatsiooni säilitamiseks; b) suunamis-, jälgimis-, stabiliseerimis- või resonaatori justeerimise seadmed sagedusribaga 100 Hz või enam, tüürimisveaga 10 mikroradiaani või vähem; c) kardaanriplid maksimaalse pöördenurgaga enam kui 5° ja sagedusribaga 100 Hz või enam: a:1. diameetriga või peatelje pikkusega vahemikus 0,15 m kuni 1 m; 2. nurkkiirendusvõimega enam kui 2 rad/s2; 3. nurga fikseerimise veaga 200 mikroradiaani või vähem; b:1. diameetri või peatelje pikkusega enam kui 1 m; 2. nurkkiirendusvõimega enam kui 0,5 rad/s2; 3. nurga fikseerimise veaga 200 mikroradiaani või vähem; d) seadmed, mis on spetsiaalselt määratud justeeringu hoidmiseks faseeritud peegelsüsteemidele, mille segmendi diameeter või peatelje pikkus on 1 m või üle selle. 5.114.6 Fluoriidkiust kaablid või optilised kiud, mille sumbuvus on vähem kui 4 dB/km, lainepikkuste vahemikus 1000 nm kuni 3000 nm. 5.115 Binoklid elektroonika baasil, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või modifitseeritud militaarseks kasutamiseks. 5.116 Fotokaamerad allvee- ja aerofotograafiaks või meditsiinilises diagnostikas kasutatavad kaamerad; võrdluskaamerad kohtumeditsiini ja kriminalistika tarbeks. 5.117 Kiirfotokaamerad. 5.118 Kaamerad, mis on loetletud EKN-i kaubapositsioonis 900 659 000. 5.119 Kaamerad kaadrivahetuskiirusega üle 13 150 kaadri sekundis. 5.120 Laserid: Märkused: 1. Impulsslaserid, kaasa arvatud laserid, mis töötavad pidevlaine (CW) moodusel koos lisatud impulssidega. 2. Impulssergastusega laserid, kaasa arvatud laserid, mis töötavad pidevergastusmoodusel koos lisatud impulssergastusega. 3. Kombinatsioon- ehk RAMAN-laserite kontrollistaatus on esitatud pumpamise meetodil toimivate laserite all. Pumpamise meetodil toimivate laseritena võib käsitleda iga allpool kirjeldatud laserit. 5.120.1 Gaaslaserid: 1. Eksimeerlaserid: a) laserkiirguse lainepikkus ei ületa 150 nm ja: 1. impulsi energia ületab 50 mJ või 2. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W; b) laserkiirguse lainepikkus ületab 150 nm, kuid on lühem kui 190 nm ja: 1. impulsi energia ületab 1,5 J või 2. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 120 W; c) laserkiirguse lainepikkus ületab 190 nm, kuid on lühem kui 360 nm ja: 1. impulsi energia ületab 10 J või 2. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 500 W; d) laserkiirguse lainepikkus ületab 360 nm ja: 1. impulsi energia ületab 1,5 J või 2. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 30 W. 2. Metalliaurudel töötavad laserid: a) Cu laserid, mille keskmine või CW väljundvõimsus ületab 20 W; b) Au laserid, mille keskmine või CW väljundvõimsus ületab 5 W; c) Na laserid, mille väljundvõimsus ületab 5 W; d) Ba laserid, mille keskmine või CW väljundvõimsus ületab 2 W. 3. Süsinikoksiidlaserid (CO): a) impulsienergia ületab 2 J ja impulsi tippvõimsus ületab 5 kW või b) keskmine võimsus või CW väljundvõimsus ületab 5 kW. 4. Süsinikdioksiidlaserid (CO2): a) CW väljundvõimsus ületab 10 kW; b) laserkiirguse impulsi pikkus ületab 10 :s ja: 1. keskmine väljundvõimsus ületab 10 kW või 2. impulsi tippvõimsus ületab 100 kW; c) laserkiirguse impulsi pikkus on 10 æs või vähem: 1. impulsienergia ületab 5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 2,5 kW; 2. keskmine väljundvõimsus ületab 2,5 kW. 5. Kemolaserid: a) vesinikfluoriidlaserid (HF); b) deuteeriumfluoriidlaserid (DF); c) molekulaarlaserid: 1. hapnikjood laserid (O2-I); 2. deuteeriumfluoriid-süsinikdioksiidlaserid (DF-CO2). 6. Gaaslahendus- ja ioonlaserid (st. krüptoonioon- või argoonioonlaserid): a) impulsienergia ületab 1,5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 50 W; b) keskmine või CW väljundvõimsus ületab 50 W. 7. Muud gaaslaserid, välja arvatud lämmastiklaserid: a) laserkiirguse lainepikkus ei ületa 150 nm ja: 1. impulsienergia ületab 50 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või 2. