Legislator Case Law & Legislation
DE FR IT EN
Analyze in Legislator
MAO:H267/2022 AI generated

Market Court revokes Patent Office's rejection, finding the invention involves an inventive step over prior art.

Case Number MAO:H267/2022
Court / Authority
Jurisdiction Finland (FI)
Decision Date
Outcome Allowed / Granted
Open official source Machine-readable Markdown (.md)

Legislator summary

AI generated

The Market Court overturned the Patent Office's decision rejecting a patent application for a high-resistive silicon substrate. The applicant argued that the prior art document D1 did not disclose the specific damaged layer feature required by the claims. The court agreed, determining that a skilled person could not arrive at the claimed invention without inventive effort or hindsight reasoning based on the prior art. Consequently, the patent claims were found to involve an inventive step, and the case was remanded to the Patent Office for re-examination.

Legislator headnote

AI generated

Patentlaki 1999, 10 luku; Patenttivalvontalaki 1999, 10 luku: An invention is considered to involve an inventive step if, in view of the prior art, it is not obvious to a person skilled in the art, requiring that the skilled person would not arrive at the solution without inventive effort or hindsight reasoning.

Keywords

AI generated
inventive step patent rejection prior art D1 silicon substrate damaged layer remand for re-examination Markkinaoikeus

Cited Legislation

AI generated
Patentlaki 1999, 10 luku
Patenttivalvontalaki 1999, 10 luku
AI generated
market_2016_329
Market Court dismisses appeal against Patent Office's rejection of a patent claim for lack of inventive step.
market_2015_31
Trademark registration appeal dismissed as mark is confusingly similar to prior EU marks despite applicant's prior rights.
market_2013_495
Market Court remands trademark application to Patent Office due to missing consent evidence.
market_2015_181
Market Court dismisses appeal as patent claims lack support in original specification documents.
market_2015_59
Marknadsdomstolen allowed trademark opposition based on visual and phonetic similarity of the dominant 'MERLIN' element.

Need to analyze how this precedent applies to your matter?

Cross-reference this judgment against statutes, commentaries, and subsequent citing case law inside Legislator AI.

Open in Legislator →

Full text

Päätös, josta valitetaan

Patentti- ja rekisterihallituksen 22.04.2021 antama päätös patenttihakemuksen nro FI 20136180 hylkäämisestä (käännös liitteenä)

Asian tausta

Okmetic Oyj on 26.11.2013 hakenut suomalaista patenttia keksinnölle nimeltä ”High-Resistive Silicon Substrate with a Reduced Radio Frequency Loss for a Radio-Frequency Integrated Passive Device” (Vähennetyllä radiotaajuushäviöllä varustettu korkearesistiivinen piisubstraatti radiotaajuiselle integroidulle passiivilaitteelle). Patenttihakemus on Patentti- ja rekisterihallituksessa saanut numeron FI 20136180.

Patentti- ja rekisterihallitus on 22.4.2021 antamallaan päätöksellä hylännyt edellä mainitun patenttihakemuksen numero FI 20136180.

Okmetic Oyj on valittanut Patentti- ja rekisterihallituksen päätöksestä markkinaoikeuteen ja esittänyt kaksi vaihtoehtoista patenttivaatimusasetelmaa.

Asian käsittely markkinaoikeudessa

Valitus

Vaatimukset

Okmetic Oyj on vaatinut, että markkinaoikeus kumoaa Patentti- ja rekisterihallituksen valituksenalaisen päätöksen ja palauttaa asian Patentti- ja rekisterihallitukselle uudelleen käsiteltäväksi.

Perusteet

Patentti- ja rekisterihallitus on valituksenalaisessa päätöksessään virheellisesti katsonut, ettei ensisijaisen patenttivaatimusasetelman patenttivaatimuksissa esitetty keksintö eroa olennaisesti viitejulkaisusta D1 tunnetusta tekniikasta.

Toisin kuin Patentti- ja rekisterihallitus on valituksenalaisessa päätöksessään esittänyt, viitejulkaisun D1 kuvan 2 alustakiekkoon ei sisälly ensisijaisen vaatimusasetelman piirrettä, jonka mukaan piisubstraatissa on korkearesistiivisen bulkkipiikerroksen päällä pintapassivointiin tarkoitettu, vaurioitunutta piitä sisältävä vauriokerros. Viitejulkaisussa D1 on esitetty vain alustakiekon varauksenkuljettajien loukkukerroksen muodostaminen kasvattamalla korkearesistiivistä monikidepuolijohdemateriaalia tai monikidepiitä alustakerroksen päälle. Kasvatuksen vaihtoehtona viitejulkaisussa D1 on esitetty muun ohella loukkukerroksen muodostaminen vaurioittamalla alustakerrosta mekaanisesti ennen liitoskerroksen muodostamista, mutta kuvan 2 rakenteessa loukkukerros on muodostettu kasvattamalla. Näin ollen kuvan 2 suoritusmuoto ei sisällä edellä mainittua patenttivaatimuksessa 1 esitettyä piirrettä.

Patenttivaatimuksen 1 viitejulkaisusta D1 tunnetusta rakenteesta erottavien piirteiden vaikutus on piikiekon vaurioituneen etupinnan kemiallismekaanisesta kiillotuksesta johtuva piikiekon parantunut valmius laitevalmistusta varten. Viitejulkaisuun D1 nähden ratkaistava objektiivinen tekninen ongelma on siten, kuinka parantaa siinä esitetyn alustakiekon sisältävää rakennetta laitevalmistusta varten.

Viitejulkaisun D1 kuvan 2 rakenteen alustakiekossa on alustakerros, sen alaosaan valmistettu loukkukerros ja loukkukerroksen päälle oksidista muodostettu liitoskerros puolijohdekiekon liittämistä varten. Mainitun rakenteen puolijohdekiekossa on eristekerroksen päälle muodostettu aktiivikerros, joka käsittää laite- ja metallointikerroksen.

Jos viitejulkaisun D1 kuvan 2 rakenteen alustakiekon alapintaa olisi tarkoitus hyödyntää laitevalmistuksessa, alan ammattimies kiillottaisi puolijohdekiekon aktiivikerroksen yläpintaa viitejulkaisussa itsessään esitetyllä tavalla, jolloin aktiivikerroksessa sijaitsevat laitteet ovat helpommin liitettävissä alustakiekon alapintaan. Jos alustakiekon loukkukerros olisi saatu aikaan kiekkoa mekaanisesti vaurioittamalla, alan ammattimies lisäisi näin aikaansaadulle karkealle pinnalle liitoskerroksen asemesta nestemäistä, liimamaista liitosainetta viitejulkaisussa itsessään esitetyllä tavalla, jolloin liitosaine tasoittaa alustakiekon karkean alapinnan, mikä parantaa aktiivikerroksen laitteiden liittämistä alustakiekkoon.

Kummassakaan edellä esitetyssä vaihtoehdossa vaurioitunut pii ei muodosta kemiallismekaanisesti kiillotettua etupintaa, joten alan ammattimies ei viitejulkaisun D1 kuvan 2 rakenteesta lähtemällä päädy ilmeisellä tavalla patenttivaatimuksen 1 kattamaan rakenteeseen. Itsenäisen patenttivaatimuksen 1 mukainen piisubstraatti on siten keksinnöllinen viitejulkaisusta D1 tunnettuun tekniikkaan nähden. Vastaavilla perusteilla myös itsenäiset patenttivaatimukset 5 ja 6 ovat keksinnöllisiä viitejulkaisuun D1 nähden.

Toissijaisen vaatimusasetelman patenttivaatimuksen 1 mukainen piisubstraatti eroaa viitejulkaisun D1 kuvassa 2 esitetyn rakenteen alustakiekosta ensisijaisen vaatimusasetelman patenttivaatimuksen 1 tarkastelun yhteydessä esitettyjen erottavien piirteiden lisäksi myös siltä osin, ettei mainitussa alustakiekossa ole kemiallismekaanisesti kiillotetun vauriokerroksen päälle muodostettua kiillotettua monikidepiikerrosta. Viitejulkaisusta D1 ei käy ilmi sellaista, joka ohjaisi alan ammattimiehen muuttamaan sen kuvassa 2 esitettyä rakennetta siten, että rakenteessa olisi vaurioituneesta piistä muodostuva kemiallismekaanisesti kiillotettu etupinta ja sen päällä kiillotettu monikidepiikerros. Näin ollen myös toissijaisen vaatimusasetelman itsenäiset patenttivaatimukset 1, 5 ja 6 ovat keksinnöllisiä viitejulkaisusta D1 tunnettuun tekniikkaan nähden.