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W; b) laserkiirguse lainepikkus ületab 150 nm, kuid on lühem kui 800 nm ja: 1. impulsiväljundenergia ületab 1,5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 30 W või 2. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 30 W; c) laserkiirguse lainepikkus ületab 800 nm, kuid on lühem kui 1400 nm ja: 1. impulsienergia ületab 0,25 J ja impulsi tippvõimsus ületab 10 W või 2. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 10 W; d) laserkiirguse lainepikkus ületab 1400 nm ja keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W. 5.120.2 Pooljuhtlaserid: Tehniline märkus. Pooljuhtlasereid nimetatakse üldiselt dioodlaseriteks. Märkus. Kontrollistaatus pooljuhtlaseritele, mis on spetsiaalselt määratud mingitele teistele seadmetele, on sätestatud nendele seadmetele kehtestatud kontrollistaatusega. 1. Üksikud üheristmoodilised pooljuhtlaserid: a) keskmine väljundvõimsus ületab 100 mW või b) laserkiirguse lainepikkus ületab 1050 nm. 2. Üksikud mitmeristmoodilised pooljuhtlaserid: a) impulsienergia ületab 500 æJ ja impulsi tippvõimsus ületab 10 W; b) keskmine või CW väljundvõimsus ületab 10 W või c) laserkiirguse lainepikkus ületab 1050 nm. 5.120.3 Tahkislaserid: 1. Muudetava laserkiirguse lainepikkusega laserid: Märkus. Punkt 5.120.3.1 hõlmab titaan-safiir- (Ti: Al2O3), tuulium-YAG- (Tm: YAG), tuulium-YSGG- (Tm: YSGG), aleksandriit- (Cr: BeAl2O4) ja värvustsenterlasereid. a) laserkiirguse lainepikkus lühem kui 600 nm ja: 1. impulsiväljundenergia ületab 50 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või 2. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W; b) laserkiirguse lainepikkus vahemikus 600 nm kuni 1400 nm ja: 1. impulsienergia ületab 1 J ja impulsi tippvõimsus ületab 20 W või 2. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 20 W; c) laserkiirguse lainepikkus ületab 1400 nm ja: 1. impulsienergia ületab 50 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või 2. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W. 2. Mittehäälestatavad laserid: Märkus. Punkt 5.120.3.2 hõlmab ka aatomsiirdetahkislasereid. a) rubiinlaserid, mille impulsi energia ületab 20 J; b) neodüümklaaslaserid: 1. Q-lülitusega laserid: a. impulsienergia ületab 20 J, kuid on väiksem kui 50 J ja keskmine väljundvõimsus ületab 10 W või b. impulsi energia ületab 50 J; 2. mitte-Q-lülitusega laserid: a. impulsienergia ületab 50 J, kuid on väiksem kui 100 J ja keskmine väljundvõimsus ületab 20 W või b. impulsienergia ületab 100 J; c) neodüümergastusega laserid (välja arvatud neodüümklaaslaserid), mille laserkiirguse lainepikkus ületab 1000 nm, kuid ei ületa 1100 nm: 1. impulssergastusega kitsaribalised Q-lülitusega laserid, mille laserkiirguse impulsipikkus on lühem kui 1 ns ja: a. impulsi tippvõimsus ületab 5 GW; b. keskmine väljundvõimsus ületab 10 W või c. impulsienergia ületab 0,1 J; 2. impulssergastusega Q-lülitusega laserid laserkiirguse impulsipikkusega 1 ns või enam ja: a. üheristmoodilise väljundkiirgusega: 1. tippvõimsus ületab 100 MW; 2. keskmine väljundvõimsus ületab 20 W või 3. impulsi energia ületab 2 J; b. mitmeristmoodilise väljundkiirgusega: 1. tippvõimsus ületab 200 MW; 2. keskmine väljundvõimsus ületab 50 W või 3. impulsi energia ületab 2 J; 3. impulssergutusega mitte-Q-lülitusega laserid: a. üheristmoodilise väljundkiirgusega: 1. tippvõimsus ületab 500 kW või 2. keskmine väljundvõimsus ületab 150 W; b. mitmeristmoodilise väljundkiirgusega: 1. tippvõimsus ületab 1 MW või 2. keskmine võimsus ületab 500 W; 4. pidevergastamisega laserid: a. üheristmoodilise väljundkiirgusega: 1. tippvõimsus ületab 500 kW või 2. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 150 W; b. mitmeristmoodilise väljundkiirgusega: 1. tippvõimsus ületab 1 MW või 2. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 500 W; d) muud mittehäälestatavad laserid: 1. laserkiirguse lainepikkus lühem kui 150 nm ja: a. impulsienergia ületab 50 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või b. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W; 2. laserkiirguse lainepikkus vahemikus 150 nm kuni 800 nm ja: a. impulsienergia ületab 1,5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 30 W või b. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 30 W; 3. laserkiirguse lainepikkus ületab 800 nm, kuid ei ületa 1400 nm: a. Q-lülitusega laserid: 1. impulsienergia ületab 0,5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 50 W või 2. keskmine väljundvõimsus ületab: a. 10 W ühemoodilistel laseritel; b. 30 W mitmemoodilistel laseritel; b. mitte-Q-lülitusega laserid: 1. impulsienergia ületab 2 J ja impulsi tippvõimsus ületab 50 W või 2. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 50 W; 4. laserkiirguse lainepikkus ületab 1400 nm ja: a. impulsienergia ületab 100 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või b. keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W. 5.120.4 Värvlaserid ja muud vedeliklaserid: 1. Laserkiirguse lainepikkus lühem kui 150 nm ja: a) impulsienergia ületab 50 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või b) keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W. 2. Laserkiirguse lainepikkus vahemikus 150 nm kuni 800 nm ja: a) impulsienergia ületab 1,5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 20 W; b) keskmine või CW väljundvõimsus ületab 20 W või c) üksik-longitudinaalne generaator keskmise väljundvõimsusega enam kui 1 W ja impulsside kordussagedusega üle 1 kHz kui impulsi pikkus on lühem kui 100 ns. 3. Laserkiirguse lainepikkus vahemikus 800 nm kuni 1400 nm ja: a) impulsienergia ületab 0,5 J ja impulsi tippvõimsus ületab 10 W või b) keskmine või CW väljundvõimsus ületab 10 W. 4. Laserkiirguse lainepikkus ületab 1400 nm ja: a) impulsienergia ületab 100 mJ ja impulsi tippvõimsus ületab 1 W või b) keskmine või CW väljundvõimsus ületab 1 W. 5.120.5 Vabadel elektronidel toimivad laserid. 5.120.6 Komponendid: 1. Peeglid, mille jahutamine toimub kas aktiivjahutuse või soojustoru meetodil. Tehniline märkus. Aktiivjahutus on spetsiifiline optilistele komponentidele määratud jahutusviis, mille käigus kõrvaldatakse optilise komponendi pinnal tekkiv soojus tema välispinna alt madalamalt kui 1 mm optilise komponendi pinnast läbivoolava vedeliku abil. 2. Optilised peeglid, täielikult või osaliselt peegeldavad optilised või elektro-optilised komponendid, mis on spetsiaalselt määratud kasutamiseks eespoolloetletud laserites. 5.120.7 Optilised seadmed: 1. Lainefrondi dünaamikat mõõtvad seadmed, mis on võimelised mõõtma laserkiirguse lainefronti vähemalt 50 erinevas punktis: a) mõõtmissagedusega 100 Hz või enam ja vähemalt 5%-lise laserkiirguse lainepikkuse faasi moonutusega või b) mõõtmissagedusega 1000 Hz või enam ja vähemalt 20%-lise laserkiirguse lainepikkuse faasi moonutusega. 2. Laserdiagnostika seadmed, mis on võimelised mõõtma Super-High Power Laser'i (SHPL) laserkiirguse juhtimise nurgavigu vähemalt 10 mikroradiaani täpsusega. 3. Optilised seadmed, agregaadid või komponendid, mis on spetsiaalselt määratud hajutatud paigutusega SHPL süsteemile, koherentsete kiirte koondamiseks täpsusega lambda/10 0,1 mikromeetrise või väiksema lainepikkuse juures. 4. Projektsioonteleskoobid, mis on spetsiaalselt määratud rakendamiseks SHPL süsteemides. 5.121 Kompassid ja muud navigatsiooniinstrumendid ja -aparaadid, v.a. magnetkompassid ja kajaloodid; nende seadmete osad. 5.122 Hüdrograafia-, okeanograafia-, hüdroloogia-, metroloogia- ja geofüüsikainstrumendid ja -aparaadid, mis sisaldavad lasereid, või satelliitvastuvõtjad; nende seadmete osad (v.a. kompassid); kaugusemõõtjad. 5.123 Kahe- või mitmeteljelised arvjuhtimisega mõõteaparaadid. 