Patentti- ja rekisterihallituksen lausunto

Patentti- ja rekisterihallitus on markkinaoikeudelle antamassaan lausunnossa esittänyt, että valituksessa ei ole esitetty sellaista, jonka perusteella valituksenalaista päätöstä tulisi muuttaa.

Patentti- ja rekisterihallituksen mukaan Okmetic Oyj on esittänyt valituksessaan, ettei viitejulkaisun D1 kuvassa 2 esitetyn rakenteen alustakiekossa ole valituksenalaisessa päätöksessä esitetyllä tavalla itsenäisen patenttivaatimuksen 1 piirrettä, jonka mukaan piisubstraatissa on korkearesistiivisen bulkkipiikerroksen päällä pintapassivointiin tarkoitettu, vaurioitunutta piitä käsittävä kerros. Viitejulkaisussa D1 on kuitenkin esitetty, että loukkukerros tehdään mekaanisesti vaurioittamalla alustakiekon pintaan ennen liitoskerroksen muodostamista, ja joissakin tapauksissa liitoskerrosta ei tarvita lainkaan. Näin ollen viitejulkaisusta D1 tunnetussa rakenteessa alustasubstraattiin aikaansaatu loukkukerros muodostaa etupinnan, johon aktiiviset komponentit kiinnitetään liitoskerroksen avulla. Toisin sanoen, viitejulkaisusta D1 tunnetussa rakenteessa korkearesistiivisen bulkkipiikerroksen päällä on pintapassivointiin tarkoitettu, vaurioitunutta piitä sisältävä kerros.

Viitejulkaisusta D1 ei käy ilmi, että loukkukerros olisi kemiallismekaanisesti kiillotettu. Hilavauriovyöhykkeen valmistaminen hiertämällä aiheuttaa sen, että vaurioitunut etupinta jää huomattavan epätasaiseksi, ja kemiallismekaaninen kiillotus tasoittaa mainittua etupintaa. Viitejulkaisuun D1 nähden muodostettava objektiivinen tekninen ongelma on siten, kuinka parantaa viitejulkaisun D1 rakenteessa olevan loukkukerroksen etupinnan liitosominaisuuksia. Alan ammattimiehelle on ilmeistä ratkaista tämä objektiivinen tekninen ongelma tasoittamalla mainitun loukkukerroksen etupinta kemiallismekaanisella kiillotuksella. Näin ollen patenttivaatimuksen 1 mukainen piisubstraatti ei ole keksinnöllinen viitejulkaisusta D1 tunnettuun piisubstraattiin nähden. Vastaavilla perusteilla myöskään itsenäisen patenttivaatimuksen 5 mukainen menetelmä ja patenttivaatimuksen 6 mukainen passiivilaite eivät ole keksinnöllisiä viitejulkaisusta D1 tunnettuun tekniikkaan nähden.

Toissijaisen vaatimusasetelman itsenäisiin patenttivaatimuksiin 1 ja 5 on ensisijaisen vaatimusasetelman vastaaviin patenttivaatimuksiin nähden lisätty piirre, jonka mukaan substraatti käsittää sen etupinnan kemiallismekaanisesti kiillotetun hilavauriovyöhykkeen päällä olevan kiillotetun monikiteisen piikerroksen, joka vähentää substraatin RF-häviöitä poistamalla parasiittinen pintajohtuminen. Tämä mainittuihin patenttivaatimuksiin lisätty piirre ei käy ilmi patenttihakemuksen perusasiakirjasta, joten muutos on patenttilain 13 §:n vastainen. Toissijainen patenttivaatimusasetelma ei näin ollen ole hyväksyttävissä.

Valittajan lausuma

Okmetic Oyj on esittänyt lausumassaan 27.5.2022, että Patentti- ja rekisterihallituksen lausunnossa esitetty viitejulkaisuun D1 nähden muodostettava objektiivinen tekninen ongelma ja sen ratkaisu perustuvat jälkikäteispäättelyyn. Lausunnossa ei ole esitetty, millä tavalla viitejulkaisu D1 tai muu tekniikan taso ohjaisi alan ammattimiestä päätymään patenttivaatimuksissa esitettyyn ratkaisuun.

Markkinaoikeuden ratkaisu

Perustelut

1 Asian arvioinnin lähtökohdat

Asiassa on Okmetic Oyj:n valituksen johdosta kysymys siitä, voidaanko ensisijaisessa patenttivaatimusasetelmassa esitetyltä keksinnöltä katsoa puuttuvan keksinnöllisyys niillä perusteilla, jotka Patentti- ja rekisterihallitus on esittänyt valituksenalaisessa päätöksessään.

2 Sovellettavat oikeusohjeet

Patenttilain 2 §:n 1 momentin mukaan patentti myönnetään ainoastaan keksintöön, joka on uusi verrattuna siihen, mikä on tullut tunnetuksi ennen patenttihakemuksen tekemispäivää, ja lisäksi olennaisesti eroaa siitä. Pykälän 2 momentin mukaan tunnetuksi katsotaan kaikki, mikä on tullut julkiseksi, joko kirjoituksen tai esitelmän välityksellä, hyväksikäyttämällä tai muulla tavalla.

3 Keksintö

Markkinaoikeudessa käsiteltävinä olevien patenttivaatimusasetelmien patenttivaatimuksissa esitetty keksintö liittyy korkearesistiiviseen piisubstraattiin, joka voi toimia radiotaajuisten integroitujen passiivikomponenttien valmistusalustana ja jossa radiotaajuisten signaalien aikaansaamat häviöt ovat pienet. Ensi- ja toissijaisen vaatimusasetelman itsenäinen patenttivaatimus 1 kohdistuu piisubstraattiin ja itsenäinen patenttivaatimus 5 piisubstraatin valmistusmenetelmään.

4 Tunnettu tekniikka

Patentti- ja rekisterihallituksen valituksenalaisessa päätöksessä ja lausunnossa esitetyssä keksinnöllisyystarkastelussa ensisijaisen patenttivaatimusasetelman itsenäisten patenttivaatimusten lähimpänä tekniikan tasona on pidetty viitejulkaisua US 2013037922 (D1).

5 Asian arviointi

Ensisijainen patenttivaatimusasetelma

Ensisijaisen patenttivaatimusasetelman itsenäinen patenttivaatimus 1 kuuluu seuraavasti (piirrejako ja piirteiden numerointi Patentti- ja rekisterihallituksen päätöksessä ja lausunnossa käytetyn mukainen):

F1.1 ja F1.2: Vähennetyllä radiotaajuushäviöllä varustettu korkearesistiivinen piisubstraatti radiotaajuiselle integroidulle passiivilaitteelle, joka substraatti käsittää

F1.3: bulkkivyöhykkeen, joka käsittää korkearesistiivistä bulkkipiitä

F1.4: säilytetyn pinnanalaisen hilavirhevyöhykkeen, joka on prosessoitu substraatin etupuolen sisään

F1.4.1: jossa substraatti on piikiekko

F1.4.2: jossa hilavirhevyöhyke käsittää säröistä piitä bulkkivyöhykkeen yläpuolella

F1.5: hilavirhevyöhyke muodostaa piikiekon etupinnan

F1.6: jossa etupinta on kemiallismekaanisella planarisoinnilla kiillotettu etupinta

F1.7.1: jossa hilavirhevyöhyke on ohennettu hilavirhevyöhyke

F1.8.1: jossa hilavirhevyöhyke on konfiguroitu tukahduttamaan parasiittinen pintajohtuminen substraatin RF-häviön vähenemisen aikaansaamiseksi.