5.124 Kontaktivabad aparaadid pikkuste ja nurkade mõõtmiseks. 5.125 Röntgenikiirgusel töötavad aparaadid, sealhulgas röntgenfotoaparaadid ja röntgentorud tippvõimsusega üle 500 MW ja muud röntgengeneraatorid, kõrgepingegeneraatorid, kontrollpaneelid, juhtimispuldid, ekraanid vmt. kasutamiseks juhtimisel, v.a. meditsiinis, kirurgias, stomatoloogias ja veterinaarias kasutatav aparatuur. 5.126 Alfa-, beeta- ja gammakiirgusel töötavad aparaadid. 5.127 Vibratsiooniseadmed: 5.127.1 Akustilise vibratsiooni kontrolli eriseadmed, mis võimaldavad tekitada helirõhku 160 dB või enam (20 mikropaskalit või enam), arvestatava väljundiga 4 kW või üle selle, katsekambri temperatuuril üle 1273 K (1000 °C) ja nendele määratud erimuundurid, kiirendusmõõtjad, tensomeetrid, termopaarid ning kvartsküttekehad. 5.127.2 Vibratsiooni testimise seadmed ja komponendid nende tarbeks: a) vibratsiooni katsestendid, mis on varustatud tagasisidestustehnikaga ja liidetud digitaalse kontrollseadisega, mis on suutelised panema süsteemi võnkuma ruutkeskmise kiirendusega 10 g (g = 9,81 m/s2) või enam, sagedusvahemikus 20 Hz kuni 2000 Hz ja edastatava jõuga 50 kN või enam (mõõdetud kinnitamata olekus siledal pinnal); b) digitaalsed kontrollseadised, mis on varustatud spetsiaalse vibratsiooni testimise tarkvaraga ja mille sagedusriba laius on enam kui 5 kHz ning mis on määratud kasutamiseks punktis 5.128.2.a kirjeldatud vibratsiooni katsestendides; c) vibratsiooni tekitamise seadised kas võimendajaga või ilma selleta, mis on võimelised edastama jõudu 50 kN või enam (mõõdetud kinnitamata olekus siledal pinnal) ja määratud kasutamiseks punktis 5.128.2.a kirjeldatud vibratsiooni katsestendides; d) katsekeha kinnitamise seadmed ja elektroonilised plokid vibratsiooni tekitamise komplektide koostamiseks, mis on võimelised edastama jõudu 50 kN või enam (mõõdetud kinnitamata olekus siledal pinnal) ja on määratud kasutamiseks punktis 5.128.2.a kirjeldatud vibratsiooni katsestendides. 5.128 Rõhuandurid, mis on korrosioonikindla viimistlusega või ette nähtud üle 10 000 MPa suuruse rõhu mõõtmiseks. 5.129 Mass-spektomeetrid. 5.130 Ostsilloskoobid ja ostsillograafid: a) moodulkoostisega analoogostsilloskoobid ribalaiusega 1 GHz või enam; b) moodulkoostisega (üksikagregaatidest koosnevad) analoog-ostsilloskoobid, millel on: 1. põhibloki ribalaius 1 GHz või enam või 2. juurdelülitatavad moodulid ribalaiusega 4 GHz või enam; c) strobeerivad analoogostsilloskoobid, mis on määratud korduvate nähtuste uurimiseks, ribalaiusega enam kui 4 GHz; d) digitaalostsilloskoobid ja ostsillograafid, mis on varustatud analoog-digitaalmuunduritega ja võimelised salvestama siirdeprotsesse väljaselekteeritavate elektriliste suuruste intervalliga vähem kui 1 ns (üle 1 gigavalimi sekundis), 8-bitise või enama eraldusvõimega ja 256 või enama seose salvestusvõimega. Märkus. Selle punkti alla kuuluvad ka eelmainitud spetsiifilistele analoogostsilloskoopidele määratud komponendid: a) juurdelülitatavad blokid; b) lõppvõimendid (välisvõimendid); c) eelvõimendid; d) elektriliste või elektrilisteks muundatud suuruste funktsionaalsete seoste väljaselekteerimisseadmed (strobeerimisseadmed); e) elektronkiirtetorud. Tehniline märkus. Ribalaius on määratletud kui sagedusriba, mille ulatuses signaal elektronkiirtetoru ekraanil ei lange alla 70,7% maksimaalsest ja mis on mõõdetud ostsilloskoobi võimendi konstantsel sisendpingel. 5.131 Signaalanalüsaatorid ja võrguanalüsaatorid sagedustele üle 31 GHz. 5.132 Interferomeetrid (näit. doppler laser) suuremate kui 1 km/s kiiruste mõõtmiseks. 5.133 Mehaaniliste detailide elektrilised balansseerimismasinad. 5.134 Spetsiaalselt ümarpindade mõõtmiseks konstrueeritud instrumendid. 5.135 Sagedusstandardid stabiilsusega enam kui 1x10 astmes -11/kuus. 5.136 Stardiseadmed, mis suudavad anda mürsule (raketile) algkiiruse 2 km/s või enam.