Itsenäinen patenttivaatimus 5 kuuluu seuraavasti:

F5.1: Menetelmä jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen mukaisen, vähennetyllä radiotaajuushäviöllä varustetun korkearesistiivisen piisubstraatin valmistamiseksi radiotaajuiselle integroidulle passiivilaitteelle, jossa menetelmässä

F5.2: kasvatetaan korkearesistiivistä piitä

F5.3: käsitellään kasvatettu pii leikkaamalla piikiekko kasvatetusta piistä ja ohentamalla leikattu piikiekko, jolloin

F5.4: käsittelyllä aikaansaadaan säröistä piitä käsittävä hilavirhevyöhyke käsitellyn piikiekon sisään

F5.5.1: kemiallismekaanisella planarisoinnilla kiillotetaan käsitelty piikiekko korkearesistiivistä bulkkipiitä olevan bulkkivyöhykkeen käsittävän substraatin aikaansaamiseksi

F5.6.1: säilytetään kemiallismekaanisella planarisointikiillotuksella ainakin osa hilavirhevyöhykkeestä bulkkivyöhykkeen yläpuolella siten, että hilavirhevyöhyke muodostaa kemiallismekaanisella planarisoinnilla kiillotetun etupinnan ja käsittää säröistä piitä bulkkivyöhykkeen yläpuolella

F5.8: jossa substraatti on piikiekko

F5.9: jossa hilavirhevyöhyke on ohennettu hilavirhevyöhyke

F5.7: jossa hilavirhevyöhyke konfiguroidaan tukahduttamaan parasiittinen pintajohtuminen substraatin RF-häviön vähenemisen aikaansaamiseksi.

Ensisijaisen patenttivaatimusasetelman keksinnöllisyys

Okmetic Oyj on esittänyt muun ohella, että Patentti- ja rekisterihallituksen viitejulkaisun D1 kuvassa 2 esitettyyn rakenteeseen nähden muodostama objektiivinen tekninen ongelma perustuu jälkikäteispäättelyyn, eikä alan ammattimies päädy mainitusta rakenteesta lähtemällä ilman keksinnöllistä panosta itsenäisissä patenttivaatimuksissa esitettyyn ratkaisuun.

Lisäksi markkinaoikeus toteaa, että patenttivaatimuksessa 1 esitetyn piisubstraatin hilavirhevyöhyke muodostaa piikiekon kemiallismekaanisesti kiillotetun etupinnan, johon voidaan litografiatekniikalla muodostaa johdinkuvioita laitevalmistusta varten (perusasiakirjan selitys s. 10). Patenttivaatimuksen 1 mukaisen piisubstraatin tarkoitus on siten muun ohella mahdollistaa laitevalmistus hilavirhevyöhykkeen kiillotettuun pintaan.

Patentti- ja rekisterihallitus on edellä esitetyn mukaisesta valinnut keksinnöllisyysarvioinnin lähtökohdaksi viitejulkaisun D1 kuvassa 2 esitetyn rakenteen alustakiekon ja esittänyt, että mainitun viitejulkaisun kappaleessa 0046 esitetyissä mainitun alustakiekon suoritusmuodoissa loukkukerros tehdään mekaanisesti vaurioittavin menetelmin alustakiekon pintaan ennen liitoskerroksen muodostamista ja että viitejulkaisun kappaleen 0048 mukaan liitoskerros ei joissakin tapauksissa ole tarpeen. Patentti- ja rekisterihallituksen mukaan alustakiekon loukkukerros muodostaa etupinnan, johon aktiiviset komponentit kiinnitetään liitoskerroksen avulla. Loukkukerrosta ei ole kemiallismekaanisesti kiillotettu.

Markkinaoikeus toteaa, että viitejulkaisun D1 kappaleessa 0046 on selostettu kuvan 2 rakenteen joitakin suoritusmuotoja, joissa loukkukerros 214 muodostetaan vaurioittamalla alustasubstraatin 205 pintaa mekaanisesti ennen liitoskerroksen 206 muodostamista loukkukerroksen 214 päälle. Mainitusta kappaleesta käy siten ilmi välituote, jossa alustakiekon 201 etupinnan muodostaa alustasubstraatin 205 pintaa mekaanisesta vaurioittamalla aikaansaatu loukkukerros, eli patenttivaatimuksessa 1 esitetty hilavirhevyöhyke. Mainittua loukkukerroksen 214 muodostamaa välituotteen pintaa ei kuitenkaan kappaleessa 0046 esitetyn mukaisesti ole sellaisenaan tarkoitettu laitevalmistukseen, vaan loukkukerroksen pinnalle muodostetaan vielä liitoskerros 206, jonka pinta kiillotetaan kemiallismekaanisesti puolijohdekiekon 202 liittämistä varten.

Edellä esitetyn perusteella markkinaoikeus toteaa, ettei viitejulkaisun D1 kappaleesta 0046 ilmi käyvää välituotetta, jossa alustakiekon 201 etupinnan muodostaa alustasubstraatin 205 loukkukerros 214, ole muodostettu sitä varten, että sen etupintaan kiinnitettäisiin komponentteja ilman liitoskerrosta 206. Näin ollen alan ammattimies ei valitsisi mainittua välituotetta kehittämistyönsä lähtökohdaksi ilman, että hän on tietoinen patenttivaatimuksen 1 sisällöstä. Alan ammattimies ei siten voi päätyä viitejulkaisun D1 kappaleessa 0046 selostetuista, kuvan 2 rakenteen suoritusmuodoista ilman keksinnöllistä panosta tai jälkikäteispäättelyä patenttivaatimuksessa 1 esitettyyn piisubstraattiin eikä patenttivaatimuksessa 5 esitettyyn menetelmään sen valmistamiseksi.

Viitejulkaisun D1 kappaleessa 0048 esitetyssä suoritusmuodossa, jossa loukkukerros 214 on muodostettu puolijohdekiekon 202 yläpintaan ja jossa liitoskerros 206 ei ole tarpeen, puolijohdekiekko 202 ei sisällä patenttivaatimuksen 1 piirteen F1.3 mukaista bulkkivyöhykettä. Näin ollen alan ammattimies ei voi päätyä myöskään kyseisestä kappaleessa 0048 esitetystä suoritusmuodosta ilman keksinnöllistä panosta tai jälkikäteispäättelyä patenttivaatimuksessa 1 esitettyyn piisubstraattiin eikä patenttivaatimuksessa 5 esitettyyn menetelmään sen valmistamiseksi.

Edellä oleva huomioon ottaen markkinaoikeus katsoo, ettei Patentti- ja rekisterihallituksen valituksenalaisessa päätöksessä ole esitetty sellaista, jonka perusteella patenttivaatimuksen 1 mukaista piisubstraattia ja patenttivaatimuksen 5 mukaista menetelmää sen valmistamiseksi ei olisi pidettävä keksinnöllisenä. Patentti- ja rekisterihallituksen valituksenalainen päätös on siten kumottava, ja asia on palautettava Patentti- ja rekisterihallitukselle uudelleen käsiteltäväksi.

Lopputulos

Markkinaoikeus kumoaa Patentti- ja rekisterihallituksen 22.04.2021 antaman päätöksen ja palauttaa asian Patentti- ja rekisterihallitukselle uudelleen käsiteltäväksi.

Muutoksenhaku

Oikeudenkäynnistä markkinaoikeudessa annetun lain 7 luvun 2 §:n 1 momentin nojalla tähän päätökseen saa hakea muutosta korkeimmalta hallinto-oikeudelta valittamalla vain, jos korkein hallinto-oikeus myöntää valitusluvan. Valitusosoitus on liitteenä.

Asian ovat yksimielisesti ratkaisseet markkinaoikeustuomarit Reima Jussila ja Jaakko Ritvala sekä markkinaoikeusinsinöörit Pasi Nikkonen ja Merja Heikkinen-Keinänen.

Huomaa

Päätöksen lainvoimaisuustiedot tulee tarkistaa korkeimmasta hallinto-oikeudesta.

Liitteet

Patentti- ja rekisterihallituksen päätös 22.4.2021.pdf